一种生产多层微电子基片的方法技术

一种生产多层微电子基片的方法，其中：ａ）提供若干具有第一压缩温度的可热结合的薄膜片；ｂ）提供至少一层具有高于第一压缩温度的第二压缩温度的薄膜片；ｃ）在具有第一压缩温度的薄膜片之间放置至少一层具有第二压缩温度的薄膜片；ｄ）层压薄膜片被加热到第一压缩温度，然后进一步加热到直至使具有第一压缩温度的薄膜片完全压缩的第一终端温度，这第一终端温度保持低于第二压缩温度；和ｅ）层压薄膜片被加热到第二压缩温度，然后，如果合适，进一步加热到第二终端温度，以便压缩至少一层具有第二压缩温度的薄膜片，本方法的特征在于至少一层薄膜片是由含有作为铁氧体主要组分的一氧化镍ＮｉＯ和氧化亚铁Ｆｅ↓［２］Ｏ↓［３］的磁性电介质材料制成的，这材料包含有三氧化二铋Ｂｉ↓［２］Ｏ↓［３］或一种低共熔混合物，它是一氧化铅ＰｂＯ和至少另加一种金属氧化物或三氧化二铋Ｂｉ↓［２］Ｏ↓［３］和至少另加一种金属氧化物形成的低共熔混合物。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及。含有例如作为铁氧体主要组分的一氧化镍NiO和氧化亚铁Fe2O3的磁性电介质材料形成了电子和电信业中所用组件的重要的基本材料。它们被广泛地用于称谓感应器和变换器的组件中。生产它们的方法在于将粉末状原料的预烧结混合物压制成要求的形状，之后进行焙烧使其转变成为陶瓷组分。铁氧体在高频或微波段也具有良好性能，这使其很适于制作这类组件。电磁辐射能透入铁氧体达到很深的程度，并通过该辐射波的电场和磁场分量与这材料的介电性能和磁化性能之间的相互影响，借此使这电磁辐射按预定方式发生变化。由此能制作出高频滤波器，例如回旋器，用于吸收电磁干扰的绝缘体或组件，这些均可用于通信设备中，例如用于高频模块的功率放大器中。一项生产高密度配置的微电子基片的重要技术是所谓的低温共烧成陶瓷技术，在以下文中称为LTCC技术。因此绝缘陶瓷薄膜片，通常其上还包含一些供垂直连接通过用的孔，印有金属导电体图案，随之使这层压薄膜片在850℃～900℃下焙烧。迄今为止，现有的铁氧体材料具有显著地高于1200℃的烧结温度。这些高烧结温度使铁氧体材料不能用于LTCC模块，因为它们不会和这种事例中所用的的陶瓷薄膜片烧结在本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种生产多层微电子基片的方法，其中：ａ）提供若干具有第一压缩温度的可热结合的薄膜片；ｂ）提供至少一层具有高于第一压缩温度的第二压缩温度的薄膜片；ｃ）在具有第一压缩温度的薄膜片之间放置至少一层具有第二压缩温度的薄膜片形 成层合薄膜片；ｄ）层合薄膜片被加热到第一压缩温度，然后进一步加热到直至使具有第一压缩温度的薄膜片完全压缩的第一终端温度，这第一终端温度保持低于第二压缩温度；和ｅ）层合薄膜片被加热到第二压缩温度，然后，如果合适，进一步加热到第 二终端温度，以便压缩至少一层具有第二压缩温度的薄膜片；其特征在于至少一层薄膜片是...

【技术特征摘要】
DE 2001-11-13 10155594.61.一种生产多层微电子基片的方法，其中a)提供若干具有第一压缩温度的可热结合的薄膜片；b)提供至少一层具有高于第一压缩温度的第二压缩温度的薄膜片；c)在具有第一压缩温度的薄膜片之间放置至少一层具有第二压缩温度的薄膜片形成层合薄膜片；d)层合薄膜片被加热到第一压缩温度，然后进一步加热到直至使具有第一压缩温度的薄膜片完全压缩的第一终端温度，这第一终端温度保持低于第二压缩温度；和e)层合薄膜片被加热到第二压缩温度，然后，如果合适，进一步加热到第二终端温度，以便压缩至少一层具有第二压缩温度的薄膜片；其特征在于至少一层薄膜片是由含有作为铁氧体主要组分的一氧化镍NiO和氧化亚铁Fe2O3的磁性电介质材料制成的，这材料包含有三氧化二铋Bi2O3或一种低共熔混合物，它是一氧化铅PbO和至少另加一种金属氧化物或三氧化二铋Bi2O3和至少另加一种金属氧化物形成的低共熔混合物。2.权利要求1的方法，其特征在于另加的金属氧化物是三价钼的氧化物MoO3，氧化锌ZnO，二氧化硅SiO2，氧化硼B2O3或氧化钨WO3。3.权利要求1或2的方法，其特征在于三氧化二铋或低共熔混合物的含量为铁氧体的1～10wt％。4.权利要求1或3之任一项的方法，其特征在于铁氧体是含有NivZnwCoyFezO4的组合物，式中0.88≤V≤1，0≤W≤0.8，0≤Y≤0.03和1.7≤Z≤2.12。5.权利要求1或4之任一项的方法，其特征在于再加的...

【专利技术属性】
技术研发人员：V扎斯帕里斯，JG波雷坎普，
申请(专利权)人：皇家飞利浦电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：NL[荷兰]