材料的填充方法、半导体结构和3DNAND存储器技术

本申请提供了一种材料的填充方法、半导体结构和3D NAND存储器。该填充方法包括：提供具有预定结构的基底，预定结构为包括弯曲部的孔或者凹槽；对预定结构进行处理，以减小预定材料在预定结构的顶部和底部的生长速率差异；在处理后的预定结构中填充预定材料，形成剩余预定结构，剩余预定结构为未填充有预定材料的预定结构；对剩余预定结构的表面进行处理，以减小剩余预定结构的表面的粗糙度；在处理后的剩余预定结构中填充预定材料，直到充满为止。通过对剩余的孔或凹槽的表面进行处理，从而减小了预定材料沉积时的晶粒大小，进而减小或消除顶部的填充缺陷，解决了现有技术中顶部的弯曲区域导致的孔洞的填充缺陷较大的问题。区域导致的孔洞的填充缺陷较大的问题。区域导致的孔洞的填充缺陷较大的问题。

【技术实现步骤摘要】
材料的填充方法、半导体结构和3D NAND存储器


[0001]本申请涉及半导体领域，具体而言，涉及一种材料的填充方法、半导体结构和3D NAND存储器。

技术介绍

[0002]在3D NAND FLASH的制造工艺中，随着层数不断加深，深宽比不断加大，深孔的金属填充越来越有挑战性。主要是因为，金属在深孔的顶部的生长速率大于底部的生长速率，容易使得填充后的金属中形成空洞等缺陷。
[0003]目前，ICE(inhabit controlled enhance，缓蚀剂控制增强法)工艺被大规模应用。ICE的机理是利用一些气体来处理金属的生长基底，使得深孔的顶部和底部的生长速率差异减小，减少顶部提前封口(over hang)的几率，从而尽量减少或者避免填充后的金属中存在空洞等缺陷。
[0004]但是，在深孔的顶部区域，由于存在弯曲区域，且该区域距离顶部较近，ICE工艺在该区域中难以很好地减小生长速率的差异，因此，导致顶部的填充缺陷(空洞等缺陷)仍然较大。
[0005]因此，亟需一种可以减小顶部的弯曲区域导致的孔洞的填充缺陷的填充方本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种材料的填充方法，其特征在于，包括：提供具有预定结构的基底，所述预定结构为孔或者凹槽，所述预定结构包括弯曲部，所述弯曲部包括在第一方向上宽度最大的部分，所述第一方向为垂直于所述预定结构的深度方向；对所述预定结构进行处理，以减小预定材料在所述预定结构的顶部和底部的生长速率，且使得所述顶部的生长速率的减少量大于所述底部的生长速率的减少量；在处理后的所述预定结构中填充所述预定材料，形成剩余预定结构，所述剩余预定结构为未填充有所述预定材料的所述预定结构；对所述剩余预定结构的表面进行处理，以减小所述剩余预定结构的表面的粗糙度；在处理后的所述剩余预定结构中填充所述预定材料，直到充满为止。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，对所述预定结构进行处理，以减小预定材料在所述预定结构的顶部的生长速率，且使得所述预定结构的顶部的生长速率小于所述预定结构的底部的生长速率，包括：在所述预定结构的表面上形成钝化层，且所述钝化层的厚度从所述底部到所述顶部逐渐增加。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，对所述剩余预定结构的表面进行处理，以减小所述剩余预定结构的表面的粗糙度，包括：采用还原性的气体对所述剩余预定结构的表面进行退火处理。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述还原性的气体包括氢气。5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在所述预定结构的表面上形成钝化层，包括：向所述预定结构所在的反应腔室内通入六氟化钨和氨气，在所述预定结构的表面上形成氮化物钝化层。6.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其特征在于，在处理后的所述预定结构中填充所述预定材料，和/或，...

【专利技术属性】
技术研发人员：付家赫，熊少游，程磊，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：