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本申请提供了一种材料的填充方法、半导体结构和3D NAND存储器。该填充方法包括：提供具有预定结构的基底，预定结构为包括弯曲部的孔或者凹槽；对预定结构进行处理，以减小预定材料在预定结构的顶部和底部的生长速率差异；在处理后的预定结构中填充预定...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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