【技术实现步骤摘要】
半导体结构的形成方法及半导体结构
[0001]本公开涉及半导体
，尤其涉及一种半导体结构的形成方法及半导体结构。
技术介绍
[0002]随着集成电路的集成度不断提高，晶体管的特征尺寸不断缩小，互连引线之间的间距减小，互连引线间的寄生电容与互连引线之间的间距成反比，互连引线之间的寄生电容增大，导致后段互连结构的电阻电容(Resistor Capacitor，RC)延迟呈现显著增加的趋势。
技术实现思路
[0003]以下是对本公开详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。
[0004]本公开提供一种半导体结构的形成方法及半导体结构。
[0005]本公开的第一方面提供一种半导体结构的形成方法，所述形成方法包括：
[0006]提供基底，所述基底包括介质层以及间隔设置于所述介质层中的焊盘；
[0007]形成介电结构，所述介电结构暴露出所述焊盘以及部分所述介质层；
[0008]形成绝缘结构，所述绝缘结构形成于所述介电结构的侧壁，所述绝缘结构覆盖所述介电结构...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，所述半导体结构的形成方法包括：提供基底，所述基底包括介质层以及间隔设置于所述介质层中的焊盘；形成介电结构，所述介电结构暴露出所述焊盘以及部分所述介质层；形成绝缘结构，所述绝缘结构形成于所述介电结构的侧壁，所述绝缘结构覆盖所述介电结构的第一部分侧壁，所述介电结构的第二部分侧壁与所述绝缘结构之间形成空气隙；形成导电结构，所述导电结构覆盖暴露出的所述焊盘，以及所述绝缘结构的外侧壁面。2.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述形成绝缘结构，包括：形成牺牲结构，所述牺牲结构覆盖所述介电结构的第二部分侧壁；形成初始绝缘结构，所述初始绝缘结构覆盖所述牺牲结构、所述介电结构暴露的第一部分侧壁以及暴露出的所述焊盘；去除所述牺牲结构，在所述初始绝缘结构和所述介电结构之间形成所述空气隙；去除部分所述初始绝缘结构，暴露出所述焊盘的顶面以及所述介电结构的顶面，被保留的所述初始绝缘结构形成所述绝缘结构。3.根据权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述形成牺牲结构，包括：形成初始牺牲结构，所述初始牺牲结构覆盖所述介电结构和所述焊盘；去除部分所述初始牺牲结构，暴露出所述焊盘和部分所述介电结构，被保留的所述初始牺牲结构覆盖所述介电结构的第二部分侧壁形成所述牺牲结构。4.根据权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述去除所述牺牲结构，包括：所述牺牲结构的材料包括碳化物，通过含氧等离子体反应刻蚀去除所述牺牲结构。5.根据权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述去除部分所述初始绝缘结构之前，还包括：形成辅助结构，所述辅助结构覆盖所述初始绝缘结构；所述去除部分所述初始绝缘结构，包括：去除所述辅助结构以及部分所述初始绝缘结构，暴露出所述焊盘的顶面以及所述介电结构的顶面。6.根据权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述去除所述辅助结构以及部分所述初始绝缘结构，包括：刻蚀所述辅助结构，去除部分所述辅助结构，暴露出覆盖所述焊盘的所述初始绝缘结构以及覆盖所述介电结构的顶面的所述初始绝缘结构；刻蚀其余部分所述辅助结构以及暴露出的所述初始绝缘结构，去除所述辅助结构、覆盖所述焊盘的所述初始绝缘结构以及覆盖所述介电结构的顶面的所述初始绝缘结构。7.根据权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述辅助结构的材料与所述初始绝缘结构的材料相同。8.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述形成介电结构，包括：形成隔离层，所述隔离层覆盖所述基底的顶面；
形成介电层，所述介电层覆盖所述隔离层的顶面；形成第一掩膜层，所述第一掩膜层覆盖所述介电层的部分顶面，所述第一掩膜层在所述基底上的投影区域位于所述介质层的区域内，且所述第一掩膜层在所述基底上的投影区域小于所述介质层的区域；去除所述第一掩膜层暴露出的所述介电层和所述隔离层，被保留的所述介电层和所述隔离层形成初始介电结构；去除部分所述初始介电结构，形成所述介电结构。9.根据权利要求8所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述去除部分所述初始介电结构，包括：形成硬掩膜层，所述硬掩膜层覆盖所述初始介电结构...
【专利技术属性】
技术研发人员：李婷，周厚宏，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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