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本公开提供了一种半导体结构的形成方法及半导体结构，半导体结构的形成方法包括，提供基底，基底包括介质层以及间隔设置于介质层中的焊盘；形成介电结构，介电结构暴露出焊盘以及部分介质层；形成绝缘结构，绝缘结构形成于介电结构的侧壁，绝缘结构覆盖介电结...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

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