晶圆的键合方法、装置、处理器及晶圆的键合系统制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种晶圆的键合方法、装置、处理器及晶圆的键合系统。其中，该方法包括：获取第一晶圆的第一形变信息和第二晶圆的第二形变信息，其中，第一晶圆和第二晶圆为待键合的一组晶圆；根据第一形变信息和第二形变信息，调整第一晶圆与第二晶圆之间的相对位置,以使第一形变信息和第二形变信息满足预设条件。本发明专利技术解决了相关技术中由于应力引起的晶圆形变不对称，导致不同晶圆之间的键合精度较差的技术问题。差的技术问题。差的技术问题。

【技术实现步骤摘要】
晶圆的键合方法、装置、处理器及晶圆的键合系统


[0001]本专利技术涉及半导体
，具体而言，涉及一种晶圆的键合方法、装置、处理器及晶圆的键合系统。

技术介绍

[0002]相关技术中，可以将两个或者多个功能相同或不同的半导体芯片通过晶圆(wafer)间键合进行三维集成，缩短半导体芯片之间的金属互联，减小半导体芯片的发热量、功耗和延迟，提高半导体芯片的性能，进而减小芯片研发与制造周期。然而，晶圆在键合前，还需要对晶圆进行多个工艺流程(比如，晶圆表面薄膜和热处理等)的处理，导致晶圆由于应力而产生翘曲形变，晶圆的形变分布通常是不对称的，例如，图1为相关技术中晶圆的形变分布的示意图，如图1所示，横坐标为形变在晶圆的分布位置，纵坐标为形变对应的翘曲值，沿晶圆直径的形变分布中，右边的翘曲形变明显大于左边的翘曲形变分布，导致晶圆中的形变分布不对称。由于晶圆中的形变分布不对称，需要键合的两片晶圆的形变分布存在差别，进而无法对需要键合的两片晶圆进行准确对准，导致不同晶圆之间的键合精度较差。
[0003]针对上述相关技术中由于应力引起的晶圆形变不对称，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆的键合方法，其特征在于，包括：获取第一晶圆的第一形变信息和第二晶圆的第二形变信息，其中，所述第一晶圆和所述第二晶圆为待键合的一组晶圆；根据所述第一形变信息和所述第二形变信息，调整所述第一晶圆与所述第二晶圆之间的相对位置,以使所述第一形变信息和所述第二形变信息满足预设条件。2.根据权利要求1所述的晶圆的键合方法，其特征在于，调整所述第一晶圆与所述第二晶圆之间的相对位置，包括：调整所述第一晶圆和承载组件之间的相对位置；和/或调整所述第二晶圆和所述承载组件之间的相对位置，其中，所述承载组件用于承载所述第一晶圆。3.根据权利要求2所述的晶圆的键合方法，其特征在于，根据所述第一形变信息和所述第二形变信息，调整所述第一晶圆与承载组件之间的相对位置，包括：确定所述第一晶圆的第一中心位置以及所述承载组件的第二中心位置；根据所述第一形变信息和所述第二形变信息，调整所述第一中心位置与所述第二中心位置之间的相对位置。4.根据权利要求3所述的晶圆的键合方法，其特征在于，所述承载组件为具有球面承载面的卡盘，根据所述第一形变信息和所述第二形变信息，调整所述第一中心位置与所述第二中心位置之间的相对位置，包括：根据所述第一形变信息和所述第二形变信息，确定所述第一中心位置与所述第二中心位置之间的偏移方向，以及第一中心线与第二中心线的夹角，其中，所述第一中心线对应于所述第一中心位置与所述卡盘的球心的连线，所述第二中心线对应于所述第二中心位置与所述卡盘的球心的连线；基于所述偏移方向和所述夹角，调整所述第一中心位置与所述第二中心位置之间的相对位置。5.根据权利要求4所述的晶圆的键合方法，其特征在于，所述第一形变信息包含第一目标形变量，所述第二形变信息包含第二目标形变量，其中，所述第一目标形变量和所述第二目标形变量大于预设值，根据所述第一形变信息和所述第二形变信息，确定所述第一中心位置与所述第二中心位置之间的偏移方向，包括：确定所述第一目标...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵志远，冯皓，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：