一种散热型堆叠封装体及其制作方法技术

本发明专利技术涉及一种散热型堆叠封装体及其制作方法，在本发明专利技术的散热型堆叠封装体的制作过程中，通过在所述半导体管芯的上表面的四周边缘处形成一环形沟槽，并在所述半导体管芯的上表面的中间区域形成多个第一盲孔和多个第二盲孔，进而在上述环形沟槽和第一、第二盲孔中填充金属纳米颗粒，即为半导体管芯提供了多条散热路径，便于半导体管芯的快速散热。且通过设置所述第一盲孔的孔径小于所述第二盲孔的孔径，且所述第一盲孔的深度小于所述环形沟槽的深度，相邻所述第一盲孔之间的距离大于所述第一盲孔的直径，相邻所述第二盲孔之间的距离大于所述第二盲孔的直径，可以确保在制备过程中，不损坏半导体管芯的功能区。不损坏半导体管芯的功能区。不损坏半导体管芯的功能区。

【技术实现步骤摘要】
一种散热型堆叠封装体及其制作方法


[0001]本专利技术涉及半导体封装领域，特别是涉及一种散热型堆叠封装体及其制作方法。

技术介绍

[0002]半导体芯片的封装过程通常为：首先对半导体晶圆进行激光切割处理以形成多个分立的半导体芯片，然后将切割好的半导体芯片用导电粘合材料或者是非导电粘合材料贴装至相应的电路基板或者是引线框架上，当使用导电粘合材料将半导体芯片倒装至所述电路基板或所述引线框架时，通常需要设置低填材料以提高半导体芯片的电连接稳固性，当使用非导电粘合材料将半导体芯片粘结至所述电路基板或所述引线框架时，通常需要利用金线、银线或者铜线将半导体芯片的接合焊盘连接到基板或引线框架的相应引脚上。然后再利用树脂材料对半导体芯片进行封装，以形成半导体芯片的封装结构。
[0003]在现有技术中，为了提高半导体芯片封装结构的集成度，通常会将多个半导体芯片进行堆叠，然后再进行相应的封装。而目前的堆叠封装中，散热性能不佳，容易导致堆叠封装结构过热而发生故障。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的是克服上述现有技术的不足，提供一种本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种散热型堆叠封装体的制作方法，其特征在于：包括以下步骤：步骤（1）：提供第一载板，在所述载板上设置一半导体管芯，接着在所述第一载板上设置一图案化掩膜；步骤（2）：接着利用所述图案化掩膜对所述半导体管芯进行刻蚀处理，以在所述半导体管芯的上表面的四周边缘处形成一环形沟槽，并在所述半导体管芯的上表面的中间区域形成多个第一盲孔和多个第二盲孔，多个所述第一盲孔排列成第一环形部，多个所述第二盲孔排列呈第二环形部，所述第一环形部围绕所述第二环形部，所述第一盲孔的孔径小于所述第二盲孔的孔径，所述第一盲孔的深度等于所述第二盲孔的深度，且所述第一盲孔的深度小于所述环形沟槽的深度；步骤（3）：接着在所述半导体管芯上旋涂第一大尺寸金属纳米颗粒的悬浮液，接着进行烘干处理，接着旋涂第一小尺寸金属纳米颗粒的悬浮液，接着进行烘干处理，以形成第一金属纳米颗粒层，所述第一金属纳米颗粒层覆盖所述环形沟槽、所述第一盲孔以及所述第二盲孔的底部；步骤（4）：接着在所述半导体管芯上旋涂第二大尺寸金属纳米颗粒的悬浮液，接着进行烘干处理，接着旋涂第一小尺寸金属纳米颗粒的悬浮液，接着进行烘干处理，以形成第二金属纳米颗粒层，其中，第二大尺寸金属纳米颗粒的直径小于第一大尺寸金属纳米颗粒，所述第二金属纳米颗粒层覆盖所述第一金属纳米颗粒层；步骤（5）：接着在所述半导体管芯上旋涂第三大尺寸金属纳米颗粒的悬浮液，接着进行烘干处理，接着旋涂第一小尺寸金属纳米颗粒的悬浮液，接着进行烘干处理，以形成第三金属纳米颗粒层，其中，第三大尺寸金属纳米颗粒的直径小于第二大尺寸金属纳米颗粒，所述第三金属纳米颗粒层覆盖所述第二金属纳米颗粒层且覆盖所述半导体管芯的上表面；步骤（6）：接着在所述半导体管芯上沉积一金属键合材料层，所述金属键合材料层覆盖所述第三金属纳米颗粒层，以形成第一组件；步骤（7）：接着将两个上述步骤（6）所形成的所述第一组件键合在一起，使得两个所述金属键合材料层键合连接，接着去除其中一个第一载板；步骤（8）：接着形成第一封装层，接着在所述第一封装层上形成一导热层，所述导热层接触所述第一金属纳米颗粒层、所述第二金属纳米颗粒层、所述第三金属纳米颗粒层以及所述金属键合材料层，接着形成第二封装层，所述第二封装层包裹所述导热层。2.根据权利要求1所述的散热型堆叠封装体的制作方法，其特征在于：在所述步骤（1）中，形成所述图案...

【专利技术属性】
技术研发人员：王玲，
申请(专利权)人：南通市铭腾精密电子有限公司，
类型：发明
国别省市：