【技术实现步骤摘要】
串叠连接的电力电子器件的封装方法及其封装结构
[0001]本专利技术为一种串叠连接的电力电子器件的封装方法及其封装结构，尤指一种以异质多晶的晶圆级封装的串叠连接的电力电子器件的封装方法及其封装结构。
技术介绍
[0002]安森美半导体(OnSemiconductor)看好氮化镓(GaN)可为电源应用且提供优于硅基组件的性能优势，因而开发并推广基于氮化镓的产品及电源系统方案，并推出600V GaN级联结构(Cascode)晶体管NTP8G202N及NTP8G206N，瞄准工业、计算机、通讯、LED照明及网络领域的各种高压应用。NTP8G202N及NTP8G206N两款组件的导通电阻分别为290Mω及150mΩ，闸极电荷均为6.2nC，输出电容分别为36pF及56pF，反向恢复电荷分别为0.029μC及0.054μC，采用优化的TO-220封装，易于根据客户现有的制板能力而整合。
[0003]基于同一导通电阻等级，第一代600V硅基GaN(GaN-on-Si)组件已比高压硅MOSFET提供优质4倍以上的闸极电荷、更好的输...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种串叠连接的电力电子器件封装方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：取一基板，于其上设置一感压胶层；于该感压胶层上设置一个以上的氮化镓半导体晶粒、一个以上的金属氧化物半导体晶体管及一个以上的二极管；于该感压胶层上涂覆第一光显影层，该第一光显影层覆盖该氮化镓半导体晶粒、该金属氧化物半导体晶体管及该二极管；对该氮化镓半导体晶粒、该金属氧化物半导体晶体管及该二极管上的第一光显影层的第一面进行曝光显影，并对曝光显影区进行镀铜，形成镀铜层；于第一光显影层设置一第一塑料层，该第一塑料层覆盖第一光显影层上的未曝光显影区及镀铜层，再于该第一塑料层上设置一散热板；剥离该基板及该感压胶层；于第一光显影层的第二面上涂覆第二光显影层，该第二光显影层覆盖该氮化镓半导体晶粒、该金属氧化物半导体晶体管及该二极管；对第二光显影层进行第二次曝光显影，以显露出该氮化镓半导体晶粒的闸极与汲极、该金属氧化物半导体晶体管的闸极与源极及该二极管；将该氮化镓半导体晶粒的闸极与汲极、该金属氧化物半导体晶体管的闸极与源极及该二极管形成一重分布层；将该重分布层镀上保护层；将胶带黏贴于该陶瓷散热板上，切割该氮化镓半导体晶粒、该金属氧化物半导体晶体管、该二极管、该第一塑料层及该陶瓷散热板，以形成数个封装模块，并使得该些封装模块仅通过该胶带而彼此连接，拉伸该胶带，使得该些封装模块之间的间隙增加，并移除胶带得到数个封装模块，将该些封装模块串叠连接而形成该电力电子器件。2.如权利要求1所述的串叠连接的电力电子器件封装方法，其特征在于，所述氮化镓半导体晶粒为横向导通垂直结构或水平结构，且所述氮化镓半导体晶粒具有正面及与该正面相对的背面，藉由一导通孔将该氮化镓半导体晶粒的源极连通到该背面。3.如权利要求1所述的串叠连接的电力电子器件封装方法，其特征在于，所述金属氧化物半导体晶体管藉由金氧半导体制程与该二极管连接在一起。4.如权利要求1所述的串叠连接的电力电子器件封装方法，其特征在于，所述镀铜层形成之后并在剥离该基板及该感压胶层之前，将该第一光显影层分隔出复数间隔槽，在该些间隔槽上设置一第二塑料层，并在该第二塑料层上设置一档板。5.一种串叠连接的电力电子器件的封装结构，包括复数数组串叠连接的封装模块，其特征在于：每一封装模块包括：氮化镓半导体晶粒、二极管、金属氧化物半导体晶体管、第一感光显影基材、镀铜层、第一塑料层、散热板、第二感光显影基材、重分布层以及保护层；其中，该氮化镓半导体晶粒为横向导通垂直结构或水平结构，且该二极管及金属氧化物半导体晶体管连接在一起，该该氮化镓半导体晶粒与该二极管及金属氧化物半导体晶体管之间具有一设定距离，该第一感光显影基材覆盖于氮化镓半导体晶粒、二极管及金属氧化物半导体晶体管上，并通过曝光显影显露有第一开口，该镀铜层设置于该第一开口处而将氮化镓半导体晶粒与该二极管及金属氧化物半导体晶体管连接，该第一塑料层设置于镀铜层及第一感光显影基材的第一表面上；散热板设置于第一塑料层上；该第二感光显影基
材覆盖于第一感光显影基材的第二表面上，并通过曝光显影显露有第二开口，该重分布层设置于第二开口处，而该保护层环绕重分布层而设置。6.如权利要求5 所述的电力电子器件之封...
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