【技术实现步骤摘要】
本专利技术是一种正温度系数热敏电阻半导体陶瓷材料及制造方法。对于BaTiO3为基的半导体陶瓷,一般采用固相反应法制得粉料或化学共沉法得到的原料。在国内市售原料和常规烧结工艺条件下,采用固相反应制粉法得到的原料制得的PTC热敏电阻陶瓷材料耐压强度较大,但电阻率温度系数较小α≤20%;采用化学共制粉沉法得到的原料制得的PTC热敏电阻陶瓷材料虽然电阻率温度系数较大,但瓷体难以致密化,耐压强度小。在现有的正温度系数热敏电阻半导体陶瓷材料中,按技术实质与所申请的半导瓷相近的是日本专利特许公报、昭55-16521,它所描述的材料,虽然某些组份的温度系数、耐压强度较大,但综合性能还是较差,即αmax≤20%/℃,V≤200V/mm,ρmax/ρmin≤4×106。它采用固相反应制粉法得到的原料。本专利技术的目的是采用国内市售原料和常规工艺及烧结技术制造一种正温度系数热敏电阻半导体陶瓷,使它同时具有常温电阻率低,电阻率正温度系数大,耐压强度大的电性能优良的半导体陶瓷材料。为达到上述目的,本专利技术以固相反应法得到的钛酸钡粉料与化学共沉法得到的草酸氧钛钡粉料混和作为原料,其组成为XBaTiO3+(1-X)BaTiO(C2O4)2·3.49H2O加入(0~10)mol%SrCO3,(0.5~3)mol%SiO2,(0.05~0.5)mol%Y2O3,(0.5~3)mol%TiO2和(0.001~0.2)mol%Mn(NO3)2,其中X=(20~80)mol%,其烧结工艺最高烧结温度为(1260~1330)℃,烧结时间为(5~60)分钟,升温速率为(10~100)℃/分, ...
【技术保护点】
一种以钛酸钡为基的正温度系数热敏电阻半导体陶瓷材料,其特征是:XBaTiO↓〔3〕+(1-X)BaTiO(C↓〔2〕O↓〔4〕)↓〔2〕.3.49H↓〔2〕O,加入(0~10)↑〔mol〕%SrCO↓〔3〕,(0.5~3)↑〔mol〕%SiO↓〔2〕,(0.05~0.5)↑〔mol〕%Y↓〔2〕O↓〔3〕,(0.5~3)↑〔mol〕%TiO↓〔2〕和(0.001~0.5)↑〔mol〕%Mn(NO↓〔3〕)↓〔2〕,其中X=(20~80)↑〔mol〕%。
【技术特征摘要】
1.一种以钛酸钡为基的正温度系数热敏电阻半导体陶瓷材料,其特征是XBaTiO3+(1-X)BaTiO(C2O4)2·3.49H2O,加入(0~10)mol%SrCO3,(0.5~3)mol%SiO2,(0.05~0.5)mol%Y2O3,(0.5~3)mol...
【专利技术属性】
技术研发人员:陈晰,陈昂,智宇,
申请(专利权)人:陈晰,陈昂,智宇,
类型:发明
国别省市:33[中国|浙江]
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