一种片式电阻器及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种片式电阻器及其制造方法，所述片式电阻器，在形成为芯片型的绝缘基板上面，形成有至少一个电阻膜、位于该电阻膜的左右两端的一对上面电极、以及覆盖上述电阻膜的保护涂层，在所述绝缘基板的左右端面上，与上面电极电性导通的形成侧面电极，所述侧面电极部分覆盖上面电极和保护涂层，且在侧面电极表面形成有金属镀层。所述方法步骤包括：在芯片型的绝缘基板上面，形成有至少一个电阻膜、位于该电阻膜的左右两端的一对上面电极、以及覆盖上述电阻膜的保护涂层；在上述绝缘基板的左右端面上，与上面电极电性导通的形成侧面电极，所述侧面电极部分覆盖上面电极和保护涂层；在侧面电极表面形成金属镀层。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种电子器件及其制造方法，尤其涉及一种片式电阻器及其 制造方法。
技术介绍
片式电阻器被广泛应用在电子电路中。其典型结构如图l所示，在芯片型的绝缘基板1上面形成一个具有所需电阻值的电阻膜2，在电阻膜2的左右两端 形成与其相连接的左右分离的上面电极5，在绝缘基板l的左右端面上，形成 与上面电极5电性导通的侧面电极7，在侧面电极7的表面形成有金属镀层8， 该金属镀层8覆盖上面电极的暴露部分，在所述电阻膜2上覆盖有保护涂层， 具体的，该保护涂层可以包括内保护层3和外保护层4。为了满足片式电阻器 制造工艺的要求，还可以在绝缘基板1的下面形成左右分离的下面电极6，此 时，金属镀层8进一步覆盖下面电极的暴露部分。在上述典型结构的片式电阻器中，由于上面电极5与外保护层4交界处的 金属镀层8会逐渐变薄，因此，大气中的含硫气体很容易侵入到上面电极5上 而对上面电极5造成腐蚀，最终导致片式电阻器出现开路现象。为解决上述问题，中国专利申请公开了， 该专利申请公开日为2004年8月25日，公开号为CN 1524275A。在该公开文献 中，提供了如图2所示的片式电阻器，在形成为芯片型的绝缘基板本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种片式电阻器，在形成为芯片型的绝缘基板上面，形成有至少一个电阻膜、位于该电阻膜的左右两端的一对上面电极、以及覆盖上述电阻膜的保护涂层，在所述绝缘基板的左右端面上，与上面电极电性导通的形成侧面电极，其特征在于：　　　　所述侧面电极部分覆盖上面电极和保护涂层，且在侧面电极表面形成有金属镀层。

【技术特征摘要】
1.一种片式电阻器，在形成为芯片型的绝缘基板上面，形成有至少一个电阻膜、位于该电阻膜的左右两端的一对上面电极、以及覆盖上述电阻膜的保护涂层，在所述绝缘基板的左右端面上，与上面电极电性导通的形成侧面电极，其特征在于所述侧面电极部分覆盖上面电极和保护涂层，且在侧面电极表面形成有金属镀层。2. 如权利要求1所述的片式电阻器，其特征在于，所述绝缘基板下面的 左右两端形成有一对下面电极，所述下面电极与对应侧的侧面电极电性导通 连接，且侧面电极部分覆盖下面电极，所述金属镀层延伸覆盖下面电极的暴 露部分。3. 如权利要求1或2所述的片式电阻器，其特征在于，所述保护涂层包 括直接覆盖在电阻膜上面的内保护层及其上面部分覆盖上面电极的外保护 层。4. 如权利要求3所述的片式电阻器，其特征在于，所述外保护层的总长 度L1为L1=L-2A其中，L表示绝缘基板的长度，A表示未被外保护层覆盖的上面电极的 长度，计量单位为毫米。5. 如权利要求3所述的片式电阻器，其特征在于，所述侧面电极覆盖外 保护层的长度L2为L2= (L画L1) /2+B其中，L表示绝缘基板的长度，Ll表示外保护层的总长度，B表示侧面 电极覆盖外保护层的长度，计量单位为毫米。6. 如权利要求1所述的片式电阻器，其特征在于，所述金属镀层包括内 层的镍镀层和外层的锡镀层。7. —种片式电阻器的制造方法，其特征在于，包括如...

【专利技术属性】
技术研发人员：莫雪琼，陈肇强，张俊，李东朝，李志坚，张远生，
申请(专利权)人：广东风华高新科技股份有限公司，广东风华高新科技集团有限公司，
类型：发明
国别省市：44[中国|广东]