本实用新型专利技术提供了一种晶体炉充气装置及晶体炉，包括进气管，进气管插入晶体炉内，进气管在晶体炉外的管口为充气口，进气管在晶体炉内的管口密封，进气管的管壁在密封管口的位置开设有多个出气口。进气管在晶体炉内的管口密封，在进气管的管壁上开设多个出气口，从而将原进气口的气流由强气流单一方向发散变为了小气流多方向发散，减少了湍流的产生，消除了对温场及温场上表面杂质的冲击，增加了成品质量。量。量。
【技术实现步骤摘要】
一种晶体炉充气装置及晶体炉
[0001]本技术涉及晶体生长领域，具体涉及一种晶体炉充气装置及晶体炉。
技术介绍
[0002]传统的晶体生长炉，充气管路一般为单一管道、单一充气口、直口进气，具体如图1所示，这样的结构简单易维护，但弊端也很明显，如气流量不能太大，充气总量大时耗时较久；直口进气使得出气口气体流量大，向下发散强，容易形成气体湍流，冲击温场，冲击温场表面杂质及挥发物使其掉落入坩埚，导致原料污染，破坏晶体生长的完整性。
技术实现思路
[0003]针对现有技术存在的问题，本技术的目的在于提供一种晶体炉充气装置及晶体炉，以降低出气口的气流强度。
[0004]本技术提供了一种晶体炉充气装置，包括进气管，进气管插入晶体炉内，进气管在晶体炉外的管口为充气口，进气管在晶体炉内的管口密封，进气管的管壁在密封管口的位置开设有多个出气口。
[0005]进一步地，出气口呈蜂窝状排列。
[0006]进一步地，进气管包括主进气管和多根支进气管，主进气管位于晶体炉外，充气口设置于主进气管上；支进气管的一端与主进气管连通，支进气管的另外一端插入晶体炉内，支进气管在晶体炉内的管口密封，支进气管的管壁在密封管口开设有多个出气口。
[0007]进一步地，支进气管的数量为两根，并且位于晶体炉的加热器的两侧。
[0008]本技术还提供了一种晶体炉充气装置，包括上述晶体炉充气装置。
[0009]采用本技术中的晶体炉充气装置有如下技术效果：
[0010]一、进气管在晶体炉内的管口密封，在进气管的管壁上开设多个出气口，从而将原出气口的气流由强气流单一方向发散变为了小气流向多方向发散，减少了湍流的产生，消除了对温场及温场上表面杂质的冲击，增加了成品质量。
[0011]二、呈蜂窝状排列的出气口能够起到更好的发散气流的作用，气流会从蜂窝孔洞的出气口里慢速流出，最终在晶体炉体内形成稳定自然的气体流动，保护晶体，优化温场，调节温度梯度，降低因气体流动对温场的干扰。
[0012]三、采用多个支进气管结构，能够提高充气流量，减少充气用时，同时进一步降低了每一出气口的气流强度。
附图说明
[0013]图1为原晶体炉充气装置的结构示意图；
[0014]图2为本技术中晶体炉充气装置的结构示意图；
[0015]图3为图2中支进气管上的出气口的分布示意图。
[0016]10、进气管；11、主进气管；111、充气口；12、支进气管；121、出气口；100、晶体炉；
101、加热器；102、保温层；103、进水口；104、出水口。
具体实施方式
[0017]为清楚地说明本技术的设计思想，下面结合示例对本技术进行说明。
[0018]为了使本领域的技术人员更好地理解本技术的方案，下面结合本技术示例中的附图对本技术的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的示例仅仅是本技术的一部分示例，而不是全部的示例。基于本技术的示例，本领域的普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下，所获得的所有其他实施方式都应当属于本技术保护的范围。
[0019]在本实施方式的描述中，术语指示的方位或位置关系均为基于附图所示的方位或位置关系，仅仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。
[0020]本技术提供一种晶体炉充气装置及晶体炉，以降低出气口的气流强度。
[0021]如图2和图3所示，晶体炉充气装置，包括进气管10，进气管10插入晶体炉100内，进气管10在晶体炉100外的管口为充气口111，进气管10在晶体炉100内的管口密封，进气管10的管壁在密封管口的位置开设有多个出气口121。
[0022]本实施例中，进气管10在晶体炉100内的管口密封，在进气管10的管壁上开设多个出气口121，从而将原出气口的气流由强气流单一方向发散变为了小气流向多方向发散，减少了湍流的产生，消除了对温场及温场上表面杂质的冲击，增加了成品质量。
[0023]如图3所示，本实施例中，出气口121呈蜂窝状排列，进气管10包括主进气管11和多根支进气管12，主进气管11位于晶体炉100外，充气口111设置于主进气管11上；支进气管12的一端与主进气管11连通，支进气管12的另外一端插入晶体炉100内，支进气管12在晶体炉100内的管口密封，支进气管12的管壁在密封管口开设有多个出气口121。
[0024]本实施例中，呈蜂窝状排列的出气口121能够起到更好的发散气流的作用，气流会从蜂窝孔洞的出气口121里慢速流出，最终在晶体炉100体内形成稳定自然的气体流动，保护晶体，优化温场，调节温度梯度，降低因气体流动对温场的干扰。采用多个支进气管12的结构，能够提高充气流量，减少充气用时，同时进一步降低了每一出气口121的气流强度。
[0025]如图2所示，本实施例还提供了一种晶体炉，包括炉体，炉体上端设置有炉体内设置有出水口104，炉体的下端设置有进水口103，炉体内的中心位置设置有加热器101、加热器101外周设置保温层102。为保证炉体内进气均匀，本实施例中的支进气管12的数量为两根，并且位于晶体炉100的加热器101的两侧。
[0026]需要注意的是，这里所使用的术语仅是为了描述具体实施方式，而非意图限制根据本申请的示例性实施方式。
[0027]最后，可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本技术的原理而采用的示例性实施方式，然而本技术并不局限于此。对于本领域普通技术人员而言，在不脱离本技术的原理和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本技术的保护范围。
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【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种晶体炉充气装置，其特征在于，包括进气管（10），所述进气管（10）插入晶体炉（100）内，所述进气管（10）在所述晶体炉（100）外的管口为充气口（111），所述进气管（10）在所述晶体炉（100）内的管口密封，所述进气管（10）的管壁在密封管口的位置开设有多个出气口（121）。2.根据权利要求1所述的晶体炉充气装置，其特征在于，所述出气口（121）呈蜂窝状排列。3.根据权利要求1所述的晶体炉充气装置，其特征在于，所述进气管（10）包括：主进气管（11），所述主进气管（11）位于所述晶体炉（100）外，所述充气口...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘景峰，
申请(专利权)人：北京奇峰蓝达光学科技发展有限公司，
类型：新型
国别省市：
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