晶体生长炉及具有其的碳化硅晶体生长装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种晶体生长炉及具有其的碳化硅晶体生长装置，晶体生长炉包括：炉底组件，包括炉底板及与炉底板连接的炉底套，炉底套与炉底板之间形成有第一夹层；以及炉身组件，包括炉内筒、炉身套以及回流件，炉内筒设置于炉底板上，炉身套设置于炉底板上，并套设于炉内筒外，且炉身套与炉内筒之间形成有第二夹层，炉底板设有用于连通第二夹层与第一夹层的第一通孔，回流件设置于第二夹层内，回流件设有具有进口以及出口的回流通道，进口位于出口沿重力方向的上方，且进口与第二夹层连通，出口用于与晶体生长炉的外界连通。上述的晶体生长炉在使用期间，能够避免炉底组件以及炉身组件因长期受热而损坏或缩短使用寿命。组件因长期受热而损坏或缩短使用寿命。组件因长期受热而损坏或缩短使用寿命。

【技术实现步骤摘要】
晶体生长炉及具有其的碳化硅晶体生长装置


[0001]本技术涉及晶体生长
，尤其是涉及一种晶体生长炉及具有其的碳化硅晶体生长装置。

技术介绍

[0002]在进行碳化硅晶体生长实验时，需要将碳化硅原料放在晶体生长炉内，并通过加热装置对碳化硅原料进行加热。而为了得到相应的晶体，加热装置所需提供的温度在2000℃以上，因此，晶体生长炉的炉身组件以及炉底组件的温度也会持续受到加热装置的影响，容易损坏或者缩短使用寿命。

技术实现思路

[0003]本技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本技术提出一种晶体生长炉，能够解决传统的晶体生长炉的炉身组件以及炉底组件容易损坏或使用寿命短的问题。
[0004]本技术还提出一种具有上述晶体生长炉的碳化硅晶体生长装置。
[0005]根据本技术第一方面实施例的一种晶体生长炉，所述晶体生长炉包括：炉底组件，包括炉底板以及与所述炉底板连接的炉底套，所述炉底套与所述炉底板之间形成有第一夹层，所述第一夹层用于供冷却液注入；以及炉身组件，包括炉内筒、炉身套以及回流件，所述炉内筒设置于所述炉底板上，所述炉身套设置于所述炉底板上，并套设于所述炉内筒外，且所述炉身套与所述炉内筒之间形成有第二夹层，所述炉底板设有用于连通所述第二夹层与所述第一夹层的第一通孔，所述回流件设置于所述第二夹层内，所述回流件设有具有进口以及出口的回流通道，所述进口位于所述出口沿重力方向的上方，且所述进口与所述第二夹层连通，所述出口用于与所述晶体生长炉的外界连通。
[0006]根据本技术实施例的晶体生长炉，至少具有如下技术效果：
[0007]上述的晶体生长炉在使用期间，可以往炉底组件的第一夹层注入冷却液；在往第一夹层注入冷却液的过程中，第一夹层内的冷却液能够通过第一通孔流向第二夹层；随着第二夹层内的冷却液的增多，冷却液的高度渐渐升高，在冷却液的高度升至回流件的回流通道的进口处时，冷却液通过回流通道的进口进入到回流通道内，然后通过回流通道的出口流向外界。上述的晶体生长炉在使用期间，冷却液能够流入炉底组件的第一夹层内，对炉底组件进行冷却，且冷却液还能够流入炉身组件的第二夹层内，对炉身组件进行冷却，避免炉底组件以及炉身组件因长期受热而损坏或缩短使用寿命。另外，由于可以持续向第一夹层以及第二夹层注入冷却液，第一夹层以及第二夹层内的冷却液可以保持流通状态，并在吸收一定热量后通过回流件排出，制冷效果好。并且，在进入至第二夹层内的冷却液的高度只有达到回流件的进口处时才能进入到回流件内后再排出，如此，可以通过将回流件的进口设置在第二夹层的顶端，使得炉内筒以及炉身套与冷却液充分接触，保证炉内筒以及炉身套的散热效果。
[0008]根据本技术的一些实施例，所述炉底板远离所述炉身组件的一侧形成有液槽，所述炉底套与所述液槽的侧壁密封连接，并盖住所述液槽，以使所述炉底套与所述炉底板之间形成所述第一夹层。
[0009]根据本技术的一些实施例，所述的晶体生长炉还包括抽气接头，所述炉内筒具有内腔，所述炉底板设有与所述内腔连通的第一装配孔，所述炉底套设有与所述第一装配孔相对的第二装配孔，所述抽气接头穿设于所述第一装配孔以及所述第二装配孔。
[0010]根据本技术的一些实施例，所述抽气接头包括内筒以及外筒，所述内筒穿设于所述第一装配孔以及所述第二装配孔，所述外筒围设于所述内筒并位于所述炉底套远离所述第一夹层的一侧，且所述外筒与所述内筒之间形成有与所述第一夹层连通的进液槽，所述外筒设有与所述进液槽连通的进液口。
[0011]根据本技术的一些实施例，所述回流通道为形成于所述回流件上的回流槽，所述进口与所述出口相对设置，所述回流槽还具有与所述进口及所述出口相邻的侧部开口，所述回流件与所述炉内筒相抵，以使所述炉内筒封堵所述侧部开口。
[0012]根据本技术的一些实施例，所述出口开设于所述回流件的底部，所述回流件的底部与所述炉底板相抵，所述炉底板设有与所述出口连通的第二通孔；所述炉底组件还包括设置于所述炉底板远离所述回流件的一侧的回水盒，所述回水盒与所述第二通孔相对设置，且所述回水盒具有与所述第二通孔连通的回水腔、以及与所述回水腔连通的出液口。
[0013]根据本技术的一些实施例，所述炉底套设有缺口，所述回水盒的侧壁与所述缺口的侧壁连接，所述回水盒的侧壁将所述回水腔与所述第一夹层隔开，且所述回水盒的底壁封住所述缺口，所述出液口开设于所述回水盒的底壁上。
[0014]根据本技术的一些实施例，所述炉身组件还包括支撑单元，所述支撑单元支撑于所述炉内筒与所述炉身套之间。
[0015]根据本技术的一些实施例，所述支撑单元包括沿横向间隔排布的多个第一支撑件、以及沿横向间隔排布的第二支撑件，每相邻两个所述第二支撑件之间的间隙均与一个所述第一支撑件相对。
[0016]根据本技术第二方面实施例的碳化硅晶体生长装置，包括如上所述的晶体生长炉。
[0017]根据本技术实施例的碳化硅晶体生长装置，至少具有如下技术效果：
[0018]上述的碳化硅晶体生长装置具有上述的晶体生长炉，上述的晶体生长炉在使用期间，可以往炉底组件的第一夹层注入冷却液；在往第一夹层注入冷却液的过程中，第一夹层内的冷却液能够通过第一通孔流向第二夹层；随着第二夹层内的冷却液的增多，冷却液的高度渐渐升高，在冷却液的高度升至回流件的回流通道的进口处时，冷却液通过回流通道的进口进入到回流通道内，然后通过回流通道的出口流向外界。上述的晶体生长炉在使用期间，冷却液能够流入炉底组件的第一夹层内，对炉底组件进行冷却，且冷却液还能够流入炉身组件的第二夹层内，对炉身组件进行冷却，避免炉底组件以及炉身组件因长期受热而损坏或缩短使用寿命。另外，由于可以持续向第一夹层以及第二夹层注入冷却液，第一夹层以及第二夹层内的冷却液可以保持流通状态，并在吸收一定热量后通过回流件排出，制冷效果好。并且，在进入至第二夹层内的冷却液的高度只有达到回流件的进口处时才能进入到回流件内后再排出，如此，可以通过将回流件的进口设置在第二夹层的顶端，使得炉内筒
以及炉身套与冷却液充分接触，保证炉内筒以及炉身套的散热效果。
附图说明
[0019]本技术的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：
[0020]图1是本技术一实施例的晶体生长炉的结构示意图；
[0021]图2是本技术一实施例的晶体生长炉的局部结构的爆炸结构示意图一；
[0022]图3是本技术一实施例的晶体生长炉的局部结构的爆炸结构示意图二；
[0023]图4是本技术一实施例的炉底组件与抽气接头的爆炸结构示意图；
[0024]图5是本技术一实施例的炉底套与抽气接头的爆炸结构示意图；
[0025]图6是图5所示图形的A处局部放大结构示意图。
[0026]附图标记：
[0027]100、炉底组件；110、本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶体生长炉，其特征在于，所述晶体生长炉包括：炉底组件，包括炉底板以及与所述炉底板连接的炉底套，所述炉底套与所述炉底板之间形成有第一夹层，所述第一夹层用于供冷却液注入；以及炉身组件，包括炉内筒、炉身套以及回流件，所述炉内筒设置于所述炉底板上，所述炉身套设置于所述炉底板上，并套设于所述炉内筒外，且所述炉身套与所述炉内筒之间形成有第二夹层，所述炉底板设有用于连通所述第二夹层与所述第一夹层的第一通孔，所述回流件设置于所述第二夹层内，所述回流件设有具有进口以及出口的回流通道，所述进口位于所述出口沿重力方向的上方，且所述进口与所述第二夹层连通，所述出口用于与所述晶体生长炉的外界连通。2.根据权利要求1所述的晶体生长炉，其特征在于，所述炉底板远离所述炉身组件的一侧形成有液槽，所述炉底套与所述液槽的侧壁密封连接，并盖住所述液槽，以使所述炉底套与所述炉底板之间形成所述第一夹层。3.根据权利要求1所述的晶体生长炉，其特征在于，还包括抽气接头，所述炉内筒具有内腔，所述炉底板设有与所述内腔连通的第一装配孔，所述炉底套设有与所述第一装配孔相对的第二装配孔，所述抽气接头穿设于所述第一装配孔以及所述第二装配孔。4.根据权利要求3所述的晶体生长炉，其特征在于，所述抽气接头包括内筒以及外筒，所述内筒穿设于所述第一装配孔以及所述第二装配孔，所述外筒围设于所述内筒并位于所述炉底套远离所述第一夹层的一侧，且所述外筒与所述内筒之间形成有与所述第一夹层连通...

【专利技术属性】
技术研发人员：姚恒，卞洪阳，姚泰，
申请(专利权)人：中山荣拓智能装备有限公司，
类型：新型
国别省市：