晶体生长装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种晶体生长装置，包括：晶体生长炉，晶体生长炉的内部设有加热腔，且晶体生长炉的顶部设有通孔；升降机构，升降机构设置于晶体生长炉上；籽晶杆，籽晶杆与升降机构驱动连接并可活动地穿设于通孔，籽晶杆的底端位于加热腔内，籽晶杆的顶端位于加热腔外，籽晶杆设有沿籽晶杆的轴向延伸的冷却液通道，至少有部分冷却液通道位于加热腔内，冷却液通道具有形成于籽晶杆的顶端的通道口；液罐，液罐设置于籽晶杆的顶端，液罐的内部设有液腔，且液罐还设有与液腔连通的连通口、以及与液腔连通的进液口，连通口与通道口连通。上述的晶体生长装置避免籽晶杆被烧损或缩短使用寿命。用寿命。用寿命。

【技术实现步骤摘要】
晶体生长装置


[0001]本技术涉及晶体生长
，尤其是涉及一种晶体生长装置。

技术介绍

[0002]在进行碳化硅晶体生长实验时，需要将碳化硅原料放在晶体生长炉内，并通过加热器对碳化硅原料进行加热。而为了得到相应的晶体，加热器所需提供的温度在2000℃以上，因此，伸入进晶体生长炉的籽晶杆的温度也会持续受到加热器的影响，容易损坏或者缩短使用寿命。

技术实现思路

[0003]本技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本技术提出一种晶体生长装置，能够解决传统的籽晶杆容易损坏或者缩短使用寿命的问题。
[0004]根据本技术第一方面实施例的一种晶体生长装置，所述晶体生长装置包括：晶体生长炉，所述晶体生长炉的内部设有加热腔，且所述晶体生长炉的顶部设有通孔；升降机构，所述升降机构设置于所述晶体生长炉上；籽晶杆，所述籽晶杆与所述升降机构驱动连接并可活动地穿设于所述通孔，所述籽晶杆的底端位于所述加热腔内，所述籽晶杆的顶端位于所述加热腔外，所述籽晶杆设有沿所述籽晶杆的轴向延伸的冷却液通道，至少有部分所述冷却液通道位于所述加热腔内本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶体生长装置，其特征在于，所述晶体生长装置包括：晶体生长炉，所述晶体生长炉的内部设有加热腔，且所述晶体生长炉的顶部设有通孔；升降机构，所述升降机构设置于所述晶体生长炉上；籽晶杆，所述籽晶杆与所述升降机构驱动连接并可活动地穿设于所述通孔，所述籽晶杆的底端位于所述加热腔内，所述籽晶杆的顶端位于所述加热腔外，所述籽晶杆设有沿所述籽晶杆的轴向延伸的冷却液通道，至少有部分所述冷却液通道位于所述加热腔内，所述冷却液通道具有形成于所述籽晶杆的顶端的通道口；液罐，所述液罐设置于所述籽晶杆的顶端，所述液罐的内部设有液腔，且所述液罐还设有与所述液腔连通的连通口、以及与所述液腔连通的进液口，所述连通口与所述通道口连通。2.根据权利要求1所述的晶体生长装置，其特征在于，所述进液口形成于所述液罐的侧部，所述液罐的顶部设有与液腔连通的出液口。3.根据权利要求1所述的晶体生长装置，其特征在于，所述升降机构设置于所述晶体生长炉的顶部，所述升降机构包括第一驱动源、与所述第一驱动源驱动连接的传动杆以及与所述传动杆传动连接的传动件，所述传动杆竖直设置，且所述传动杆能够受所述第一驱动源的驱动而带动所述传动件沿所述传动杆的轴向移动，所述籽晶杆与所述传动件连接，且所述籽晶杆与所述传动杆并列设置。4.根据权利要求3所述的晶体生长装置，其特征在于，所述传动杆为丝杠，所述传动件为套设于所述丝杠外的螺母，所述螺母与所述丝杠螺纹连接，所述升降机构还包括导向筒以及连接轴，所述导向筒与晶体生长炉固定连接并套设于所述丝杠以及所述螺母的外部，且所述导向筒与所述丝杠以及所述螺母相间隔，所述导...

【专利技术属性】
技术研发人员：姚恒，卞洪阳，
申请(专利权)人：中山荣拓智能装备有限公司，
类型：新型
国别省市：