本发明专利技术公开了一种屏下摄像显示屏真空蒸镀用共通金属掩膜版制作工艺，属于掩模版制作领域。本发明专利技术的共通金属掩膜版制作工艺，利用聚酰亚胺膜层在金属掩模网片材的共通层开口处形成用于遮挡屏下摄像区中无像素区域的遮挡区和用于支撑遮挡区的支撑网格，在蒸镀过程中能够有效去除屏下摄像区的有机材料和阴极材料，从而真正做到屏下摄像区的高穿透率，保证了屏下摄像显示屏的摄像效果，无需改变有机材料的特性，降低了屏下摄像显示屏的制作成本；另外，该共通金属掩膜版制作工艺简单易行，聚酰亚胺遮挡区和支撑网格的厚度薄、强度高，支撑网格细丝宽度和厚度均可达到微米级别，制作精度高，且不易断裂，使共通金属掩膜版使用寿命长，真空蒸镀精度高。真空蒸镀精度高。真空蒸镀精度高。
【技术实现步骤摘要】
一种屏下摄像显示屏真空蒸镀用共通金属掩膜版制作工艺
[0001]本专利技术涉及一种金属掩膜版及其制作工艺，更具体地说，涉及一种屏下摄像显示屏真空蒸镀用共通金属掩膜版制作工艺。
技术介绍
[0002]AMOLED(主动式有机发光显示器)被称为下一代显示技术，目前已在穿戴、手机、平板电脑和笔记本等众多领域逐步使用。并随着技术的成熟和良率的提升，占有份额越来越高，具有逐步取代a
‑
Si及LTPS显示器的趋势。
[0003]AMOLED现在主流的生产方式为真空蒸镀，需要在基板上真空蒸镀各种功能层、发光层等，其中金属掩膜版作为真空蒸镀不可或缺的治具，也越来越受到市场的关注，其中分为共同金属掩膜版(CMM)和精细金属掩膜版(FMM)，金属掩膜版目前主要由韩国、日本生产垄断。
[0004]随着显示器产品的屏幕设计多样化，很多手机等产品的显示器都具有前置摄像功能，常见的屏幕前置摄像功能是通过在显示器上进行屏下挖孔来实现的，这就导致在显示器的前置摄像头附近会形成无法显示内容的区域，常见的有矩形、水滴形和圆形等形状，这些不显示内容的屏幕区域不仅难以提高手机等产品的屏占比，而且也导致产品不够美观，给用户带来不好的使用体验。近年来，随着全面屏概念的发展，屏下摄像显示屏应用而生，很多厂商也开始布局和研发屏下摄像技术，屏下摄像技术消除了传统显示器的挖孔结构，实现了真正意义上的全面屏，有助于美化产品的外观。
[0005]现有屏下摄像技术是在屏幕的摄像区域进行像素个数的减少或者像素密度的降低来实现的，摄像显示区域的PPI通常为正常显示区域的1/4。对应屏幕摄像区域的子像素，在无子像素的区域可以使用精细金属掩膜版(FMM)遮挡来进行有机材料的蒸镀，减少有机材料对摄像显示区域的覆盖。但是，共通金属掩模版为正常大面积开口结构，共通层有机材料和阴极材料仍然会覆盖摄像显示区域，这样势必会降低摄像头的穿透率以及产生色偏问题导致摄像失真。也有相关技术方案使用高通过率有机材料，采用这种方式，摄像头穿透率较高，但成本也随之大幅增加。
[0006]为此，有必要设计一种能够用于屏下摄像显示屏真空蒸镀的共通金属掩膜版，以解决共通层有机材料和阴极材料在蒸镀过程中覆盖屏幕的摄像显示区域的问题，以更低的制作成本来提高屏下摄像头的穿透率。
技术实现思路
[0007]1.专利技术要解决的技术问题
[0008]本专利技术的目的在于克服现有共通金属掩模版在蒸镀时无法有效遮挡屏下摄像显示屏的屏下摄像区而导致共通层有机材料和阴极材料会覆盖摄像显示区域，进而降低摄像头的穿透率以及产生色偏问题导致摄像失真等不足，提供一种屏下摄像显示屏真空蒸镀用共通金属掩膜版制作工艺，采用本专利技术的技术方案，利用聚酰亚胺膜层在金属掩模网片材
的共通层开口处形成用于遮挡屏下摄像区中无像素区域的遮挡区和用于支撑遮挡区的支撑网格，支撑网格分布于正常显示区的各个子像素之间，在蒸镀过程中能够有效去除屏下摄像区的有机材料和阴极材料，从而真正做到屏下摄像区的高穿透率，保证了屏下摄像显示屏的摄像效果，并且无需改变有机材料的特性，降低了屏下摄像显示屏的制作成本；另外，该共通金属掩膜版制作工艺简单易行，聚酰亚胺遮挡区和支撑网格的厚度薄、强度高，支撑网格细丝宽度和厚度均可达到微米级别，制作精度高，且不易断裂，使共通金属掩膜版使用寿命长，真空蒸镀精度高。
[0009]2.技术方案
[0010]为达到上述目的，本专利技术提供的技术方案为：
[0011]本专利技术的一种屏下摄像显示屏真空蒸镀用共通金属掩膜版制作工艺，包含以下步骤：
[0012]S1、制作金属掩模网片材；
[0013]S2、在金属掩模网片材的一面涂布液态的聚酰亚胺材料，烘干后在金属掩模网片材的一面形成聚酰亚胺膜层；
[0014]S3、在带有聚酰亚胺膜层的掩模网片材的两面分别涂布光敏材料，在掩模网片材的外侧面形成第一光阻层，在聚酰亚胺膜层的外侧面形成第二光阻层；
[0015]S4、对第一光阻层进行曝光和显影，通过蚀刻工艺在掩模网片材上形成共通层开口；并将掩模网片材外侧面残留的第一光阻层去除；
[0016]S5、根据屏下摄像区的子像素分布，对第二光阻层进行曝光和显影，通过蚀刻工艺在聚酰亚胺膜层上形成与屏幕子像素相对应的细密开口，在与共通层开口相对的聚酰亚胺膜层上形成用于遮挡屏下摄像区中无像素区域的遮挡区和用于支撑遮挡区的支撑网格，所述的支撑网格分布于正常显示区的各个子像素之间；并将聚酰亚胺膜层外侧面残留的第二光阻层去除。
[0017]更进一步地，在步骤S1中，所述的掩模网片材由金属卷材裁切而成。
[0018]更进一步地，在步骤S2中，所述的聚酰亚胺膜层的厚度≤20μm。
[0019]更进一步地，在步骤S5中，所述的支撑网格的细丝宽度≤20μm。
[0020]本专利技术的一种上述制作工艺制备的共通金属掩膜版，包括掩模网片材，所述的掩模网片材上设有若干共通层开口，所述的掩模网片材的一面设有覆盖在共通层开口上的聚酰亚胺膜层，所述的聚酰亚胺膜层上设有若干与屏幕子像素相对应的细密开口，使聚酰亚胺膜层上形成用于遮挡屏下摄像区中无像素区域的遮挡区和用于支撑遮挡区的支撑网格。
[0021]更进一步地，所述的聚酰亚胺膜层的厚度≤20μm。
[0022]更进一步地，所述的支撑网格的细丝宽度≤20μm。
[0023]3.有益效果
[0024]采用本专利技术提供的技术方案，与已有的公知技术相比，具有如下显著效果：
[0025](1)本专利技术的一种屏下摄像显示屏真空蒸镀用共通金属掩膜版制作工艺，其利用聚酰亚胺膜层在金属掩模网片材的共通层开口处形成用于遮挡屏下摄像区中无像素区域的遮挡区和用于支撑遮挡区的支撑网格，支撑网格分布于正常显示区的各个子像素之间，在蒸镀过程中能够有效去除屏下摄像区的有机材料和阴极材料，从而真正做到屏下摄像区的高穿透率，保证了屏下摄像显示屏的摄像效果，并且无需改变有机材料的特性，降低了屏
下摄像显示屏的制作成本；另外，该共通金属掩膜版制作工艺简单易行，聚酰亚胺遮挡区和支撑网格的厚度薄、强度高，支撑网格细丝宽度和厚度均可达到微米级别，制作精度高，且不易断裂，使共通金属掩膜版使用寿命长，真空蒸镀精度高；
[0026](2)本专利技术的一种屏下摄像显示屏真空蒸镀用共通金属掩膜版制作工艺，其掩模网片材上的共通层开口和聚酰亚胺膜层上的细密开口均采用蚀刻工艺形成，制作工艺成熟，且制作精度高；
[0027](3)本专利技术的一种屏下摄像显示屏真空蒸镀用共通金属掩膜版制作工艺，其掩模网片材由金属卷材裁切而成，能够根据具体需要设计掩模网片材的尺寸，取材方便，制作简单；
[0028](4)本专利技术的一种屏下摄像显示屏真空蒸镀用共通金属掩膜版制作工艺，其聚酰亚胺膜层的厚度≤20μm，支撑网格的细丝宽度≤20μm，共通金属掩膜版的制作精度高，制作的屏下摄像显示屏的显示效果好。
附图说明
[0029]图1为本专利技术的一种屏本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种屏下摄像显示屏真空蒸镀用共通金属掩膜版制作工艺，其特征在于，包含以下步骤：S1、制作金属掩模网片材(2)；S2、在金属掩模网片材(2)的一面涂布液态的聚酰亚胺材料，烘干后在金属掩模网片材(2)的一面形成聚酰亚胺膜层(3)；S3、在带有聚酰亚胺膜层(3)的掩模网片材(2)的两面分别涂布光敏材料，在掩模网片材(2)的外侧面形成第一光阻层(4)，在聚酰亚胺膜层(3)的外侧面形成第二光阻层(5)；S4、对第一光阻层(4)进行曝光和显影，通过蚀刻工艺在掩模网片材(2)上形成共通层开口(6)；并将掩模网片材(2)外侧面残留的第一光阻层(4)去除；S5、根据屏下摄像区(9)的子像素分布，对第二光阻层(5)进行曝光和显影，通过蚀刻工艺在聚酰亚胺膜层(3)上形成与屏幕子像素相对应的细密开口(7)，在与共通层开口(6)相对的聚酰亚胺膜层(3)上形成用于遮挡屏下摄像区(9)中无像素区域的遮挡区(3
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1)和用于支撑遮挡区(3
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1)的支撑网格(3
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2)，所述的支撑网格(3
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2)分布于正常显示区(8)的各个子像素之间；并将聚酰亚胺膜层(3)外侧面残留的第二光阻层(5)去除。2.根据权利要求1所述的一种屏下摄像显示屏真空蒸镀用共通金属掩膜版...
【专利技术属性】
技术研发人员：潘燕萍，熊超，
申请(专利权)人：江苏乐萌精密科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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