【技术实现步骤摘要】
本专利技术一般来说涉及半导体存储器。更具体地说，本专利技术涉及一种用于测试诸如动态随机存取存储器(DRAM)和同步型DRAMs的半导体存储器以找出其缺陷和/或测量存储器参数以便于该存储器的优化的方法和装置。在现时的DRAMs的质量控制过程中，通过对存储单元写入数据模式(patterns)并然后从该存储单元将其读出以验证数据能被精确地存储和检索，对每个存储器块进行测试，以发现缺陷。以这种方式可以鉴别在特定的单元、单元组、总线、读出放大器等内的各种缺陷。对于具有小的特征尺寸的高密度的DRAMs，还希望测量诸如单元信号电平的某些参数以便于该存储器的优化。一个DRAM单元包括一个晶体管和一个用于存储一位数据的电容器。当该晶体管被激活时，对该电容器进行访问，以便对其写入数据或从其读出数据。在典型情况下，将多个存储单元配置成行和列，以形成存储器阵列。一般将行称为字线，将列称为位线。一个或多个这种阵列可组成DRAM集成电路(IC)或芯片。已知DRAM单元的一种配置的一个例子为折叠位线结构。在这种结构中，将位线以对来分组，将每个对连接到读出放大器上。将一条位线称为位线原码，...
【技术保护点】
一种测试具有多个配置成行和列的存储单元和多个分别对共同的行或列的存储单元信号进行放大的读出放大器的半导体存储器的方法，所述方法的特征在于，包括下述步骤：ａ）将一个电压电平写入所述存储单元的至少一个目标单元中；ｂ）将与该目标单元连接的 字线激活，其后将该字线去激活，由此来改变存储在该单元中的电压电平，并防止相关的读出放大器在该字线被激活时对该单元进行刷新；ｃ）通过加上测试位线电压来对与该单元连接的位线充电；以及ｄ）在将相关的读出放大器设置成允许状态的情况下，从该目 标单元读出数据。
【技术特征摘要】
US 1998-3-30 60/0798211．一种测试具有多个配置成行和列的存储单元和多个分别对共同的行或列的存储单元信号进行放大的读出放大器的半导体存储器的方法，所述方法的特征在于，包括下述步骤a)将一个电压电平写入所述存储单元的至少一个目标单元中；b)将与该目标单元连接的字线激活，其后将该字线去激活，由此来改变存储在该单元中的电压电平，并防止相关的读出放大器在该字线被激活时对该单元进行刷新；c)通过加上测试位线电压来对与该单元连接的位线充电；以及d)在将相关的读出放大器设置成允许状态的情况下，从该目标单元读出数据。2．如权利要求1中所述的方法，其特征在于防止相关的读出放大器进行刷新这一点包括禁止设置该相关的读出放大器。3．如权利要求1中所述的方法，其特征在于还包括下述步骤e)用步骤(d)中的不同的位线电压至少重复步骤(b)至(d)。4．如权利要求3中所述的方法，其特征在于还包括下述步骤对于各个位线电压将步骤(d)中读出的数据与在步骤(a)中写入到该单元中的电压电平进行比较。5．如权利要求1中所述的方法，其特征在于还包括在步骤(b)中的激活字线之前用参照预充电电压对连接到目标单元的位线进行预充电。6．如权利要求5中所述的方法，其特征在于所述预充电电压约为VDD/2，其中VDD是该存储器的逻辑高电压电平。7．如权利要求1中所述的方法，其特征在于所述存储器包括动态随机存取存储器(DRAM)。8．如权利要求1中所述的方法，其特征在于还包括确定何时在步骤(d)中读出的数据反转逻辑状态和记录测试位线电压，该测试位线电压引起输出逻辑状态反转状态，以便能根据该测试位线电压与预定的预充电电压之间的差来确定在该存储器的正常工作期间内的单元信号。9．如权利要求1中所述的方法，其特征在于将所述激活和去激活字线的步骤进行多次，由此进一步改变存储在该目标单元中的电压。10．如权利要求9中所述的方法，其特征在于还包括通过将用一次的字线的激活/去激活测量的单元信号电平与用至少二次该字线的的激活/去激活确定的单元信号电平进行比较来确定位线间的电容。11．如权利要求1中所述的方法，其特征在于还包括对不同的字线电压重复步骤(a)至(d)。12．如权利要求2中所述的方法，其特征在于还包括在禁止相关的读出放大器的工作之前刷新目标单元的步骤。13．如权利要求1中所述的方法，其特征在于所述将数据写入到至少一个目标单元的步骤包括将第1模式写入到多个目标单元中；以及所述方法还包括将不同于所述第1模式的第2模式写入到所述目标单元中，并重复所述禁止、读出和启动步骤，然后根据对于所述第1和第2模式读出的数据来确定在相邻的位线间的位线耦合。14．如权利要求13中所述的方法，其特征在于所述第1模式包括写入到与相邻的位线连接的至少第1、第2和第3单元中的全部0或全部1，所述第2模式包括写入到所述第2单元中的第1逻辑电平和写入到所述第1和第3单元中的第2逻辑电平。15．如权利...
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