P沟道电可擦可编程只读存储器的编程方法技术

一种Ｐ沟道电可擦可编程只读存储器（ＥＥＰＲＯＭ）的编程方法，所述ＥＥＰＲＯＭ具有Ｎ井、浮置闸、控制闸、Ｐ型源极区、Ｐ型漏极区，以及耦接于所述漏极区与位线之间的选择晶体管，该方法包括：　　　　使所述Ｎ井接地；　　　　在所述控制闸上施加第一正电压；　　　　在所述源极区上施加一第二正电压或编程电流；　　　　在所述位线上施加第一负电压，并开启所述选择晶体管以将所述第一负电压传到所述漏极区上；其中　　　　由所述第二正电压或所述编程电流造成的顺向偏压，用以开启由所述源极区、所述漏极区与所述Ｎ井所构成的寄生双载子晶体管，且所述漏极区与所述井间的逆向偏压足以导致所述源极区与所述漏极区间产生电子流，以注入所述浮置闸中。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体组件的操作方法。特别是，本专利技术涉及一种P沟道电可擦可编程只读存储器(EEPROM)的编程方法。
技术介绍
由于电可擦可编程只读存储器(EEPROM)可在无电源供应时保存资料、存取速度快、质量轻容量大、以及存取装置体积小等优点，故已渐渐成为携带式记忆媒体的主流产品之一。早期的EEPROM是由N型晶体管所构成，并以沟道热电子注入法(Channel Hot Electron Injection，CHEI)进行编程。不过，由于沟道热电子注入法的电子注入效率很低，所以近来有很多人提出P沟道EEPROM的结构，其是以频带间穿隧热电子注入法(Ban d-To-Band Tunneling Hot Electron Injection，BTBTHEI)进行编程，其优点是电子注入效率比沟道热电子注入法高出约两个数量级，因而加快编程的速度。图1是传统BTBTHEI方法编程P沟道EEPROM的示意图，该P沟道EEPROM包含N井100、浮置闸110、控制闸120、选择闸130、P型源极区140、P型漏极区150，以及与位线耦接的P型掺杂区160。此编程操作是在位线/P型掺杂本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种P沟道电可擦可编程只读存储器(EEPROM)的编程方法，所述EEPROM具有N井、浮置闸、控制闸、P型源极区、P型漏极区，以及耦接于所述漏极区与位线之间的选择晶体管，该方法包括使所述N井接地；在所述控制闸上施加第一正电压；在所述源极区上施加一第二正电压或编程电流；在所述位线上施加第一负电压，并开启所述选择晶体管以将所述第一负电压传到所述漏极区上；其中由所述第二正电压或所述编程电流造成的顺向偏压，用以开启由所述源极区、所述漏极区与所述N井所构成的寄生双载子晶体管，且所述漏极区与所述井间的逆向偏压足以导致所述源极区与所述漏极区间产生电子流，以注入所述浮置闸中。2.如权利要求1所述的P沟道电可擦可编程只读存储器(EEPROM)的编程方法，其特征在于，所述第一正电压为5V～6V。3.如权利要求1所述的P沟道电可擦可编程只读存储器(EEPROM)的编程方法，其特征在于，所述第一负电压为-3V～-5V。4.如权利要求1所述的P沟道电可擦可编程只读存储器(EEPROM)的编程方法，其特征在于，所述选择晶体管之一闸极上施加有一第二负电压，且该第二负电压为-4V～-6V。5.如权利要求1所述的P沟道电可擦可编程只读存储器(EEPROM)的...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈建宏，黄水钦，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：