激活由行地址启动的字线段的方法和半导体存储器件技术

一种用于激活基于提供给存储器的行地址而选择的半导体存储器的字线段的方法，包括：激活由行地址和命令类型选择的第一字线段；以及避免激活由行地址选择的第二字线段。还公开了相关器件。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种存储器件，更具体地，涉及存储器件中的字线解码。
技术介绍
随机存取存储器(RAM)通常可分为动态RAM(DRAM)或静态RAM(SRAM)。由于SRAM比DRAM更昂贵(但更快)，因此可以将SRAM用作快速、小尺寸的外部或内部高速缓冲存储器件。可以将DRAM用作可在相对低速下工作(与高速缓冲存储器件相比)的常规存储器件。DRAM是一种当电源被切断时丢失数据的易失性存储器件。随着时间的推移积累的电荷(用于存储数据)会减少，于是即使维持电源也会丢失存储的数据。因此，众所周知的是，利用控制电路定期地“刷新”存储器以维持存储的数据。DRAM中的功耗也是非常重要的因数。因此，众所周知的是，降低由存储器消耗的电流的量。图1是具有字线激活结构的常规半导体存储器件的方框图。参照图1，DRAM包括多个子存储单元阵列40a、40b、40c和40d。每个子存储单元阵列40a、40b、40c和40d包括多条字线(部分示出)，多条位线对(未示出)和多个存储单元(未示出)。存储单元位于字线和位线的交叉点。读出放大器50a、50b、50c和50d位于平行于位线的子存储单元阵列40a、40b、本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于激活基于提供给存储器的行地址而选择的半导体存储器的字线段的方法，包括：激活由行地址和命令类型选择的第一字线段；以及避免激活由所述行地址选择的第二字线段。

【技术特征摘要】
KR 2003-9-26 66984/031.一种用于激活基于提供给存储器的行地址而选择的半导体存储器的字线段的方法，包括激活由行地址和命令类型选择的第一字线段；以及避免激活由所述行地址选择的第二字线段。2.根据权利要求1的方法，其中，所述命令类型指定对耦合至所述第一字线段的存储单元的存取。3.根据权利要求1的方法，其中，所述命令类型包括指定对耦合至所述第一字线段的存储单元的存取的局部激活指令。4.根据权利要求3的方法，其中，所述局部激活指令包括用于选择所述第一字线段的第一局部激活指令和用于选择所述第二字线段的第二局部激活指令。5.根据权利要求1的方法，其中，所述行地址包括识别所述命令类型所指向的存储单元的整个行地址。6.根据权利要求1的方法，其中，所述激活包括激活由行地址和命令类型选择的第一字线段，其中，所述命令类型基于/CS、/RAS、/CAS和/WE信号的组合。7.根据权利要求6的方法，其中，避免激活由行地址选择的第二字线段的步骤包括如果所述命令类型包括局部激活指令，则避免激活所述第二字线段；以及其中，所述方法进一步包括如果所述命令类型包括全激活指令，则激活由行地址选择的第二字线段。8.一种用于激活基于提供给存储器的行地址而选择的半导体存储器的字线段的方法，包括解码指令信号以提供用于存储器的局部激活指令，其中，所述局部激活指令选择多个子字线驱动器中的一个子字线驱动器；解码行地址以将写入线启动信号提供给耦合至存储器的多个字线段的多个子字线驱动器；以及基于所述写入线启动信号和局部激活指令，激活多个子字线驱动器中的一个子字线驱动器。9.根据权利要求8的方法，其中，解码指令信号的步骤还包括解码所述指令信号以提供用于存储器的全激活指令，其中，所述全激活指令选择多个子字线驱动器中的两个或更多的子字线驱动器。10.根据权利要求8的方法，其中，所述行地址包括识别指令所指向的存储单元的整个行地址。11.根据权利要求8的方法，其中...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴旼相，李姷林，张星珍，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]