低工作电压驱动的电荷泵电路制造技术

一种低工作电压驱动的电荷泵电路，该电路包括Ｎ个ＭＯＳ管以及Ｎ个电容，Ｎ个ＭＯＳ管以及Ｎ个电容构成一倍压升压电路，其中，Ｎ个电容均采用ＭＯＳ管的源漏极并接后与栅极之间的极间电容为升压电容，在该电路的输入端中，一端为低压电源输入端，另二端分别由两个非交叠的反相驱动时钟信号驱动，其特征在于：所述Ｎ个用于整流的ＭＯＳ管中，靠近低压输入端的数级ＭＯＳ管仍采用增强型管，其余的ＭＯＳ管选用耗尽型管。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及供电可编程只读存器工作的电源，更具体地指一种低工作电压驱动的电荷泵电路。
技术介绍
在电可编程只读存储器(EEPROM)电路中，需要高达16V以上的编程电压，在以工作电压为2.5V以上的EEPROM电路中，有各种形式的电荷泵高压产生电路。如图1所示的电荷泵电路，在该电荷泵电路中，由n个MOS管以及n个电容构成一倍压电路，其中n个MOS管均采用增强型管，即为NMOS管，n个电容也均采用了MOS管来替代，利用其极间电容。在串联的升压整流n个MOS管中，因为有MOS管阈值电压的存在，必然会引起电压损耗及转换效率。若工作电压进一步降低时，如工作电压为小于2.5V，电荷泵的效率很低，所需驱动时钟频率很高，此时电荷泵高压产生电路的功耗较大，甚至还达不到电可编程只读存储器所需较高的编程电压，多年来这一问题始终困扰着业界人士。
技术实现思路
本专利技术的目的是针对传统的电荷泵电路存在上述缺点，提供了一种转换效率高，能适合低工作电压驱动的电荷泵电路。为了实现上述目的，本专利技术采用如下技术方案该低工作电压驱动的电荷泵电路包括N个MOS管以及N个电容，N个MOS管以及N个电容构成一倍压升压本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种低工作电压驱动的电荷泵电路，该电路包括N个MOS管以及N个电容，N个MOS管以及N个电容构成一倍压升压电路，其中，N个电容均采用MOS管的源漏极并接后与栅极之间的极间电容为升压电容，在该电路的输入端中，一端为低压电源输入端，另二端分别由两个非交叠的反相驱动时钟信号驱动，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：李向宏，
申请(专利权)人：上海贝岭股份有限公司，
类型：发明
国别省市：