【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种半导体存储器件，包括： 存储阵列，包括多个非易失性存储单元的块，其中每个存储单元的块包括多条字线，每条字线连接到所述块中的非易失性存储单元的行；以及 高电压产生单元，用于产生施加于所述存储阵列以执行擦除、编程和读取操作的不同恒定电压； 其中，所述高电压产生单元包括：第一电压产生电路，其选择性地响应于第一控制信号而产生编程通过电压Ｖｐａｓｓ，或响应于第二控制信号而产生读取电压Ｖｒｅａｄ，其中所述编程通过电压在编程操作期间公共地施加于存储块的未被选择的字线，所述读取电压在编程验证操作期间公共地施加于存储块的未被选择的字线。
【技术特征摘要】
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