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提供用于操作非易失性半导体存储器件的高电压产生电路和方法，与诸如快闪存储器之类的非易失性存储器一起使用，其用于选择性地产生不同类型的控制电压，以用于非易失性存储器件的各种操作模式。...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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