升压电路制造技术

本发明专利技术提供一种可有效降低消耗电流的升压电路。在该升压电路中，将多个泵电路（１１２、１１４、１１６）串联连接，并利用从泵控制电路（１０７）输出的泵控制信号ＣＬＫＡ、ＣＬＫＢ在各泵电路（１１２、１１４、１１６）中将输入到各个泵电路中的信号的电压升压，由此来产生需要的升压电压ＶＷＬ，具有根据指示升压电路的动作的信号ＳＡＥＮＤ和ＭＰＭＰＥＮＮ，产生泵激活信号ＰＭＰＥＮＮ的激活控制电路（１０４），泵控制电路（１０７）根据泵激活信号ＰＭＰＥＮＮ的电压，来进行泵控制信号ＣＬＫＡ、ＣＬＫＢ的输出控制。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及升压电路，特别涉及产生向非易失性半导体存储器件的字 线拔 映的升压电压的升压电路。
技术介绍
可电写入/擦除的非易失性半导体存储器件(EEPROM)使用浮栅型 晶体管作为存储单元。因此，在从存储单元读出数据时等，为了对存储单 元进行访问，需要向与存储单元连接的字线提供比电源电压高的高电压。 作为产生该高电压的电路，有升压电路。作为升压电路，例如有以下文献 所公开的电路。专利文献l:日本特开2005-339658号 >才艮上述文献所公开的是电荷泵(charge pump)电路，其中，将电容的 一端分别连接在构成电荷传送电路的多个晶体管之间，将由时钟发生电路 产生的第1时钟提供给配置在奇数级的电容的另一端，将与第1时钟>^相 的第2时钟提供给配置在偶数级的电容的另一端。通过这样做，进行依次 升压而得到所希望的升压电压。近年来，非易失性半导体存储器件被使用在各种电子设备中，例如在 应用于依靠电池来工作的移动设备中的情况下，也要求降低非易失性半导 体存储器件的功耗。但是，在以往的升压电路中，特别是在非易失性半导 体存储器件中使用的升压电路中，不具备使升压电路中的消本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种升压电路，其中串联连接有多个泵电路，通过利用从泵控制电路输出的泵控制信号在各泵电路中对输入到各个泵电路中的信号的电压进行升压，来产生需要的升压电压，其特征在于，　　　　具有激活控制电路，该激活控制电路根据指示上述升压电路的动作的信号，产生泵激活信号，　　　　上述泵控制电路根据上述泵激活信号的电压电平进行上述泵控制信号的输出控制。

【技术特征摘要】
JP 2006-7-28 2006-2056781.一种升压电路，其中串联连接有多个泵电路，通过利用从泵控制电路输出的泵控制信号在各泵电路中对输入到各个泵电路中的信号的电压进行升压，来产生需要的升压电压，其特征在于，具有激活控制电路，该激活控制电路根据指示上述升压电路的动作的信号，产生泵激活信号，上述泵控制电路根据上述泵激活信号的电压电平进行上述泵控制信号的输出控制。2. 根据权利要求l所述的升压电路，其特征在于， 指示上述升压电路的动作的信号是许可升压电路的动作的泵激活许可信号、和指示读出放大器的动作的信号，上述激活控制电路根据该许可 信号和指示该读出放大器的动作的信号的各个电压电平的组合，来控制泵 激活信号的产生。3. 根据权利要求1或2所述的升压电路，其特征在于， 上述激活控制电路基于指示上述升压电...

【专利技术属性】
技术研发人员：宫崎浩一，松井克晃，
申请(专利权)人：冲电气工业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]