多级存储器的编程方法技术

本发明专利技术涉及一种对一多级存储芯片进行编程的方法（图１）。该方法包括通过逐渐增加电压（３０）的多个编程脉冲（Ｐ；４０－４７）与多个交替核实脉冲（Ｖ；５０－５７）对存储芯片由其第一或最低的电压存储状态（１１）至倒数第二电压存储状态（０１）进行编程；而对所述存储芯片的最后或最高电压存储状态（００）的编程，则是通过具有临界电压相等于存储单元最高电压存储状态编程所需电压的一编程脉冲（６０）进行。所述的编程方法不仅对所述存储单元的中间存储状态（１０，０１）编程提供编程所需的准确性而且加快对所述存储单元的最后存储状态（００）编程的速度，因而加快所述存储单元的整体编程速度。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体存储器，更具体地说涉及一种对多存储状态的存储器进行编程的方法。
技术介绍
在半导体存储器发展中遇到的一个主要问题是使资料存储密度达至最大，即每单位面积可存储多少比特的资料。一般而言，最好是所开发的存储芯片有最小的外形尺寸，但可存储最大量的资料。这导致开发出的存储芯片可以在单一存储单元之中存储多比特的资料，该芯片亦称为多级存储芯片。在一般每一存储单元的容量为一比特的存储器中，该存储单元可处于两种信息存储状态之一，即一接通状态或一断开状态。这一接通状态或一断开状态的组合定为一比特的信息。在两级的存储器中，由于该存储单元只有两个不同的临界电压值，Vt，因此在读取操作期间，只需检测是否编址晶体管处于导通状态。一般的做法是，使流过存储晶体管的电流与流过参考晶体管的电流比较，两者均加以预定的漏极对源极和栅极对源极偏压，直接以通过电流方式检测或者经电流对电压转换后，以电压方式检测。多级存储器的编程和检测方案是较为复杂，通常需要2n-1参考电压，其中n是存储在一存储单元的比特的数量。参照图4，其所示为先有技术的一多级存储器实例，其中每一存储单元的容量为二比特；其所对应的为三参本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种对多级存储器进行编程的方法，其包括以下步骤：把多个编程脉冲施加于一存储器的存储单元集上，以便把一定数量的电荷加在每一所述存储单元的浮动栅极上，所述的编程脉冲的电压逐渐地增加，以增加所述浮动栅极上的电荷，直到所述浮动栅极上的电荷相等于相应于所述存储单元的一目标存储状态的电荷；把多个核实脉冲施加于所述的存储单元集上，所述的每一核实脉冲以交替方式在施加所述的每一编程脉冲以后施加，其中所述存储单元集由一存储单元的第一子集以及一存储单元的第二子集组成，第一子集具有第一目标存储状态，该第一目标存储状态相等于所述存储单元有一最多电荷的一最高存储电压状态；而在第二子集中，每一存储单元有各自比最高存储电压状...

【技术特征摘要】
US 2002-7-2 10/190,3741.一种对多级存储器进行编程的方法，其包括以下步骤把多个编程脉冲施加于一存储器的存储单元集上，以便把一定数量的电荷加在每一所述存储单元的浮动栅极上，所述的编程脉冲的电压逐渐地增加，以增加所述浮动栅极上的电荷，直到所述浮动栅极上的电荷相等于相应于所述存储单元的一目标存储状态的电荷；把多个核实脉冲施加于所述的存储单元集上，所述的每一核实脉冲以交替方式在施加所述的每一编程脉冲以后施加，其中所述存储单元集由一存储单元的第一子集以及一存储单元的第二子集组成，第一子集具有第一目标存储状态，该第一目标存储状态相等于所述存储单元有一最多电荷的一最高存储电压状态；而在第二子集中，每一存储单元有各自比最高存储电压状态小的第二目标存储状态的；确定已对在所述第二子集中的每一存储单元完成各自的第二目标电压存储状态编程；以及把一最大编程电压脉冲施加于所述存储单元的第一子集的每一存储单元上，其中所述最大编程电压脉冲相等于一可使所述存储单元达到第一目标存储状态的临界电压。2.根据权利要求1所述的多级存储器编程方法，其特征在于所述存储单元第二子集已达到各自的第二目标电压存储状态的确定步骤包括提供多I/O控制电路，其中每一I/O控制电路与所述存储单元集的各自存储单元连接；提供在多I/O控制电路与存储器的一存储控制器之间连接的多信号线；把自与存储单元的第一子集的一存储单元连接的每一I/O控制电路来的第一信号发送到第一信号线，以表示所述存储单元将需为达到第一目标电压存储状态而注入电荷；以及把自与存储单元的第二子集的一存储单元连接的每一I/O控制电路来的第二信号，当所述存储单元达到各自第二目标电压存储状态的时侯，发送到第一信号线，以表示完成对所述存储单元的编程。3.根据权利要求2所述的多级存储器编程方法，其特征在于所述的方法还包括在把最大编程脉冲施...

【专利技术属性】
技术研发人员：DI马尼亚，
申请(专利权)人：爱特梅尔公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]