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本发明涉及一种对一多级存储芯片进行编程的方法（图１）。该方法包括通过逐渐增加电压（３０）的多个编程脉冲（Ｐ；４０－４７）与多个交替核实脉冲（Ｖ；５０－５７）对存储芯片由其第一或最低的电压存储状态（１１）至倒数第二电压存储状态（０１）进行编程...
该专利属于爱特梅尔公司所有，仅供学习研究参考，未经过爱特梅尔公司授权不得商用。

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