磁隧道结器件以及用于所述器件的写/读方法技术

本发明专利技术的器件顺序包括第一电极（１２）、磁参考层（１）、隧道势垒（３）、磁存储层（４）、以及第二电极（１３）。至少一个第一热障设置在该存储层（４）与该第二电极（１３）之间且由热导率小于５Ｗ／ｍ／℃的材料制成。第二热障可由布置在该第一电极（１２）与该参考层（１）之间的层构成。所述方法的写阶段包括电流（Ｉ１）从存储层（４）向参考层（１）穿过隧道结的流动，而所述读阶段包括电流沿相反方向的流动。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种磁器件，顺序包括-第一电极；-磁隧道结，其顺序包括形成参考层且具有固定磁化的第一磁层、形成隧道势垒的电绝缘层、以及形成存储层且具有可翻转方向的磁化的第二磁层；-中间层，-以及第二电极。
技术介绍
文献FR 2832542描述了具有磁隧道结的磁器件以及使用该器件读和写的方法。如图1所示，隧道结顺序包括形成参考层1且具有固定磁化2的第一磁层、形成隧道势垒(tunnel barrier)3的电绝缘层、以及形成存储层4且具有如图1中双向箭头所示的可翻转方向的磁化5的第二磁层。存储层4的可翻转方向的磁化5能相对于参考层1的固定磁化2定向使得磁化平行或反平行。存储层4的磁化的截止温度(blocking temperature)低于参考层1的截止温度。该器件还包括电流源6、开关7、以及施加磁场到存储层从而相对于参考层1的磁化2定向存储层4的磁化5而不更改参考层1的磁化2的取向的装置(未示出)。在写阶段，即在通过应用外磁场而磁化存储层4的阶段，使电流I流过隧道结从而加热存储层4高于其磁化5的截止温度。在读阶段，存储层4的磁化5相对于参考层1的磁化的取向通过磁隧道结的电阻被测量，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种磁器件，顺序包括：　　　　－第一电极（１２）；　　　　－磁隧道结，其顺序包括形成参考层且具有固定磁化（２）的第一磁层（１）、形成隧道势垒（３）的电绝缘层、以及形成存储层且具有可翻转方向的磁化（５）的第二磁层（４）；　　　　－中间层（１４）；　　　　－以及第二电极（１３），　　　　器件的特征在于所述中间层（１４）构成由具有低于５Ｗ／ｍ／℃的热导率的材料形成的第一热障。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】FR 2003-10-10 03118971.一种磁器件，顺序包括-第一电极(12)；-磁隧道结，其顺序包括形成参考层且具有固定磁化(2)的第一磁层(1)、形成隧道势垒(3)的电绝缘层、以及形成存储层且具有可翻转方向的磁化(5)的第二磁层(4)；-中间层(14)；-以及第二电极(13)，器件的特征在于所述中间层(14)构成由具有低于5W/m/℃的热导率的材料形成的第一热障。2.如权利要求1所述的器件，其特征在于第二热障由布置在所述第一电极(12)与所述第一磁层(1)之间的层(15)形成。3.如权利要求1和2之一所述的器件，其特征在于所述第一和/或第二热障的材料具有使热障的电阻显著低于隧道势垒(3)的电阻的电导率。4.如权利要求1至3的任一项所述的器件，其特征在于所述第一和/或第二热障的材料包括至少一种合金，该至少一种合金包括选自砷、锑、铋、锗、锡和铅的至少一种元素且包括选自硫、硒、碲、铝、镓、铟和铊的至少一种元素。5.如权利要求1至3的任一项所述的器件，其特征在于所述第一和/或第二热障的材料包括至少一种合金，该至少...

【专利技术属性】
技术研发人员：伯纳德迪尼，里卡多索萨，达纳斯塔尼斯库，
申请(专利权)人：原子能委员会，
类型：发明
国别省市：FR[法国]