改进的磁性切换制造技术

本发明专利技术提供一种具有改进的切换特性的磁阻设备和操作方法。通过磁阻片的各片端的局部磁性方向朝着对准该片的难磁化轴的平行旋转，促进该片的磁性层的磁性方向的切换。因此，在一个实施例，通过例如改变片形状或者进行掺杂来扩大各片端的难磁化轴磁容量，以支持难磁化轴磁化。还提供一种方法，该方法施加难磁化轴磁场到各片端以用于启动切换，以及施加易磁化轴磁场以用于完成切换。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术总体涉及磁存储器，更具体而言，涉及磁阻存储器元件。
技术介绍
巨磁阻(GMR)效应的发现已经导致大量基于自旋的电子装置的发展。在由铁磁层和非磁性层交替配置而成的某些薄膜装置中观测到该GMR效应。在典型的装置中，铁磁层的磁性方向的相对指向限定该装置的二元状态。当铁磁层的磁性方向为平行指向时，该装置两端的电阻通常最低，而当磁性方向为反平行指向时，该装置的电阻最高。一种GMR装置通常被称为“自旋阀(spin valve)”。包括自旋阀的GMR装置能够被用作磁性随机存取存储器(MRAM)装置中的数据存储元件。关于这一点，GMR装置的示例性MRAM应用在以下美国专利中得以描述No.6,147,922；6,175,525；6,178,111；以及6,493,258。所有这些专利文献在此被引用以作为参考。自旋阀通常包括两个铁磁层，这两个铁磁层由非磁性金属(通常为铜)的薄层隔开，该自旋阀还包括反铁磁层，该反铁磁层“钉牢(pin)”其中一个铁磁层的磁化方向。图1a从侧面示出(以简化形式)典型的自旋阀10中的各层。如图1a所示，自旋阀10包括由非磁性层16隔开的铁磁层12和14。在一种典型本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种磁阻（ＭＲ）片，包括：夹在两个磁性层之间的非磁性层，每个磁性层包括：第一片端，其具有扩大的磁容量，以用于支持沿着该ＭＲ片的难磁化轴的第一片端磁化；第二片端，其具有扩大的磁容量，以用于支持沿着该ＭＲ片的难磁化轴的第 二片端磁化；以及拉长主体，其互连第一和第二片端，以用于支持沿着该ＭＲ片的易磁化轴的主体磁化。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US 2004-1-10 10/754,9951.一种磁阻(MR)片，包括夹在两个磁性层之间的非磁性层，每个磁性层包括第一片端，其具有扩大的磁容量，以用于支持沿着该MR片的难磁化轴的第一片端磁化；第二片端，其具有扩大的磁容量，以用于支持沿着该MR片的难磁化轴的第二片端磁化；以及拉长主体，其互连第一和第二片端，以用于支持沿着该MR片的易磁化轴的主体磁化。2.根据权利要求1所述的MR片，其中，第一和第二片端均具有沿着易磁化轴的不对称性。3.根据权利要求2所述的MR片，其中，所述不对称性是“C形”不对称性。4.根据权利要求2所述的MR片，其中，所述不对称性是“S形”...

【专利技术属性】
技术研发人员：RR卡蒂，
申请(专利权)人：霍尼韦尔国际公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]