用于在磁阻存储器件编程期间进行有源场补偿的方法和装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种磁阻存储元件（１０）的阵列（２０）。阵列（２０）包括：用于施加电流或电压的装置，所述电流或电压用于在被选磁阻存储元件（１０ｓ）处产生编程磁场；用于测量被选磁阻存储元件（１０ｓ）附近的外部磁场的磁场传感器单元（５０）；以及用于调整电流或电压的装置（５２），所述电流或电压用于在编程操作期间局部地补偿所测量到的外部磁场。本发明专利技术还提供一种相应的方法。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种在磁阻存储器件如MRAM器件的编程期间对存在的外部磁场提供补偿的方法和装置。磁性或磁阻随机存取存储器(MRAM)目前被很多公司看作是闪速存储器的继承品。它有潜力来代替除最快的静态RAM(SRAM)存储器之外的所有RAM存储器。这就使得MRAM非常适合于作为片上系统(SoC)的嵌入式存储器。它是一种非易失性存储器(NVM)器件，这意味着不需要能量来维持被存储的信息。这被看作是优于其他绝大多数类型的存储器的优点。MRAM存储器可以特别用于“移动”应用，例如智能卡、移动电话、PDA等。MRAM概念最早是由美国Honeywell公司发展起来的，它使用磁性多层器件中的磁化方向作为信息存储，而得到的电阻差用于信息读取。至于所有存储器件，MRAM阵列中的每个存储元件必须能存储表示“1”或“0”的至少两个二元状态。存在不同种类的磁阻(MR)效应，其中巨型磁阻(GMR)和隧道磁阻(TMR)目前是最重要的。GMR效应和TMR效应提供实现只添加(a.o.)非易失性磁性存储器的可能性。这些器件包括薄膜叠层，其中至少两层薄膜是铁磁体或亚铁磁体，并且由非磁性中间层分开。GMR是用于具有导本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种磁阻存储元件（１０）的阵列（２０），包括：用于施加电流或电压以在被选磁阻存储元件（１０ｓ）处产生编程磁场的装置，用于测量所述被选磁阻存储元件（１０ｓ）附近的外部磁场的磁场传感器单元（５０），以及用于调整所述电流或电压以在编程操作期间局部地补偿所测量到的外部磁场（５２）的装置。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】EP 2003-11-24 03104338.31.一种磁阻存储元件(10)的阵列(20)，包括用于施加电流或电压以在被选磁阻存储元件(10s)处产生编程磁场的装置，用于测量所述被选磁阻存储元件(10s)附近的外部磁场的磁场传感器单元(50)，以及用于调整所述电流或电压以在编程操作期间局部地补偿所测量到的外部磁场(52)的装置。2.根据权利要求1所述的阵列，其中所述磁场传感器单元(50)是模拟传感器单元。3.根据权利要求1所述的阵列，其中所述磁场传感器单元包括多个磁场传感器(50)。4.根据权利要求1所述的阵列(20)，其中所述用于施加电流或电压的装置包括至少一条电流线(14、15)和用于使电流(Ibit，Iword)流过所述至少一条电流线的装置。5.根据权利要求1所述的阵列(20)，其中所述磁场传感器单元(50)适于产生表示测量到的所述外部磁场的输出信号(51)。6.根据权利要求4所述的阵列(20)，其中所述用于调整所述电流或电压的装置(52)包括用于强制补偿电流(Icomp_b和Icomp_w)流过所述至少一条电流线(14、15)的补偿电路。7.根据权利要求6所述的阵列(20)，其中所述补偿电路还在所...

【专利技术属性】
技术研发人员：汉斯MB贝维，
申请(专利权)人：NXP股份有限公司，
类型：发明
国别省市：NL[荷兰]