用于磁存储器的数据保持指示器制造技术

本发明专利技术提供一种磁阻存储器元件（１０）阵列（２０），它配备了至少一个数据保持指示器器件（５０）。该至少一个数据保持指示器器件（５０）包括第一磁性元件（５１）和第二磁性元件（５２），这两个磁性元件中每个都有预置的磁化方向，所述第一和第二磁性元件（５１，５２）的预置磁化方向互不相同。所述第一和第二磁性元件（５１，５２）适合于将它们的磁化方向对准超过检测门限值的外加磁场的磁力线。根据本发明专利技术，选择至少一个数据保持指示器器件（５０）中的参数，从而设置要检测的外加磁场的检测门限值。该至少一个数据保持指示器器件（５０）具有指示所述阵列（２０）的磁阻存储器元件（１０）暴露在所述外加磁场中的状态或输出。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及磁存储器，例如磁阻随机存取存储器(MRAM)，更具体地说，涉及一种方法和一种器件用来指示这种磁存储器的数据保持，从而指示无差错磁存储器性能。
技术介绍
目前，磁性或磁阻随机存取存储器(MRAM)被许多公司看作快闪存储器的替代品。除最快的静态RAM(SRAM)以外，它具有替代所有存储器的潜力。这使得MRAM非常适合作为片上系统(SoC)的嵌入式存储器。它是一种非易失性的存储器(NVM)器件，这意味着保持存储的信息不需要任何电力。相对于大多数其它类型的存储器来说，这一点被看作是一个优点。MRAM存储器尤其是能够用于“移动”应用上，例如智能卡、移动电话、PDA等。MRAM概念最初是在美国的Honeywell公司发展起来的，它将磁性多层器件中的磁化方向用作信息存储器，而将得到的电阻差用于读出信息。与所有的存储器器件一样，MRAM阵列中的每个存储器元件都必须能够保存代表“1”或“0”的至少两个二进制状态。存在不同种类的磁阻(MR)效应，其中巨型磁阻(GMR)和隧道磁阻(TMR)是目前最重要的。GMR效应和TMR效应提供了实现只添加(a.o.)非易失性磁存储器的可能性。这些器件本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种磁阻存储器元件（１０）阵列（２０），提供有至少一个数据保持指示器器件（５０），该器件（５０）包括第一磁性元件（５１）和第二磁性元件（５２），每个磁性元件都有预置的磁化方向，所述第一和第二磁性元件（５１，５２）的预置磁化方向互不相同，所述第一和第二磁性元件（５１，５２）适合于将它们的磁化方向对准超过检测门限值的外加磁场的磁力线，其中选择所述至少一个数据保持指示器器件（５０）的参数，从而设置要检测的所述外加磁场的所述检测门限值，该至少一个数据保持指示器器件（５０）具有指示所述阵列（２０）的磁阻存储器元件（１０）暴露在所述外加磁场中的状态或输出。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】EP 2003-11-24 03104341.71.一种磁阻存储器元件(10)阵列(20)，提供有至少一个数据保持指示器器件(50)，该器件(50)包括第一磁性元件(51)和第二磁性元件(52)，每个磁性元件都有预置的磁化方向，所述第一和第二磁性元件(51，52)的预置磁化方向互不相同，所述第一和第二磁性元件(51，52)适合于将它们的磁化方向对准超过检测门限值的外加磁场的磁力线，其中选择所述至少一个数据保持指示器器件(50)的参数，从而设置要检测的所述外加磁场的所述检测门限值，该至少一个数据保持指示器器件(50)具有指示所述阵列(20)的磁阻存储器元件(10)暴露在所述外加磁场中的状态或输出。2.如权利要求1所述的阵列(20)，其中所述参数包括所述第一和第二磁性元件(51，52)的形状、大小和纵横比中的任何一个或者它们的组合。3.如权利要求1所述的阵列(20)，其中所述第一和第二磁性元件(51，...

【专利技术属性】
技术研发人员：汉斯MB贝维，
申请(专利权)人：NXP股份有限公司，
类型：发明
国别省市：NL[荷兰]