半导体集成电路器件制造技术

本发明专利技术提供一种半导体集成电路器件，能够按照各模式划分最佳地控制从外部进行控制的输入输出端子数量，用减少了存储器宏外部产生动作故障的因素的动作进行检查，并能够以各检查模式简单地实施检查、分析等。该半导体集成电路器件包括外部输入输出端子组（１００）、具有分别附带在该信号端子组的多个单位输入输出电路的接口电路（２００）、存储器宏（４００）、用于自测试该存储器宏的ＢＩＳＴ电路（５００）、以及具有生成各种控制信号的多个电路块的逻辑电路（３００），多个单位输入输出电路由各种控制信号分别单独地控制，通过从外部控制预定的外部输入输出信号端子，来由各种内部信号单独地控制其他的多个外部输入输出信号端子的逻辑。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及具有1个或多个存储器宏(memory macro)和用于检查(test)该存储器宏的自测试功能块的半导体集成电路器件。
技术介绍
伴随系统LSI的大规模化、高性能化，所安装的存储器容量存在逐年增加的趋势，作为其检查方法，内部自测试(built-in self-testBIST)技术的重要性正逐渐增加。进而，作为实现高度自测试功能的技术，BISA(built-in self-analyzer内部自分析)、BISR(built-inself-repair内部自修复)等也是众所周知的。另外，近年来，正在寻求有效地实施晶片级老化(wafer levelburn-inWLBI)测试、可靠性测试、故障分析等。根据现有技术，利用较少的输入输出端子进行自测试，以使得尤其适合于WLBI检测的情况(参照专利文献1)。专利文献1美国专利第6907555号
技术实现思路
在半导体集成电路器件的检查分析、寿命测试等可靠性测试中，包括各种检查分析，即以筛选合格品/不合格品为主，如WLBI测试那样的、某一定期间的连续加速动作测试；动作故障位置的确定分析；不稳定动作的详细分析；以及维持电流异常位置的分本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体集成电路器件，其特征在于，包括：多个外部输入输出信号端子；多个单位输入输出电路，分别附带在上述多个外部输入输出信号端子上；一个或多个存储器宏；自测试功能块，用于在芯片内部对上述一个或多个存储器宏进行 自测试；以及多个电路块，生成各种控制信号，上述多个单位输入输出电路，由上述各种控制信号分别单独地控制，并且，具有这样的装置，通过从外部对上述多个外部输入输出信号端子中预定的外部输入输出信号端子进行控制，来由各种内部信号单独地 控制其他多个外部输入输出信号端子的逻辑。

【技术特征摘要】
JP 2005-7-7 198691/20051.一种半导体集成电路器件，其特征在于，包括多个外部输入输出信号端子；多个单位输入输出电路，分别附带在上述多个外部输入输出信号端子上；一个或多个存储器宏；自测试功能块，用于在芯片内部对上述一个或多个存储器宏进行自测试；以及多个电路块，生成各种控制信号，上述多个单位输入输出电路，由上述各种控制信号分别单独地控制，并且，具有这样的装置，通过从外部对上述多个外部输入输出信号端子中预定的外部输入输出信号端子进行控制，来由各种内部信号单独地控制其他多个外部输入输出信号端子的逻辑。2.根据权利要求1所述的半导体集成电路器件，其特征在于还包括这样的装置，从上述多个单位输入输出电路中的预定的单位输入输出电路输出的第一模式设定控制信号，作为其他多个单位输入输出电路的控制信号被输入，并且，依照上述第一模式设定控制信号与第二模式设定控制信号的或逻辑来生成主动作模式设定信号，其中，该第二模式设定控制信号从输入了上述第一模式设定控制信号的其他预定的单位输入输出电路输出；上述第一模式设定控制信号是设定该半导体集成电路器件为备用状态还是动作状态的信号；上述第二模式设定控制信号是设定该半导体集成电路器件是否为使用了自测试功能的动作模式的预置信号；上述主动作模式设定信号是设定该半导体集成电路器件是否为使用了自测试功能的动作模式的内部设定信号。3.根据权利要求2所述的半导体集成电路器件，其特征在于还包括这样的装置，上述主动作模式设定信号作为预定的单位输入输出电路的控制信号被输入，并依照上述主动作模式设定信号与从该预定的单位输入输出电路输出的第三模式设定控制信号的组合逻辑，生成副动作模式设定信号；上述第三模式设定控制信号是设定该半导体集成电路器件是否为晶片级老化(WLBI)模式的预置信号；上述副动作模式设定信号是设定该半导体集成电路器件是否为WLBI模式的内部设定信号。4.根据权利要求3所述的半导体集成电路器件，其特征在于还包括这样的装置，上述副动作模式设定信号作为预定的单位输入输出电路的控制信号被输入，并依照上述副动作模式设定信号、上述主动作模式设定信号及一个内部逻辑信号的组合逻辑，生成输入到其他预定的单位输入输出电路的输入使能信号。5.根据权利要求3所述的半导体集成电路器件，其特征在于还包括这样的装置，依照从上述多个单位输入输出电路中的预定的单位输入输出电路输出的第一数据输入输出控制信号、从其他预定的单位输入输出电路输出的第二数据输入输出控制信号、上述主动作模式设定信号、以及上述副动作模式设定信号的组合逻辑，生成输入到多个单位输入输出电路的多个内部逻辑信号和上述自测试功能块的反复动作控制信号。6.根据权利要求5所述的半导体集成电路器件，其特征在于还包括这样的装置，依照上述自测试功能块的反复动作控制信号、上述主动作模式设...

【专利技术属性】
技术研发人员：元持健治，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]