半导体器件及其驱动方法技术

ＳＲＡＭ的工作包括写入和读出。当进行该工作时，整个存储器只有一部分工作而其他部分仅仅保持值而已。本发明专利技术的目的在于提供一种半导体器件，其中通过降低在保持值的期间中消耗的电流，实现低耗电量化。本发明专利技术是一种半导体器件：与写入或读出值的期间相比，降低在保持期间中的驱动电压。这种半导体器件具有电源控制电路，所述电源控制电路包括电连接到字线的ＯＲ电路；电连接到ＯＲ电路的倒相电路；以及电连接到ＯＲ电路及倒相电路的晶体管。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及具有存储元件的半导体器件及该半导体器件的驱动方法。
技术介绍
伴随着由LSI(大规模集成电路；Large Scale Integration)制造技术的发展而实施的布线的微细化，漏电流的问题变得越来越明显起来。漏电流引发LSI的发热、耗电量的增加等的问题。特别在便携式电话或笔记本式个人计算机等的移动式器具中，由于耗电量的问题直接关系到其连续工作时间，所以是个大问题。因此，针对LSI的低耗电量化，提出了各种各样的技术方案。例如，在LSI的工作中，包括如下两种情况，即尽可能需要其性能的情况和不特别需要其性能的情况。在不特别需要LSI的工作速度的情况下，有如下技术降低时钟频率而使LSI工作。另外，在同样不需要最大限度的LSI的工作速度的情况下，有如下技术通过改变衬底偏压而控制阈值，以降低漏电流。此外，最近的LSI大多在其内部具有巨大容量的存储器例如高速缓冲存储器(cache)等，并且由SRAM(静态随机存储器；Static RandomAccess Memory)构成。SRAM通过将倒相电路互相电连接而保持值。一旦保持了值，电气状态就不发生变化，然而导致漏电流从电连接到倒本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，包括电源控制电路和存储单元，其中，所述电源控制电路包括：第一字线；第二字线；包括一个输出终端和分别电连接到所述第一字线和所述第二字线的两个输入终端，并且当ＨＩＧＨ（高）电平输入到任何一方所述输入终端时ＨＩＧＨ电平输出到所述输出终端，当ＬＯＷ（低）电平输入到双方的所述输入终端时ＬＯＷ电平输出到所述输出终端的电路；其输入终端电连接到所述电路的所述输出终端的第一倒相电路；以及电连接到所述电路及所述第一倒相电路，并且将第一电压或比所述第一电压低的第二电压施加到所述存储单元的单元，并且，所述存储单元包括第二倒相电路，且电连接到所述第一字线及所述第二字线。

【技术特征摘要】
JP 2005-7-29 2005-2205301.一种半导体器件，包括电源控制电路和存储单元，其中，所述电源控制电路包括第一字线；第二字线；包括一个输出终端和分别电连接到所述第一字线和所述第二字线的两个输入终端，并且当HIGH(高)电平输入到任何一方所述输入终端时HIGH电平输出到所述输出终端，当LOW(低)电平输入到双方的所述输入终端时LOW电平输出到所述输出终端的电路；其输入终端电连接到所述电路的所述输出终端的第一倒相电路；以及电连接到所述电路及所述第一倒相电路，并且将第一电压或比所述第一电压低的第二电压施加到所述存储单元的单元，并且，所述存储单元包括第二倒相电路，且电连接到所述第一字线及所述第二字线。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述将第一电压或比所述第一电压低的第二电压施加到所述存储单元的单元包括两个晶体管。3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中包括两个输入终端和一个输出终端，并且当HIGH电平输入到任何一方所述输入终端时HIGH电平输出到所述输出终端，当LOW电平输入到双方的所述输入终端时LOW电平输出到所述输出终端的电路包括如下三种电路中的任一种电路OR电路；包括NOR电路和倒相电路的电路；以及包括两个倒相电路和NAND电路的电路。4.一种半导体器件，包括电源控制电路和存储单元，其中，所述电源控制电路包括第一字线；第二字线；包括一个输出终端和分别电连接到所述第一字线和所述第二字线的两个输入终端，并且当HIGH电平输入到任何一方所述输入终端时HIGH电平输出到所述输出终端，当LOW电平输入到双方的所述输入终端时LOW电平输出到所述输出终端的电路；其输入终端电连接到所述电路的所述输出终端的第一倒相电路；以及将第一电压或比所述第一电压低的第二电压施加到所述存储单元，并且电连接到所述电路及所述第一倒相电路的单元，并且，所述存储单元包括电连接到地线及电源线的第二倒相电路，且电连接到所述第一字线及所述第二字线。5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中所述将第一电压或比所述第一电压低的第二电压施加到所述存储单元的单元包括两个晶体管。6.根据权利要求4所述的半导体器件，其中包括两个输入终端和一个输出终端，并且当HIGH电平输入到任何一方所述输入终端时HIGH电平输出到所述输出终端，当LOW电平输入到双方的所述输入终端时LOW电平输出到所述输出终端的电路包括如下三种电路中的任一种电路OR电路；包括NOR电路和倒相电路的电路；以及包括两个倒相电路和NAND电路的电路。7.一种半导体器件，包括电源控制电路和存储单元，其中，所述电源控制电路包括第一字线；第二字线；包括一个输出终端和分别电连接到所述第一字线和所述第二字线的两个输入终端，并且当HIGH电平输入到任何一方所述输入终端时HIGH电平输出到所述输出终端，当LOW电平输入到双方的所述输入终端时LOW电平输出到所述输出终端的电路；其输入终端电连接到所述电路的所述输出终端的第一倒相电路；以及将第一电压或比所述第一电压低的第二电压施加到所述存储单元，并且电连接到所述电路及所述第一倒相电路的单元，并且，所述存储单元电连接到所述第一字线及所述第二字线，并包括电连接到地线及电源线的第二倒相电路以及电连接到所述第二倒相电路的晶体管，而且，所述晶体管的栅极与所述第一字线彼此电连接。8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中所述将第一电压或比所述第一电压低的第二电压施加到所述存储单元的单元包括两个晶体管。9.根据权利要求7所述的半导体器件，其中包括两个输入终端和一个输出终端，并且当HIGH电平输入到任何一方所述输入终端时HIGH电平输出到所述输出终端，当LOW电平输入到双方的所述输入终端时LOW电平输出到所述输出终端的电路包括如下三种电路中的任一种电路OR电路；包括NOR电路和倒相电路的电路；以及包括两个倒相电路和NAND电路的电路。10.根据权利要求7所述的半导体器件，其中所述晶体管是形成在绝缘衬底上的薄膜晶体管。11.根据权利要求7所述的半导体器件，其中所述第一字线及所述电源线由与所述晶体管的栅极相同的材料构成。12.一种半导体器件，包括电源控制电路和存储单元，其中，所述电源控制电路包括第一字线；第二字线；包括一个输出终端和分别电连接到所述第一字线和所述第二字线的两个输入终端，并且当HIGH电平输入到任何一方所述输入终端时HIGH电平输出到所述输出终端，当LOW电平输入到双方的所述输入终端时LOW电平输出到所述输出终端的电路；其输入终端电连接到所述电路的所述输出终端的第一倒相电路；以及将第一电压或比所述第一电压低的第二电压施加到所述存储单元，并且电连接到所述电路及所述第一倒相电路的单元，并且，所述存储单元电连接到所述第一字线及所述第二字线，并包括电连接到地线及电源线的第二倒相电路以及分别电连接到所述第二倒相电路的第一至第三晶体管，而且，所述第一晶体管的栅极与所述第一字线彼此电连接，所述第二晶体管及第三晶体管的源极和漏极的一方与数据线彼此电连接，所述第二晶体管及第三晶体管的栅极与所述第二字线彼此电连接。13.根据权利要求12所述的半导体器件，其中所述数据线提供在与所述晶体管的源极及漏极相同的层中。14.根据权利要求12所述的半导体器件，其中将所述第一电压或比所述第一电压低的所述第二电压施加到所述存储单元的单元包括两个晶体管。15.根据权利要求12所述的半导体器件，其中包括两个输入终端和一个输出终端，并且当HIGH电平输入到任何一方所述输入终端时HIGH电平输出到所述输出终端，当LOW电平输入到双方的所述输入终端时LOW电平输出到所述输出终端的电路包括如下三种电路中的任一种电路OR电路；包括N...

【专利技术属性】
技术研发人员：岩田周祐，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：JP[日本]