【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及向存储装置的位线和相应地设计的存储装置馈送电压,以便降低由位线和有效电压馈送线之间的电耦合引起的负面影响的方法。
技术介绍
图1示出传统的只读存储器(ROM)50。在读操作期间,列多路复用器12由控制装置30驱动,使得一方面,分配给相应列的有效电压馈送线4被充电到VDD,而另一方面分配给相应列的位线6不再与VSS连接。于是,为此把相应的充电装置或逆变器1的输入从1设置为0。结果,与输出连接的有效电压馈送线4被充电到VDD,而同时通过预充电装置或逆变器7和N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(NFET)2中断位线6和VSS之间的连接。这样,如果相应的字线8被激活,则由位线6读出由所选择的列和字线8确定的存储器50的存储单元的信息。这里,有效电压馈送线被理解为是给存储单元馈送电压的线。由于仅仅必须向直接包含在读操作(或写操作)中的存储单元馈送电压,因此为了节省能源时常能够转换(断开)存储单元的电压馈送。这就是说,只有把电压馈送到直接包含在读操作(或写操作)中的存储单元(例如,存储装置50中列的所有存储单元)的那些电压馈送线被接通,而所有其它电压馈送线被 ...
【技术保护点】
一种把电压馈送到存储装置的位线的方法, 其中在涉及所述位线的读操作期间把将所述位线预充电到输出电位的预充电装置去激活, 其中在所述读操作期间,通过所述位线读出信息并且把有效电压馈送线连通到所述存储装置的电源电位,以便把电压馈送到分配给所述位线的所述存储装置的存储单元,以及 其中随所述有效电压馈送线的电位而变地激活/去激活所述位线的所述预充电装置。
【技术特征摘要】
DE 2005-9-26 102005045952.81.一种把电压馈送到存储装置的位线的方法,其中在涉及所述位线的读操作期间把将所述位线预充电到输出电位的预充电装置去激活,其中在所述读操作期间,通过所述位线读出信息并且把有效电压馈送线连通到所述存储装置的电源电位,以便把电压馈送到分配给所述位线的所述存储装置的存储单元,以及其中随所述有效电压馈送线的电位而变地激活/去激活所述位线的所述预充电装置。2.如权利要求1所述的方法,其中随所述位线和所述有效电压馈送线之间的电耦合强度而变地激活/去激活所述位线的所述预充电装置。3.如权利要求1所述的方法,其中在所述电源电位和所述有效电压馈送线的电位之间的数量差下降到低于预定值之前不将所述位线的所述预充电装置去激活。4.如权利要求1所述的方法,其中又随专用有效电压馈送线的电位而变地激活/去激活所述位线的所述预充电装置,所述专用有效电压馈送线在所述读操作之前被连通到所述存储装置的所述电源电位。5.如权利要求4所述的方法,其中不但在所述电源电位和所述有效电压馈送线的电位之间的数量差下降到低于预定值之前而且在所述电源电位和所述专用有效电压馈送线的电位之间的数量差下降到低于另一个预定值之前都不将所述位线的所述预充电装置去激活。6.如权利要求5所述的方法,其中在所述电源电位和所述有效电压馈送线的电位之间的数量差下降到低于预定值并且所述电源电位和所述专用有效电压馈送线的电位之间的数量差下降到低于另一个预定值的一段预定的持续时间之前不将所述位线的所述预充电装置去激活7.一种存储装置具有充电装置,预充电装置,存储单元,多根位线,多根有效电压馈送线,以及用于协调读操作的控制装置,在所述读操作期间通过所述位线中的至少一根位线读出信息,其中这样设计所述存储装置,使得所述控制装置在所述读操作期间驱动所述充电装置,以便所述充电装置把所述有效电压馈送线之一充电到所述存储装置的电压电位,以便把电压馈送到特定存储单元,其中所述控制装置最初这样驱动所述预充电装置,使得所述预充电装置把所述位线中受所述读操作影响的一根位线的电位引到所述存储装置的所述输出电位并且接着把所述预充电装置去激活,以及其中所述充电装置和所述预充电装置连接到同一根所述有效电压馈送线的不同末端。8.如权利要求7所述的存储装置,其中所述同一根有效电压馈送线以它的一端连接到充电装置的输出端并且以它的另一端连接到所述预充电装置的控制输入端,其中这样设计所述预充电装置,使得当所述电源电位和所述有效电压馈送线的电位之间的数量差下降到低于预定值时所述预充电装置断路,以及其中所述预充电装置的第一接线连接到所述位线,而所述预充电装置的第二接线连接到所述输出电位。9.如权利要求8所述的存储装置,其中所述预充电装置包括晶体管,所述晶体管利用控制输入端以这样的方式连接到所述有效电压馈送线,即,当所述电源电位和所述有效电压馈送线的电位之间的数量差下降到低于预定值时所述晶体管断路,以及其中所述晶体管的第一接线连接到所述位线,而所述晶体管的第二接线连接到所述输出电位。10.如权利要求9所述的存储装置,其中所述预充电装置具有逆变器,其中所述晶体管是N型导电晶体管,其中所述电源电压电位为VDD,而所述输出电位为VSS,其中所述有效电压馈送线与所述逆变器的输入端连接,而所述逆变器的输出端与所述晶体管的控制输入端连接,以及其中所述晶体管的源极接线连接到VSS,而所述晶体管的漏极接线连接到所述位线。11.如权利要求9所述的存储装置,其中所述预充电装置包括逆变器,其中所述晶体管为P型导电晶体管,其中所述电源电压电位为VSS,而所述输出电位为VDD,其中所述有效电压馈送线与所述逆变器的输入端连接,而所述逆变器的输出端与所述晶体管的控制输入端连接,以及其中所述晶体管的源极接线连接到VDD,而所述晶体管的漏极接线连接到所述位线。12.如权利要求7所述的存储装置,其中所述存储装置包括专用有效电压馈送线,其中这样设计所述预充电装置,使得仅仅当所述电源电位和所述有效电压馈送线的电位之间的数量差下降到低于预定值并且所述电源电位和所述专用有效电压馈送线的电位之间的数量差下降到低于另一个预定值时所述预充电装置才断路。13.如权利要求12所述的存储装置,其中所述存储装置包括专用位线,其中这样设计所述存储装置,使得所述专用有效电压馈送线和所述专用位线之间的耦合电容至少象所述位线之一和所述有效电压馈送线之一...
【专利技术属性】
技术研发人员:G勒曼,Y马特洛尼,D德维费迪,S古普塔,
申请(专利权)人:英飞凌科技股份公司,
类型:发明
国别省市:DE[德国]
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