相变存储器件及其编程方法技术

技术编号:3082602 阅读:133 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
一种相变存储器件包括:具有相变材料的存储单元;将逐级下降的置位电流提供给存储单元的写驱动器,其中逐级下降的置位电流包括多级连续减小的电流幅值;和控制写驱动器提供逐级下降的置位电流的持续时间的置位编程控制电路。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种相变存储器件,包括:    具有相变材料的存储单元;    将逐级下降的置位电流提供给存储单元的写驱动器,其中逐级下降的置位电流包括多级连续减小的电流幅值;和    控制写驱动器提供逐级下降的置位电流的持续时间的置位编程控制电路。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员:赵栢衡徐钟洙李元奭
申请(专利权)人:三星电子株式会社
类型:发明
国别省市:KR[韩国]

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