减少衬底处理系统再循环的轴环、锥形喷头和/或顶板技术方案

本发明专利技术涉及减少衬底处理系统再循环的轴环、锥形喷头和/或顶板。衬底处理系统包括处理室和喷头，喷头包括面板、杆部和圆柱形基部。轴环将喷头连接到处理室的顶表面。轴环限定接收二次吹扫气体的气体通道和沿着径向向外且向下的方向引导来自气体通道的二次吹扫气体的多个气体缝隙。锥形表面被布置成邻近圆柱形基部并且围绕喷头的杆部。倒锥形表面邻近处理室的顶表面和侧壁设置。锥形表面和倒锥形表面限定成角度的气体通道，成角度的气体通道从多个气体缝隙到限定在圆柱形基部的径向外部与处理室的侧壁之间的间隙。理室的侧壁之间的间隙。理室的侧壁之间的间隙。

【技术实现步骤摘要】
减少衬底处理系统再循环的轴环、锥形喷头和/或顶板
本申请是申请号为201710513089.5、申请日为2017年6月29日、专利技术名称为“减少衬底处理系统再循环的轴环、锥形喷头和/或顶板”的专利技术专利申请的分案申请。


[0001]本公开涉及衬底处理系统，更具体地涉及包括用于减少再循环的轴环、锥形喷头和/或顶板的衬底处理系统。

技术介绍

[0002]本文所提供的背景描述是为了总体上呈现本公开的背景。当前所冠名的专利技术人的工作，在该背景部分以及本说明书的在申请时可能没有资格作为现有技术的方面中所描述的程度上，既不明确地也不隐含地承认当作本公开的现有技术。
[0003]衬底处理系统可以用于在诸如半导体晶片之类的衬底上沉积膜、蚀刻膜或以其他方式处理膜。衬底处理系统通常包括处理室、诸如喷头之类的气体分配装置、和衬底支撑件。在处理期间，衬底被布置在衬底支撑件上。可以将不同的气体混合物引入到处理室中，并且在一些处理中可以使用热或射频(RF)等离子体来激活化学反应。
[0004]处理室通常包括上表面和下表面以及侧壁。喷头通常包括本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种衬底处理系统中的处理室，该处理室包括：上表面、侧壁和下表面；喷头，所述喷头连接至所述处理室的所述上表面并从所述上表面向下延伸，其中所述喷头包括杆部和基部；以及倒锥形表面，所述倒锥形表面被布置成邻近所述处理室的所述上表面和所述侧壁，其中所述倒锥形表面包括成角度的表面，该角度的表面被布置成将所述喷头上方的气流(i)从水平方向重定向到向下方向以及(ii)将所述喷头上方的气流重定向使得其进入所述基部的径向外部和所述处理室的所述侧壁之间的间隙中。2.根据权利要求1所述的处理室，其中所述基部限定充气室并且所述杆部限定与所述充气室流体连通的气体通道。3.根据权利要求1所述的处理室，其中所述喷头包括被布置成将气体分散到所述处理室中的面板。4.根据权利要求1所述的处理室，还包括将所述喷头连接到所述处理室的所述上表面的轴环，其中所述轴环在所述轴环的径向内表面和所述喷头的杆部之间限定气体通道，并且其中所述轴环包括一个或多个缝隙，所述缝隙被布置成将来自所述气体通道的吹扫气体引导至所述喷头上方的区域。5.根据权利要求4所述的处理室，其中，随着距所述处理室的上表面的垂直距离增加，所述径向内表面具有增加的直径。6.根据权利要求4所述的处理室，其中，所述一个或多个缝隙在水平方向上引导吹扫气体。7.根据权利要求5所述的处理室，其中所述成角度的表面相对于所述水平方向以锐角布置。8.根据权利要求7所述的处理室，其中，所述成角度的表面相对于水平方向以30至60度之间的角度布置。9.根据权利要求7所述的处理室，其中所述成角度的表面相对于所述水平方向以40至50度之间的角度布置。10.根据权利要求4所述的处理室，其中所述倒锥形表面的径向内边缘与所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：理查德，
申请(专利权)人：朗姆研究公司，
类型：发明
国别省市：