一种上电极设备和等离子体处理装置制造方法及图纸

本申请实施例公开了一种上电极设备和等离子体处理装置，所述上电极设备应用于等离子体处理装置中，所述上电极设备用于对反应气体进行加压，以将所述反应气体激发成等离子态并作用于待处理晶圆上；所述上电极设备包括：相对设置的基板和上电极板；其中，所述上电极板包括：第一部分和围绕所述第一部分的第二部分，所述第一部分为所述上电极板的中心部分；所述第二部分包括多个同心圆环子部；所述第一部分和所述多个同心圆环子部与所述待处理晶圆之间的距离可调。圆之间的距离可调。圆之间的距离可调。

【技术实现步骤摘要】
一种上电极设备和等离子体处理装置


[0001]本申请实施例涉及半导体制造领域，尤其涉及一种上电极设备和等离子体处理装置。

技术介绍

[0002]随着半导体器件的集成度提高，半导体器件的线宽越来越小，关键尺寸的控制也越来越重要，对刻蚀工艺的要求也越来越高。刻蚀工艺是一种有选择的去除形成在硅片表面的材料或者有选择的去除硅片材料的工艺。刻蚀工艺包括湿法刻蚀和干法刻蚀，干法刻蚀由于选择性高、可控性强成为当今最常用的刻蚀工艺之一。等离子体刻蚀作为一种常用的干法刻蚀工艺，通常在等离子体处理装置中通入刻蚀气体，并电离所述刻蚀气体成等离子体，利用所述等离子体对待刻蚀的晶圆进行刻蚀。
[0003]在很多等离子体刻蚀工艺中，电极中心的等离子体浓度通常大于周边的等离子浓度，这种等离子体的浓度分布的不均匀性会直接导致晶圆刻蚀的不均匀性。因此，控制等离子体处理装置中的等离子体的浓度分布成为了本领域技术人员亟需解决的问题。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，本申请实施例为解决现有技术中存在的至少一个问题而提一种上电极设备和等离子体处理装置。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种上电极设备，其特征在于，所述上电极设备应用于等离子体处理装置中，所述上电极设备用于对反应气体进行加压，以将所述反应气体激发成等离子态并作用于待处理晶圆上；所述上电极设备包括：相对设置的基板和上电极板；其中，所述上电极板包括：第一部分和围绕所述第一部分的第二部分，所述第一部分为所述上电极板的中心部分；所述第二部分包括多个同心圆环子部；所述第一部分和所述多个同心圆环子部与所述待处理晶圆之间的距离可调。2.根据权利要求1所述的上电极设备，其特征在于，所述第一部分和所述多个同心圆环子部与所述基板之间分别通过伸缩杆连接；所述伸缩杆用于分别调节所述第一部分和所述多个同心圆环子部与所述待处理晶圆之间的距离。3.根据权利要求1所述的上电极设备，其特征在于，所述第一部分和所述第二部分之间设有密封圈，以密封所述第一部分和所述第二部分之间的缝隙。4.根据权利要求1所述的上电极设备，其特征在于，所述多个同心圆环子部中相邻两个同心圆环子部之间设有密封圈，以密封所述相邻...

【专利技术属性】
技术研发人员：周颖，李明，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：新型
国别省市：