一种上电极设备和等离子体处理装置制造方法及图纸

本申请实施例公开了一种上电极设备和等离子体处理装置，所述上电极设备应用于等离子体处理装置中，所述上电极设备用于对反应气体进行加压，以将所述反应气体激发成等离子态并作用于待处理晶圆上；所述上电极设备包括：相对设置的基板和上电极板；其中，所述上电极板包括：第一部分和围绕所述第一部分的第二部分，所述第一部分为所述上电极板的中心部分；所述第二部分包括多个同心圆环子部；所述第一部分和所述多个同心圆环子部与所述待处理晶圆之间的距离可调。圆之间的距离可调。圆之间的距离可调。

【技术实现步骤摘要】
一种上电极设备和等离子体处理装置


[0001]本申请实施例涉及半导体制造领域，尤其涉及一种上电极设备和等离子体处理装置。

技术介绍

[0002]随着半导体器件的集成度提高，半导体器件的线宽越来越小，关键尺寸的控制也越来越重要，对刻蚀工艺的要求也越来越高。刻蚀工艺是一种有选择的去除形成在硅片表面的材料或者有选择的去除硅片材料的工艺。刻蚀工艺包括湿法刻蚀和干法刻蚀，干法刻蚀由于选择性高、可控性强成为当今最常用的刻蚀工艺之一。等离子体刻蚀作为一种常用的干法刻蚀工艺，通常在等离子体处理装置中通入刻蚀气体，并电离所述刻蚀气体成等离子体，利用所述等离子体对待刻蚀的晶圆进行刻蚀。
[0003]在很多等离子体刻蚀工艺中，电极中心的等离子体浓度通常大于周边的等离子浓度，这种等离子体的浓度分布的不均匀性会直接导致晶圆刻蚀的不均匀性。因此，控制等离子体处理装置中的等离子体的浓度分布成为了本领域技术人员亟需解决的问题。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，本申请实施例为解决现有技术中存在的至少一个问题而提一种上电极设备和等离子体处理装置。
[0005]为达到上述目的，本申请实施例的技术方案是这样实现的：
[0006]第一方面，本申请实施例提供一种上电极设备，所述上电极设备应用于等离子体处理装置中，所述上电极设备用于对反应气体进行加压，以将所述反应气体激发成等离子态并作用于待处理晶圆上；所述上电极设备包括：相对设置的基板和上电极板；其中，
[0007]所述上电极板包括：第一部分和围绕所述第一部分的第二部分，所述第一部分为所述上电极板的中心部分；所述第二部分包括多个同心圆环子部；
[0008]所述第一部分和所述多个同心圆环子部与所述待处理晶圆之间的距离可调。
[0009]在一种可选的实施方式中，所述第一部分和所述多个同心圆环子部与所述基板之间分别通过伸缩杆连接；所述伸缩杆用于分别调节所述第一部分和所述多个同心圆环子部与所述待处理晶圆之间的距离。
[0010]在一种可选的实施方式中，所述第一部分和所述第二部分之间设有密封圈，以密封所述第一部分和所述第二部分之间的缝隙。
[0011]在一种可选的实施方式中，所述多个同心圆环子部中相邻两个同心圆环子部之间设有密封圈，以密封所述相邻两个同心圆环子部之间的缝隙。
[0012]在一种可选的实施方式中，所述第一部分包括面向所述待处理晶圆的第一表面区域；所述第二部分包括面向所述待处理晶圆的第二表面区域；
[0013]所述第一表面区域和/或所述第二表面区域包括多个喷孔，反应气体通过所述多个喷孔输入至所述等离子体处理装置的反应腔室内，并垂直作用在所述待处理晶圆上。
[0014]在一种可选的实施方式中，所述上电极板的外侧包裹有电极绝缘层。
[0015]在一种可选的实施方式中，所述电极绝缘层的材料包括以下至少之一：陶瓷、钢化玻璃、石英玻璃、微晶玻璃。
[0016]在一种可选的实施方式中，所述第一部分和所述多个同心圆环子部与所述待处理晶圆之间的距离不同。
[0017]在一种可选的实施方式中，所述第一部分和所述多个同心圆环子部的厚度相同。
[0018]第二方面，本申请实施例提供一种等离子体处理装置，所述装置包括：反应腔室、晶圆支撑件、下电极设备以及第一方面所述的上电极设备。
[0019]本申请实施例中提供的上电极板包括：第一部分和围绕所述第一部分的第二部分；所述第二部分包括多个同心圆环子部，且所述第一部分、多个所述同心圆环子部与所述待处理晶圆之间的距离可调，从而可以通过调节所述第一部分、多个所述同心圆环子部与所述待处理晶圆之间的距离，实现等离子体的浓度分布和运动方向的调节，从而保证等离子体处理的均匀性。
附图说明
[0020]图1a为本申请实施例提供的固定上电极设备的结构示意图一；
[0021]图1b为本申请实施例提供的固定上电极设备的结构示意图二；
[0022]图1c为本申请实施例提供的固定上电极设备的结构示意图三；
[0023]图2为本申请实施例提供的一种等离子体处理装置的结构示意图；
[0024]图3为本申请实施例提供的一种上电极设备的结构示意图；
[0025]图4为本申请实施例提供的一种上电极设备的俯视图；
[0026]图5为本申请实施例提供的一种上电极设备的一种具体实施方式的结构示意图。
具体实施方式
[0027]下面将参照附图更详细地描述本申请公开的示例性实施方式。虽然附图中显示了本申请的示例性实施方式，然而应当理解，可以以各种形式实现本申请，而不应被这里阐述的具体实施方式所限制。相反，提供这些实施方式是为了能够更透彻地理解本申请，并且能够将本申请公开的范围完整的传达给本领域的技术人员。
[0028]在下文的描述中，给出了大量具体的细节以便提供对本申请更为彻底的理解。然而，对于本领域技术人员而言显而易见的是，本申请可以无需一个或多个这些细节而得以实施。在其他的例子中，为了避免与本申请发生混淆，对于本领域公知的一些技术特征未进行描述；即，这里不描述实际实施例的全部特征，不详细描述公知的功能和结构。
[0029]在附图中，为了清楚，层、区、元件的尺寸以及其相对尺寸可能被夸大。自始至终相同附图标记表示相同的元件。
[0030]应当明白，空间关系术语例如“在
……
下”、“在
……
下面”、“下面的”、“在
……
之下”、“在
……
之上”、“上面的”等，在这里可为了方便描述而被使用从而描述图中所示的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。应当明白，除了图中所示的取向以外，空间关系术语意图还包括使用和操作中的器件的不同取向。例如，如果附图中的器件翻转，然后，描述为“在其它元件下面”或“在其之下”或“在其下”元件或特征将取向为在其它元件或特征
“
上”。因此，示例性术语“在
……
下面”和“在
……
下”可包括上和下两个取向。器件可以另外地取向(旋转90度或其它取向)并且在此使用的空间描述语相应地被解释。
[0031]在此使用的术语的目的仅在于描述具体实施例并且不作为本申请的限制。在此使用时，单数形式的“一”、“一个”和“所述/该”也意图包括复数形式，除非上下文清楚指出另外的方式。还应明白术语“组成”和/或“包括”，当在该说明书中使用时，确定所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一个或更多其它的特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或组的存在或添加。在此使用时，术语“和/或”包括相关所列项目的任何及所有组合。
[0032]为了能够更加详尽地了解本申请实施例的特点与
技术实现思路
，下面结合附图对本申请实施例的实现进行详细阐述，所附附图仅供参考说明之用，并非用来限定本申请实施例。
[0033]图1a、图1b和图1c为本申请实施例提供的固定上电极设备的结构示意图，通本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种上电极设备，其特征在于，所述上电极设备应用于等离子体处理装置中，所述上电极设备用于对反应气体进行加压，以将所述反应气体激发成等离子态并作用于待处理晶圆上；所述上电极设备包括：相对设置的基板和上电极板；其中，所述上电极板包括：第一部分和围绕所述第一部分的第二部分，所述第一部分为所述上电极板的中心部分；所述第二部分包括多个同心圆环子部；所述第一部分和所述多个同心圆环子部与所述待处理晶圆之间的距离可调。2.根据权利要求1所述的上电极设备，其特征在于，所述第一部分和所述多个同心圆环子部与所述基板之间分别通过伸缩杆连接；所述伸缩杆用于分别调节所述第一部分和所述多个同心圆环子部与所述待处理晶圆之间的距离。3.根据权利要求1所述的上电极设备，其特征在于，所述第一部分和所述第二部分之间设有密封圈，以密封所述第一部分和所述第二部分之间的缝隙。4.根据权利要求1所述的上电极设备，其特征在于，所述多个同心圆环子部中相邻两个同心圆环子部之间设有密封圈，以密封所述相邻...

【专利技术属性】
技术研发人员：周颖，李明，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：新型
国别省市：