本实用新型专利技术公开了一种等离子体刻蚀装置，包括：腔体，所述腔体被腔壁所包围，在所述腔体内部包括基座，所述基座中包含下电极，所述基座上设有设置有静电夹盘，所述静电夹盘11用于吸附晶圆，还包括绝缘环、盖环和聚焦环，所述绝缘环设置在所述基座外围，用绝缘材料制成，所述盖环覆盖在所述绝缘环外部，所述绝缘环将所述下电极与所述盖环隔离。所述盖环有表面涂层，所述表面涂层中含有氧化钇，所述聚焦环容纳在所述盖环内，所述聚焦环环绕所述静电夹盘，所述盖环上表面裸露部分的宽度a小于所述聚焦环上表面裸露部分的宽度b。聚焦环上表面裸露部分的宽度b。聚焦环上表面裸露部分的宽度b。
【技术实现步骤摘要】
等离子体刻蚀装置
[0001]本技术涉及一种半导体集成电路的加工装置，特别涉及一种等离子体刻蚀装置。
技术介绍
[0002]在半导体集成电路的加工装置中，刻蚀装置是晶圆加工的重要设备。其中等离子刻蚀装置作为一种干法刻蚀装置，是目前应用最广泛的主流刻蚀装置。随着对刻蚀工艺效率要求的不断提高，希望刻蚀能稳定在一个较高的速率，以缩短加工时间。
[0003]然而在现有技术中刻蚀速率会随着时间的推移逐步降低，影响生产效率，速率的不稳定也对良品率带来影响。因此需要找到影响刻蚀速率的原因，并对设备进行改进，以克服此技术问题。
技术实现思路
[0004]本技术所要解决的技术问题是，保持刻蚀速率的稳定，使刻蚀速率不会随时间而下降。
[0005]本技术提供一种等离子体刻蚀装置，包括：
[0006]腔体，所述腔体被腔壁所包围，
[0007]在所述腔体内部包括基座，所述基座中包含下电极，
[0008]所述基座上设有设置有静电夹盘，所述静电夹盘11用于吸附晶圆，
[0009]还包括绝缘环、盖环和聚焦环，
[0010]所述绝缘环设置在所述基座外围，用绝缘材料制成，
[0011]所述盖环覆盖在所述绝缘环外部，所述绝缘环将所述下电极与所述盖环隔离，
[0012]所述盖环有表面涂层，所述表面涂层中含有氧化钇，
[0013]所述聚焦环容纳在所述盖环内，所述聚焦环环绕所述静电夹盘，
[0014]所述盖环上表面裸露部分的宽度a小于所述聚焦环上表面裸露部分的宽度b。
[0015]优先地，所述下电极连接射频设备。
[0016]优先地，所述绝缘环为陶瓷材料。
[0017]优先地，所述聚焦环上表面裸露部分的宽度b为所述盖环上表面裸露部分的宽度a的6倍以上。
[0018]优选地，所述聚焦环上表面裸露部分的宽度b加上所述盖环上表面裸露部分的宽度a的总尺寸为28.2mm，其中宽度b为25mm，宽度a为3.2mm。
[0019]与现有技术相比，首先发现了现有技术未公开的导致刻蚀速率下降的原因，然后根据该原因，本技术改进了等离子体刻蚀装置中盖环和聚焦环的相应尺寸，使刻蚀速率始终保持稳定，提高了生产效率和良品率。
附图说明
[0020]图1为具体实施方式的等离子体刻蚀装置局部示意图。
[0021]图2为现有技术的等离子体刻蚀装置蚀刻速率示意图。
[0022]图3为具体实施方式的等离子体刻蚀装置蚀刻速率示意图。
具体实施方式
[0023]如图1所示的等离子体刻蚀装置
[0024]本具体实施方式的等离子体刻蚀装置，包括腔体1，腔体1被腔壁16所包围。
[0025]在腔体内部包括基座12、基座12中包含了下电极(图中未示出)。下电极连接射频设备。
[0026]基座12上设有设置有静电夹盘(Electrostatic Chuck)11，静电夹盘11用于吸附晶圆。
[0027]基座12外围为绝缘环13，绝缘环13用绝缘材料制成，例如陶瓷材料。盖环14(cover ring)覆盖在绝缘环13外部。盖环14表面涂层含有氧化钇Y2O3。
[0028]绝缘环13将下电极与盖环14隔离。
[0029]在盖环14内还容纳有聚焦环15(focus ring)，聚焦环15环绕静电夹盘11，聚焦环15用于防止电弧放电。
[0030]盖环14上表面裸露部分的宽度a，小于聚焦环15上表面裸露部分的宽度b。
[0031]本实施方式中宽度b为宽度a的6倍以上。例如聚焦环15上表面裸露部分的宽度b加上盖环14上表面裸露部分的宽度a的总尺寸为28.2mm的话，宽度b可以设为25mm，宽度a可以设为3.2mm。
[0032]由于盖环14表面涂层含有氧化钇Y2O3，在工艺过程中，离子轰击会把盖环14层中的钇Y打出，并附着在腔壁16上,无形中增加了无晶圆自动干法蚀刻清洁(WAC，waferless auto clean)的涂层面积，即WLC时腔壁16上附着更多的SiO2，在晶圆后续工艺中会消耗更多的氟离子，氟离子的逐步减少导致刻蚀速率逐步降低。
[0033]本实施方式通过减小盖环14上表面裸露部分的面积，降低了钇元素的释出量，减少了氟离子的消耗，使刻蚀速率保持稳定。与现有技术的技术效果比较可从图2和图3看出，图2为现有技术的等离子体刻蚀装置蚀刻速率示意图，图3为具体实施方式的等离子体刻蚀装置蚀刻速率示意图。
[0034]以上通过具体实施方式和实施例对本技术进行了详细的说明，但这些并非构成对本技术的限制。在不脱离本技术原理的情况下，本领域的技术人员还可做出许多变形和改进，这些也应视为本技术的保护范围。
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【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种等离子体刻蚀装置，其特征在于，包括：腔体，所述腔体被腔壁所包围，在所述腔体内部包括基座，所述基座中包含下电极，所述基座上设有设置有静电夹盘，所述静电夹盘用于吸附晶圆，还包括绝缘环、盖环和聚焦环，所述绝缘环设置在所述基座外围，用绝缘材料制成，所述盖环覆盖在所述绝缘环外部，所述绝缘环将所述下电极与所述盖环隔离，所述盖环有表面涂层，所述表面涂层为氧化钇，所述聚焦环容纳在所述盖环内，所述聚焦环环绕所述静电夹盘，所述盖环上表面裸露部分的宽度a小于所述聚焦环上表面裸露部分的宽度...
【专利技术属性】
技术研发人员：丁佳，吴长明，冯大贵，欧少敏，冯玉岩，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，
类型：新型
国别省市：
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