一种具有高电压总线接口的存储器芯片制造技术

一种具有高电压总线接口的存储器芯片，其特征在于：它包括高精度工艺的低电压存储芯片和与之相连的低精度工艺的高电压总线接口芯片。其中：高电压总线接口芯片包括集成在单芯片中的电源降压模块、总线电平转换模块和总线接口逻辑模块。本发明专利技术针对现有高精度工艺芯片不能满足５Ｖ高电压需求的问题，另加一芯片３．３Ｖ～５Ｖ高电压总线接口芯片来实现５Ｖ功能。该高电压总线接口芯片既作为本发明专利技术高压存储芯片内的部件，也可独立作为通用芯片，配合低电压存储器芯片，使后者能在高压系统环境中工作。本发明专利技术通过将３．３Ｖ芯片和５Ｖ芯片合用同一规格的８寸以上高精度工艺以降低成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种存储器芯片，特别是一种具有高电压总线接口的存储器芯片。
技术介绍
随着半导体工艺向8寸0.25um、 0.18um以致更高精度发展，存储芯片单 位面积的存储容量迅速增大，成本也相应迅速降低。但工作电压相应降低到 3.3V以致1.8V，难以直接满足5V系统总线对芯片接口的要求。而众多应用，如系统沿用了 5V的CPU或者打印机驱动对5V系统电压的 要求，仍需存储芯片具备5V总线接口。存储芯片实现5V的传统解决方案是采用6寸0.35 0.4um的低精度工艺， 但面积和成本比8寸高精度工艺高2~3倍。通常存储芯片生产厂商的产品系列在提供5V产品的同时，也需要提供 3.3V相同容量的产品。解决方案是采用6寸晶圆制造5V产品，另采用8寸芯 片制造3.3V产品以降低成本，但带来要分别制备两套掩膜光罩，增加了生产投 资金额并延长的生产时间，两套规格不利于生产同一规格等问题，且不能解决 5V产品成本高的问题。虽然也可以只用一套8寸工艺制造3.3V存储芯片，外加高电压总线接口 电路来实现对5V存储芯片的要求。但高电压总线接口电路需要由一片降压电 路、 一片接口逻辑电路、三片16线总线本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有高电压总线接口的存储器芯片，其特征在于：它包括高精度工艺的低电压存储芯片和与之相连的低精度工艺的高电压总线接口芯片。

【技术特征摘要】
1.一种具有高电压总线接口的存储器芯片，其特征在于它包括高精度工艺的低电压存储芯片和与之相连的低精度工艺的高电压总线接口芯片。2. 根据权利要求1所述的具有高电压总线接口的存储器芯片，其特征在 于所述的高电压总线接口芯片包括集成在单芯片中的电源降压模块、总线电 平转换模块和总线接口逻辑模块。3. 根据权利要求2所述的具有高电压总线接口的存储器芯片，其特征在 于所述电源降压模块采用简易的模拟稳压电路或高效的开关降压电路。4. 根据权利要求2所述的具有高电压总线接口的存储器芯片，其特征在于所述总线电平转换模块包含数据总线、地址总线和控制总线。5. 根据权利要求2所述的具有高电压总线接口的存储器芯片，其特征在于所述总线接口逻辑模块采用多路开关逻辑模块。6. 根据权利要求1或2所述的具...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔巍，
申请(专利权)人：上海集通数码科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]