不挥发性半导体存储装置制造方法及图纸

在电阻交叉点单元阵列中，除读出时选择的存储器单元之外，产生无数个寄生电流的路径。因为该寄生电流的总和与选择的存储器单元的电流相比相当大，所以判别选择的存储器单元中存储的数据有困难。为了判别电阻交叉点单元阵列１０１内的存储器单元中存储的数据，设置具有两个不同的已知电阻值的两个参照单元（例如数据“０”和数据“１”）（９１７）、（９１８），将选择单元（１０７）与数据“０”的参照单元（９１７）的电流差和选择单元（１０７）与数据“１”的参照单元９１８的（电流差）进行比较。通过将与具有与选择单元（１０７）相同的寄生电流，并且已知具有数据“０”／数据“１”的参照单元（９１７）、（９１８）的电流进行比较，能够抑制寄生电流的影响来判别数据。

【技术实现步骤摘要】
不挥发性半导條f^a絲领域本专利技术涉及一种电阻交叉点单元阵列，尤其涉及一种用于以高的可靠性判别存储 在该阵列的存储器单元中的 的技术。背景魷磁随机存储存储器(Magnetic Random Access Memory:下面称为MRAM)和电阻 随机存储存储器(Resistive Random Access Memoiy:下面称为ReRAM)作为會^)多进行 高速写入并且具有大的重写次数的不挥发性存储器弓胞关注。下面说明MRAM。典型的MRAM包括多个存储器单元的阵列。字线沿着各存储器的各行延伸，位 线沿着各列延伸。各存储器单元位于字线和位线的交点处。存储器单元存储1位的信息作为磁化方向。各存储器单元的磁化在樹可特定的时 间时具有两个稳定的方向中的任意一个方向。那样的稳定的两个方向^if辑值0 和1。磁化方向对如自旋依赖型隧道结器件那样的的存储器单元的电阻有影响。例如， 在磁化方向平行盼瞎形下，存储器单元的电阻具有第H直R，磁化方向从平行变为反 平行的情形下，存储器单元的电阻增大至嗨2值R+AR。选择了的存储器单元的磁 化方向，即存储器单元的逻辑状态能够通过检测该被选择的存储器单元的电本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种不挥发性半导体存储装置，包括：　　　　交叉点单元阵列、　　　　在第１方向上延伸的多条字线、　　　　在与所述第１方向不同的第２方向上延伸的多条位线、　　　　从所述多条字线中选择选择字线的第１解码器电路、　　　　从所述多条位线中选择选择位线的第２解码器电路、　　　　生成第１参照信号的第１参照信号生成电路、　　　　生成与所述第１参照信号不同的第２参照信号的第２参照信号生成电路、和　　　　读出电路，　　　　其特征在于：　　　　所述交叉点单元阵列包括多个单元，　　　　所述多个单元中的每一个插在所述多条字线中的１条字线和所述多条位线中的１条位线之间，　　　　选择单元插在所述选择字线和所述选择位线之间，...

【技术特征摘要】
JP 2007-2-28 2007-0494911.一种不挥发性半导体存储装置，包括交叉点单元阵列、在第1方向上延伸的多条字线、在与所述第1方向不同的第2方向上延伸的多条位线、从所述多条字线中选择选择字线的第1解码器电路、从所述多条位线中选择选择位线的第2解码器电路、生成第1参照信号的第1参照信号生成电路、生成与所述第1参照信号不同的第2参照信号的第2参照信号生成电路、和读出电路，其特征在于所述交叉点单元阵列包括多个单元，所述多个单元中的每一个插在所述多条字线中的1条字线和所述多条位线中的1条位线之间，选择单元插在所述选择字线和所述选择位线之间，所述读出电路基于与通过在所述选择字线和所述选择位线之间施加电压而在所述选择位线中流过的检测电流相对应的检测信号，通过将所述检测信号和所述第1参照信号的差相对应的第1差分信号、与所述检测信号和所述第2参照信号的差相对应的第2差分信号进行比较，判别所述选择单元的存储数据。2. 权利要求1中记载的不挥发性半导^^線置，其特征在于戶;M第i参照信号生成电路 在第i参照字线和第i参照位线之间的第i参照单元，戶;M第i参照信号^M:在戶，第i参照字线和戶，第i参照位线之间施加电压 而在戶; ^第i参照位线中流过的电流，戶;M第2参照信号生成电路^f在第2参照字线和第2参照位线之间的第2参照单元，戶;M第2参照信号是itai在戶;M第2参照字线和BW第2参照位线之间施加电压而^BW第2参照位线中资J1的电流。3. 权禾腰求2中记载的不挥发性半导條f線置，其特征在于戶皿第i参照单元是具有第i电阻值的单元，戶; ^第2参照单元是具有与戶;M第1电阻f直不同的第2电阻值的单元。4. 权利要求2中记载的不挥发性半导体剤碟置，其特征在于戶，第1参照单元和戶，第2参照单元设置在戶，交叉点单元阵列的内部。5. 权利要求4中记载的不挥发性半导，f，置，其特征在于戶;im择字线、所述第i参照字线和所述第2参照字线是同一条字线。6. 权利要求4中记载的不挥发性半导##^^置，其特征在于戶皿第1参照位线^^述多条位线中的一条位线，所述第2参照位线是戶，多条 位线中的另一^^立线。7. 权利要求6中记载的不挥发性半导，fit^置，其特征在于 位于戶脱第1参照位线上的参照单元的电阻值的总和与位于戶腐第2参照位线上的参照单元的电阻值的总和 相同。8. 权利要求4中记载的不挥发性半导#^線置，其特征在于 戶皿第1参照位线和所^第2参照位线^0M多，线中不同的位线。9. 权利要求4中记载的不挥发性半导條《線置，其特征在于戶;M第i参照位线和戶;f^第2参照位线是戶/M多^i线中相邻的位线。10. 权利要求4中记载的不挥发性半导#^，置，其特征在于戶，第i参照单元和戶;f^第2参照单元位于戶;M交叉点单元阵列的大致中央部 分，或者位于成为读出赠的单元阵歹啲大致中央部分。11. 权利要求2中记载的不挥发性半导，《i^置，其特征在于戶;M第i解码器电路在第i读出操作期间给戶;f^择字线和所述第i参照字线施 加电压，在相对于戶，第u卖出操作期间时间上滞后的第2读出操作期间，给戶;Mt 择字线和戶;f^第2参照字线施加电压。12. 权利要求2中记载的不挥发性半导條f線置，其特征在于戶，第i解码器电路给j5;f^择字线、卩;m第i参照字线和所述第2参照字线施 加电压。13. 丰又利要求2中记载的不挥发性半导條f線置，其特征在于-戶皿第2解码器电路在第i读出操作期间给戶;Mii择位线和戶;M第i参照位线施 加电压，在相对于戶;M第i读出操作期间时间上滞后的第2读出操作期间，给戶;^ 择位线和所述第2参照位线施加电压。14. ...

【专利技术属性】
技术研发人员：永井裕康，中山雅义，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]