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不挥发性半导体存储装置制造方法及图纸
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下载不挥发性半导体存储装置的技术资料
文档序号:3081100
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在电阻交叉点单元阵列中,除读出时选择的存储器单元之外,产生无数个寄生电流的路径。因为该寄生电流的总和与选择的存储器单元的电流相比相当大,所以判别选择的存储器单元中存储的数据有困难。为了判别电阻交叉点单元阵列101内的存储器单元中存储的数据,...
该专利属于松下电器产业株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过松下电器产业株式会社授权不得商用。
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