高密度信息记录再生方法技术

本发明专利技术的光学记录再生方法，使用具有第１输出和波长的记录用激光、以及具有比第１输出低的第２输出和比第１波长短的第２波长的再生用激光，用ＮＡ约为０．５５的物镜将记录及再生用的激光照射在圆盘状记录媒体上，在记录媒体上形成与由记录用激光的波长和物镜的ＮＡ光学地决定的光点尺寸相比在１／４以下的微小标记。再生方式是检测出来自２维晶格结点上的上述标记的再生信号。（*该技术在2015年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及以光学记录/再生信息的装置，特别涉及在圆盘型的媒体上记录再生信息的光盘装置的高密度化。现在已作为产品的光盘装置的面密度约为880兆/平方英寸，即使是研究开发水平，克服严格的光盘使用的环境条件，可以综合地实现的高密度是成品水平的3倍左右。另外作为产品的光盘装置的使用波长是780nm，物镜的NA是0.55，记录方式是标记长记录，伺服方式是连续伺服，参考文献是ECMA(欧州计算机制造商协会)标准文件。本专利技术的目的是利用现在能实现的构成要素，实现在光盘上的最高密度的记录再生特性。所能实现的记录密度的值是10Gbit/in2。本专利技术的意图如下。(1)记录用的激光的采用输出50mw、波长680nm的半导体激光器，再生采用产生15mW以上的波长为530nm的SHG(产生二次谐波)光源。(2)物镜使用的NA是0.55的对记录用和再生用的波长进行色像差修正的物镜。(3)记录媒体使用与由波长和物镜的NA决定的光点尺寸相比，可以制成约1/4以下的微小标记的记录媒体。还可以使用具有应用了对于多层磁性膜的各层温度磁性特性不同的超解像特性的媒体。(4)作为光学系统，可以使用比由波长和物镜的NA决定的光点尺寸在盘面上更小地超解像光学系统。而且，设置成在记录再生时使用多光点的构成。(5)作为记录方式，在由轨迹方向和轨迹的半径方向形成的二维晶格的晶格结点上进行排列成同心圆状的标记的二维记录。(6)再生方式检测来自二维晶格结点上的标记的再生信号，相互使用来自各标记的再生信号进行信号处理检出信息。这时，在与晶格结点同步的时间以具有比来自光源的通常的直流光的功率更大的峰值功率的光，脉冲性地照射晶格结点，并在与晶格结点同步的时间检测晶格结点上的反射光。(7)跟踪采用所谓的采样伺服，根据离散地设置的嵌入槽制作记录和再生的时钟脉冲，根据摆动标记检测轨迹偏离信号。记录使用现时可得的并可以直接调制的波长680nm的高输出激光器，光点尺寸设在1.23微米。进而在使之具有光学的超解像效果并考虑光输出的效率的同时，使光点尽寸缩小至约7成为0.87微米。使用此光点在可以形成记录光点的1/4以下的标记的媒体上记录0.22微米直径的标记。此媒体的构成如下(1)预先设置记录有具有0.22微米的目标形状的微小标记的嵌入标记层，由采样伺服在此上产生记录点位置，由已嵌入的槽制成时钟脉冲，通过根据此时钟脉冲是否进行嵌入标记的磁性复制，在再生层上记录信息标记。在再生层上记录的标记成为嵌入标记，并且是不依赖于记录光点的微小标记。(2)在微小的区域使记录灵敏度特性局部地变化，制成不依赖于记录光点的微小标记。具体的方法是，在记录膜上以强激光照射，使得在局部产生结构缓和，减弱顽磁力。(3)预先用喷射法在光盘的基板上设置微小凹凸的模板，设置形成磁标记的核，从而容易在局部形成记录标记。由此制成不依赖于光点的微小的标记。使用采样伺服在按上述构成的标记上决定多个或单个光点，在根据由嵌入标记制成的时钟脉冲决定了光点在2维晶格结点上的位置时，进行脉冲照射，在与晶格节点同步时间检测晶格结点上的反射光，并分别采样保持。预先在学习区域求来自相邻晶格结点的干涉量，根据采样保持后的检测信号进行去除干扰量的处理，检测有无记录在格子点上的标记。附图说明图1是为说明本专利技术的记录标记和记录再生光点关系的平面图。图2是本专利技术的光学超解像的光学系统结构部件图。图3是本专利技术的光学超解像的光学滤光片结构图。图4是说明本专利技术光学超解像的效果的曲线图。图5是说明顽磁力和记录膜上温度的关系的曲线图。图6是磁性标记的记录过程的说明图。图7A、7B是本专利技术的媒体的一实施例的结构及测定结果的各自说明图。图8A、8B是本专利技术又一实施例的构成及测定结果的各自说明图。图9A、9B是本专利技术媒体的再一实施例的结构和测定结果的各自说明图。图10A、10B是TbFeCo组成的磁化标记的控制性能的曲线图。图11是光点照射引起的温度分布的曲线图。图12是顽磁力和记录温度的曲线图。图13是由富RE组成的由记录能量变化引起的标记直径变化的曲线图。图14是由富TM组成的因记录能量变化引起的标记直径变化的曲线图。图15是本专利技术的记录再生系统的构成方框图。图16是本专利技术的记录再生系统的光点配置的平面图。图17是本专利技术轨迹偏离信号检测过程的说明图。图18是检测本专利技术的轨迹偏离信号的计算电路的方框说明图。图19是说明由本专利技术检测出的轨迹偏离信号的曲线图。图20是使用了由本专利技术检测出的轨迹偏离信号的控制电路图。图21是说明本专利技术的记录方法的轨迹局部的平面图。图22是说明本专利技术记录方法的又一轨迹局部的平面图。图23是说明学习本专利技术为再生用的干涉系数的平面图。图24是本专利技术数据记录电路的概略方块图。图25是本专利技术数据检测部分的说明方框图。图26是本专利技术数据选择部分的说明方框图。图27是本专利技术数据记录部分的一个实施例的说明方框图。图28是本专利技术数据再生电路的概略方框图。图29是本专利技术数据再生中检测部分发的说明方框图。图30是本专利技术记录再生的同步修正部分的说明方框图。图31是本专利技术再生信号处理的说明方框图。图32是本专利技术的区域识别电路的说明图。图33是干涉系数的说明图。图34是二烯丙基乙烯衍生物的光谱特性的曲线图。图35是本专利技术光检测器的结构图。图36是展示光色材料的入射能量密度和透过率关系的曲线图。图37是展示光色材料的入射能量密度和透过光功率密度关系的曲线图。图38A、38B是磁性超解像的原理图。图39A、39B、39C、39D是在本专利技术的记录再生方式中的标记排列和信号处理的说明图。图40是从在本专利技术的晶格结点间隔上存在的标记检测出信号和处理区域的说明图。图41是在光盘中的局部响应(1、1)的说明图。图42是没有来自本专利技术相邻轨迹干涉的局部响应处理说明图。图43A、43B是除去和不除去来自本专利技术相邻轨迹的干涉时的局部响应波形说明图。图44A—44D是脉冲再生方式的原理说明图。图45是信号电平和噪声电平的频率频普曲线图。图46是各个噪声电平频率频谱曲线图。图47是信号电平和噪声电平的再生能量依赖特性曲线图。图48是SN的再生能量依赖特性曲线图。图49是克尔转角的温度依赖特性曲线图。图50是线速度和峰值温度保持功率的关系以及此时的SN关系曲线图。图51是直流照射时和脉冲照射时的温度分布曲线图。图52A—52D是第2脉冲再生方式说明图。为实现本专利技术的最好的形态。图1展示了本专利技术记录媒体上的结构。记录光点101、101′、101″使用波长685μm的半导体激光器的光源，在盘半径方向进行光学超解像，来自激光器的激光使用数值孔径为0.55的光学系统收集在盘面上，设定记录光点101的尺寸在盘半径方向为0.87nm，在圆周方向为1.24nm。所记录的信息标记102的大小在盘圆周方向上约0.22μm，在半径方向上约为0.30μm。信息标记102之间的最小间隔为0.22μm。轨迹的间距约为0.30μm。再生光点103a、103b、103c使用后述波长533 nm的激光的磁性超解像(FAD)和光学超解像，在盘圆周方向设成0.96μm，半径方向设成0.67μm。在信息标记102之前，形成凹凸形状的时钟脉冲标记104，摆动标记105，地址标记106等。图2展示本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高密度信息记录再生方法，其特征在于：在光学地记录／再生信息的方法中，实现１０吉比特／平方英寸以上的面密度。

【技术特征摘要】
JP 1994-7-1 150795/94;JP 1994-3-25 55419/941.一种高密度信息记录再生方法，其特征在于在光学地记录/再生信息的方法中，实现10吉比特/平方英寸以上的面密度。2.一种高密度信息记录再生方法，包括使用波长680nm的记录激光作为记录光，通过超解像光学系统将该记录激光作为记录光点照射在媒体上，用该记录光点引起的热能形成记录光点的四分之一以下的标记，使用530nm的再生激光作为再生光再生上述标记。3.如权利要术2所述的高密度信息记录方法，其中在上述媒体上进在轨迹方向和轨迹半径方向上的2维晶格的晶格结点上排列同心圆形的标记的2维记录。4.如权利要求3所述的高密度信息记录再生方法，其中检出来自上述标记的再生信号相互使用来自各标记的再生信号进行信号处理，检出信息。5.如权利要求4所述的高密度信息记录再生方法，其中根据离散性设置在上述媒体上的时钟脉冲标记制作记录和再生的时钟脉冲，从摆动标记检测出轨迹偏移信号。6.如权利要求2记载的高密度信息记录再生方法，其中预先在上述媒体上设置具有规定形状的记录了微小标记的嵌入标记层，在其上设置记录光点，通过是否由记录光点磁性转写嵌入标记，在再生层上记录信息标记。7.如权利要求了所述的高密度信息记录再生方法，其中，为了制成使上述媒体的记录灵敏度特性在微小的区域局部地变化，从而不依赖于记录光点形状的微小标记，预先用强激光照射记录膜，产生局部性的结构缓和，减弱顽磁力。8.如权利要求了所述的高密度记录再生信息方法，其中，为了制成使上述媒体的记录灵敏度特性在微小区域内局部性地变化，从而不依赖于记录光点的微小标记，预先用喷射在光盘基板上设置微小凹凸的图案，设磁性标记的形成核，使记录标记在局部容易形成，由此制成不依赖记录光点形状的微小标记。9.如权利要求1所述的高密度信息...

【专利技术属性】
技术研发人员：前田武志，杉山久贵，粟野博之，宫本治一，安藤圭吉，若林康一郎，齐藤敦，岛野健，
申请(专利权)人：株式会社日立制作所，
类型：发明
国别省市：JP[日本]