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一种垂直磁记录材料的制备方法技术

技术编号:8131499 阅读:268 留言:0更新日期:2012-12-27 04:04
本发明专利技术涉及新材料技术领域,具体涉及一种垂直磁记录材料的制备方法,得到的最终产品的c轴分散角<3°,各项性能得到显著提高。首先选取MgO(111)单晶作为基板,将经充分清洁后的MgO(111)基板放至磁控溅射设备的真空腔内,然后向磁控溅射设备的真空腔内充入氩气,调整氩气流量,得到以RuCr作为下底层的MgO(111)单晶基板;在CoW复合靶材上粘贴纯Pt金属片,制成CoWPt复合靶材,然后将溅射得到的以RuCr作为下底层的MgO(111)单晶基板移至CoWPt复合靶材处,在磁控溅射设备中通入氩气,得到最终产品CoWPt/RuCr/MgO材料,其磁晶各向异性能为4.2~6.1×106erg/cc。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及新材料
,具体涉及。
技术介绍
信息时代的今天,磁记录是主要的存储手段,磁存储的主要技术一硬磁盘技术也经历了由水平记录向垂直记录的重大变革。随着计算机及网络技术的发展,人们需要越来越高的数据存储密度。随着记录密度的提高,水平磁记录方式逐渐暴露出很多缺点,已经无法满足高存储密度的要求。第一,随着密度的提高,记录波长缩短,记录位退磁场增强,导致记录信号的不稳定;第二,为了确保记录信息的准确性、可靠性,必须保证充分的信噪比SNR (SignalNoise Ratio, SNR)。SNR与记录单元中晶粒的数量成正比,为了保证信噪比,应使记录单元中具有足够数量的晶粒,而记录密度的提高意味着必须减小记录单元的面积,因此必须通过减小晶粒尺寸来提高面密度。但是,粒子越小,将其翻转所需的能量越低,小到一定程度时,晶粒的热振动能量会破坏磁有序状态,室温下使记录位剩磁在短时间内下降甚至为零,即所谓超顺磁效应。信噪比-介质的热稳定性-写磁头的写入能力三者之间形成了一种层层递进的制约关系。垂直磁记录介质是实现超高密度垂直磁存储的重要一环,新一代的垂直磁记录技术被认为可以实现Tbit/in本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种垂直磁记录材料的制备方法,其特征在于按如下步骤进行:(1)基板选择:选取MgO(111)单晶作为基板,将其放入装有丙酮的超声波容器中清洗1min后脱脂,再用棉棒蘸酒精轻擦基板表面,随后再次将基板放入装有丙酮的超声波容器中清洗3min,最后将基板放入装有酒精的超声波容器中清洗3min后,取出吹干;(2)基板预热:将经充分清洁后的MgO(111)基板放至磁控溅射设备的真空腔内,抽真空,通电加热至300℃,烘烤1h,然后冷却2h,并继续保持真空状态;(3)下底层成分调整:首先在纯金属Ru靶上粘贴纯Cr金属片作为RuCr复合靶材,然后向磁控溅射设备的真空腔内充入氩气,调整氩气流量,将溅射压力调节为...

【技术特征摘要】
1.ー种垂直磁记录材料的制备方法,其特征在于按如下步骤进行 (1)基板选择选取MgO(111)单晶作为基板,将其放入装有丙酮的超声波容器中清洗Imin后脱脂,再用棉棒蘸酒精轻擦基板表面,随后再次将基板放入装有丙酮的超声波容器中清洗3min,最后将基板放入装有酒精的超声波容器中清洗3min后,取出吹干; (2)基板预热将经充分清洁后的MgO(111)基板放至磁控溅射设备的真空腔内,抽真空,通电加热至300°C,烘烤Ih,然后冷却2h,并继续保持真空状态; (3)下底层成分调整首先在纯金属Ru靶上粘贴纯Cr金属片作为RuCr复合靶材,然后向磁控溅射设备的真空腔内充入氩气,调整氩气流量,将溅射压カ调节为flOmTorr,其溅射电压为240V,溅射电流为30mA,得到以RuCr作为下底层的MgO(Ill)单晶基板; (4)磁性层薄膜的制备在CoW复合靶材上粘贴纯Pt金属片,制成CoWPt复合靶材,然后将溅射得到的以RuCr作为下底层的MgO(Ill)单晶基板移至CoWPt复合靶材处,在磁控溅射设备中通入氩气,在RuCr下底层上溅射CoWPt磁性薄膜,溅射电压240V,溅射电流30mA,溅射压カ为5 IOmTorr,得到最终产品CoWPt/RuCr/MgO材料。2.根据权利要求I所述的ー种垂直磁记录材料的制备方法,...

【专利技术属性】
技术研发人员:王建军刘春明
申请(专利权)人:东北大学
类型:发明
国别省市:

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