制造薄膜磁头的方法以及用该方法制造的磁头技术

技术编号:3071462 阅读:191 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
一种制造磁头的方法,其中包括形成在基片上的具有多个导电连接线路的传感系统以及具有多个导电连接线路的磁头面敏感系统的多层结构,并且其中为形成磁头面而进行处理操作,其处理操作是根据在磁头面敏感系统上进行的测量终止的,其特征在于,至少传感系统的连接线路之一的一部分和至少磁头面敏感系统的连接线路之一的一部分构成公共连接线路。(*该技术在2016年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种制造磁头的方法,其中包括形成在基片上的具有多个导电连接线路的传感系统以及具有多个导电连接线路的磁头面敏感系统的多层结构,并且其中为形成磁头面而进行处理操作,其处理操作是根据在磁头面敏感系统上进行的测量终止的。这种方法由EP-A 036 778公知的。根据公知的方法,在基片上形成一系列薄膜传感元件,每个元件装有具有公共导线和折回导线的磁致电阻元件。由于形成多个传感元件的同时,电叠层导线(ELGS)沉积在传感元件系列的末端。与磁致电阻元件的公用和折回导线相似,ELGs连接到多路转接器。在磁头面的形成期间,首先测量ELGs的电阻,以便控制粗叠层处理,并且,接着测量单个磁致电阻元件的电阻,以便控制细叠层处理,用于确定磁致电阻元件的极限高度。这样得到的已知磁头中,磁致电阻元件邻接磁头面。这种磁头属于敏感器间隙内磁头类型,称为SIG磁头。该已知方法不适合制造磁致电阻元件不邻接磁头面而形成部分磁轭的磁头。这些磁头被称作YMR磁头。已知方法的另一个重要缺点是为建立所需的测量连接需要许多导电体,从技术的观点来看,因为在薄膜磁头中限制了可用的空间,所以就会产生难于实现的复杂导体图本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种制造磁头的方法,其中包括形成在基片上的具有多个导电连接线路的传感系统以及具有多个导电连接线路的磁头面敏感系统的多层结构,并且其中为形成磁头面而进行处理操作,其处理操作是根据在磁头面敏感系统上进行的测量终止的,其特征在于,至少传感系统的连接线路之一的一部分和至少磁头面敏感系统的连接线路之一的一部分构成公共连接线路。2.根据权利要求1的方法,其特征在于,至少传感系统的连接线路的另一个的一部分和至少磁头面敏感系统的连接线路的另一个的一部分构成另一个公共连接线路。3.根据权利要求2的方法,其特征在于,具有多个磁头面敏感器的磁头面敏感系统构成为磁头面敏感系统,其中至少传感系统的传感元件形成在两个磁头面敏感器之间,公共连接线路连接到两个磁头面敏感器之一和另一公共连接线路连接到两个磁头面敏感器的另一个。4.根据权利要求2或3的方法,其特征在于,不与磁头面敏感系统的公...

【专利技术属性】
技术研发人员:E·A·德拉爱思马H·A·J·尼尔霍夫
申请(专利权)人:翁斯特里姆公司
类型:发明
国别省市:

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