具有连续磁导的磁头制造技术

多道磁头具有以磁信息介质相对于磁头可作相对移动的第一方向（Ｘ）和以横截于第一方向的的第二方向（Ｙ）延伸的端面（１０１）。以第一方向观察，磁头结构包括并置的传感元件（１０７），和以第二方向和横截于第一方向（Ｘ）和第二方向（Ｙ）的第三方向（Ｚ）延伸并到达端面的磁导（１１３ａ、１１３ｂ）。在第二方向上是连续的磁导相对传感元件被设置并具有一个在第二方向上比在第三方向上小的相对磁导率（μ↓［ｒｙ］），以形成磁道隔离。（*该技术在2017年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种磁头，该磁头具有一个以磁信息介质相对于磁头可作相对移动的第一方向和以横截于第一方向的第二方向延伸的端面，并包括一个磁头结构，该磁头结构具有一个其有效尺寸平行于第二方向延伸的传感元件，和一个以第二方向和横截于第一和第二方向的第三方向延伸的并到达端面的磁导，该磁导可与传感元件磁耦合并且具有在第二方向上的第一尺寸和在第三方向上的第二尺寸。本专利技术也涉及一种多道磁头，该多道磁头具有一个以磁信息介质相对于磁头可作相对移动的第一方向和以横截于第一方向的第二方向延伸的端面，并且包括一个磁头结构，该磁头结构具有传感元件，该传感元件以第一方向观察是并置的，和磁导，该磁导以第二方向观察是并置的并至少以第二方向和以横截于第一和第二方向的第三方向延伸，且到达端面。采用薄膜技术制造的磁头已由NL-A8902884(PHN 13.144)所公知，该磁头具有一个端面并包括具有多层结构的基片。该多层结构包括多个共面的软磁层，这些软磁层相互空间隔离并到达与磁记录介质磁配合的端面内。多层结构也没有与所述层，即磁阻或电感元件磁耦合的传感元件。每个传感元件具有一个有效部分，在该部分内在操作期间可检本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种磁头，该磁头具有一个以磁信息介质相对于磁头可作相对运动的第一方向和横截于第一方向的第二方向延伸的端面，和包括一个磁头结构，该磁头结构具有一个其有效尺寸平行于第二方向延伸的传感元件，和一个以第二方向和垂直于第一和第二方向的第三方向延伸并到达端面的磁导，该磁导可与传感元件磁耦合并在第一方向上具有第一尺寸和在第三方向上具有第二尺寸，其特征在于，磁导在第二方向上具有的相对磁导率比在第三方向上的要小，第一尺寸比第二尺寸大且比传感元件的有效尺寸也大。

【技术特征摘要】
EP 1996-3-27 96200828.0;EP 1996-10-30 96203031.81.一种磁头，该磁头具有一个以磁信息介质相对于磁头可作相对运动的第一方向和横截于第一方向的第二方向延伸的端面，和包括一个磁头结构，该磁头结构具有一个其有效尺寸平行于第二方向延伸的传感元件，和一个以第二方向和垂直于第一和第二方向的第三方向延伸并到达端面的磁导，该磁导可与传感元件磁耦合并在第一方向上具有第一尺寸和在第三方向上具有第二尺寸，其特征在于，磁导在第二方向上具有的相对磁导率比在第三方向上的要小，第一尺寸比第二尺寸大且比传感元件的有效尺寸也大。2.根据权利要求1的一种磁头，其特征在于，第一尺寸比第二尺寸至少约大2倍。3.根据权利要求1或2的一种磁头，其特征在于，磁导在第三方向上具有的相对磁导率比在第二方向上的相对磁导率至少大25倍。4.根据权利要求1、2或3的一种磁头，其特征在于，传感元件是一个电感元件。5.根据权利要求1、2、或3的一种磁头，其特征在于，传感元件是一个磁阻元件。6.根据权利要求5的一种磁头，其特征在于，磁导在第三方向上是间断的，用于形成由磁阻元件跨接的缝隙。7.根据前面权利要求的任一个所述的一种磁头，其特征在于，磁导的第一尺寸至少比传感元件的有效尺寸大40％。8.根据权利要求1到7的任一个所述的一种磁头，其特征在于，设有几个磁导，从第一方向观察是并置的，每个磁导实施为权利要求1到7的任一个所述的磁导，并与...

【专利技术属性】
技术研发人员：JJM瑞罗克，GHJ索梅尔斯，HW范克斯特伦，
申请(专利权)人：翁斯特里姆公司，
类型：发明
国别省市：NL[荷兰]