【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种应用在磁记录装置例如磁盘驱动器、磁带记录装置等中的磁头;以及制造该磁头的方法。关于应用在磁记录装置例如磁盘驱动器、磁带记录装置等中的磁头,有一种感应型记录/重现磁头以及一种装备有感应型记录磁头和磁阻(磁致电阻)型重现磁头的组合磁头。近些年来,由于磁盘驱动器等的密度增高需要更高性能的磁头。由于磁头要满足这种要求,可以将该不取决于磁记录介质的速度工作的MR磁头安装到小型磁盘驱动器中,并可以得到高的输出,已怀很大兴趣对此予以关注。为了在这种磁头中实现高记录密度,必须改进磁记录介质的线记录密度和磁道密度。相应地,需要具有更窄芯体宽度的磁头可以高频记录,并且磁头具有较少的记录侧向边缘效应或者漏出现象。其中“记录的侧向边缘效应”意指一种现象,即在写入时对目标磁道相邻的磁道产生影响,使得记录磁场沿磁道宽度方向向外扩展。在薄膜磁头例如其中安装MR(磁)头的磁头中已公知一种称之为组合磁头的磁头。通过将一由磁记录介质读出磁信息的多层重现(磁)头RE和一向磁记录介质以磁方式写入信息的多层记录(磁)头WR沿层叠方向进行层叠形成组合磁头。在重现(磁)头RE和记录(磁 ...
【技术保护点】
一种制造磁头的方法,包括步骤: 形成下记录磁极和上记录磁极;以及 对所述上记录磁极的浮动表面附近的细长磁极部分和位于低于并围绕所述细长磁极部分的所述下记录磁极的上部分利用离子磨削法进行局部修整,以此调节所述细长磁极部分的芯体宽度。
【技术特征摘要】
JP 1998-6-30 184780/981.一种制造磁头的方法,包括步骤形成下记录磁极和上记录磁极;以及对所述上记录磁极的浮动表面附近的细长磁极部分和位于低于并围绕所述细长磁极部分的所述下记录磁极的上部分利用离子磨削法进行局部修整,以此调节所述细长磁极部分的芯体宽度。2.根据权利要求1所述的制造磁头的方法,其中的离子磨削法将相对于所述上记录磁极的侧表面的离子入射角θi设定在65°~85°的范围内。3.根据权利要求1所述的制造磁头的方法,其中利用离子磨削法将下记录磁极的记录缝隙层和上部调节得基本上与所述细长磁极部分的芯体宽度相同。4.一种制造组合磁头的方法,该组合磁头其中包括重现磁头和记录磁头,该方法包括步骤形成下记录磁极;在所述下记录磁极上形成记录缝隙薄层;形成记录线圈,置入在所述记录缝隙薄层上的非磁性绝缘薄层中;在所述非磁性绝缘薄层上形成上记录磁极;以及利用离子磨削法对所述上记录磁极和所述下记录磁极进行局部修整;以此使所述上记录磁极的芯体宽度成形,并使下记录磁极的上部分被形成与所述芯体宽度相一致。5.根据权利要求4所述的制造组合磁头的方法,还包括步骤在形成上记录磁极的步骤之前在所述非磁性绝缘薄层上镀覆基层;以及在所述镀覆基层上形成防反射层。6.根据权利要求4所述的制造组合磁头的方法,还包括步骤在形成记录缝隙层的步骤之后在所述记录缝隙薄层上形成缝隙保护层。7.根据权利要求4所述的制造组合磁头的方法,其中在利用离子磨削法对所述上记录磁极和所述下记录磁极进行局部修整的步骤中,按照在20°~40°的范围...
【专利技术属性】
技术研发人员:大冢善德,田河育也,池川幸德,沓泽智子,上原祐二,长谷川实,
申请(专利权)人:富士通株式会社,
类型:发明
国别省市:JP[日本]
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