磁头及制造磁头的方法技术

提供一种磁头和制造该磁头的方法，能够通过对磁极整形提高所产生的磁场强度。该制造磁头的方法包括的步骤有：形成下记录磁极和上记录磁极，对邻近上记录磁极的浮动表面的细长磁级部分和位置低于和围绕该细长磁极部分的下记录磁极的上部分利用离子磨削法进行局部修整，其中细长磁级部分的芯体宽度可以调节。（*该技术在2018年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种应用在磁记录装置例如磁盘驱动器、磁带记录装置等中的磁头；以及制造该磁头的方法。关于应用在磁记录装置例如磁盘驱动器、磁带记录装置等中的磁头，有一种感应型记录/重现磁头以及一种装备有感应型记录磁头和磁阻(磁致电阻)型重现磁头的组合磁头。近些年来，由于磁盘驱动器等的密度增高需要更高性能的磁头。由于磁头要满足这种要求，可以将该不取决于磁记录介质的速度工作的MR磁头安装到小型磁盘驱动器中，并可以得到高的输出，已怀很大兴趣对此予以关注。为了在这种磁头中实现高记录密度，必须改进磁记录介质的线记录密度和磁道密度。相应地，需要具有更窄芯体宽度的磁头可以高频记录，并且磁头具有较少的记录侧向边缘效应或者漏出现象。其中“记录的侧向边缘效应”意指一种现象，即在写入时对目标磁道相邻的磁道产生影响，使得记录磁场沿磁道宽度方向向外扩展。在薄膜磁头例如其中安装MR(磁)头的磁头中已公知一种称之为组合磁头的磁头。通过将一由磁记录介质读出磁信息的多层重现(磁)头RE和一向磁记录介质以磁方式写入信息的多层记录(磁)头WR沿层叠方向进行层叠形成组合磁头。在重现(磁)头RE和记录(磁)头WR之间的一个交界元件即位于在记录磁头侧的重现磁头RE的一对磁屏蔽层中的一层(称之为“上重现磁屏蔽层”或下文简称“上磁屏蔽层”)公用为位于在记录磁头侧的记录磁头中的一对磁极中的一层(称为“下记录磁极”或下文简称为“下磁极”)。因此，对该层的形状要加一定的限制，以及记录磁头WR的下磁极中面向磁记录介质的侧表面(ABS(空气支承表面)或浮动表面)其形成不可避免地要宽于磁记录介质的记录磁道宽度。由于这一原因，在写入操作中由下磁极产生的记录磁场沿记录介质的磁道方向向宽扩展。因此，难于通过使磁道宽度变窄来降低磁道间距从而改进记录密度。下磁极和上磁极在螺旋记录线圈12的中心区域彼此连接。在下磁极的ABS和上磁极的ABS之间产生记录磁场。为了改善记录密度，要求上磁极的ABS必须整形时应尽可能少，因此必须降低记录的侧向边缘效应。本专利技术要解决的问题。在该记录磁头中，经适当分析，将施加到磁记录介质上的磁场强度设定约2倍于记录介质的矫顽力Hc。目前的记录介质的矫顽力Hc接近2500奥(奥斯特)。因此，本专利技术的专利技术人首先将具有约5000奥斯特的记录磁场的磁头作为目标。其次，本专利技术的专利技术人将上记录磁极的芯体宽度(ABS的纵向尺寸)达到小于1微米作为另一目标。然而，上记录磁极形成在该在下记录磁极上形成的层间绝缘层上。由于位于在下记录磁极上方的记录线圈置入在层间绝缘层中，这一层间绝缘层在其外侧具有大的阶状部分(高的阶状部分)。如在附图说明图1A中所示，如果将液体抗蚀剂涂覆在具有高的阶状部分的层间绝缘层11上，由于抗蚀剂具有流动能力，抗蚀剂115具有这样一种趋势，即在高的阶状部分(平坦部分)层厚变得相对薄，而在下阶状部分(阶状部分底部)由于滞留抗蚀剂使层厚变得相对厚。因此，在形成上磁极时，必须将上磁极置于具有高的阶状部分的层间绝缘层111之上，然后确定图形等。为了形成预定层厚的上磁极，在平坦部分上需要约6微米的抗蚀剂层厚。在这种情况下，在阶状部分底部上的抗蚀剂的层厚变得约10微米。通过利用层厚大约10微米的抗蚀剂要实现在上磁极的ABS上1微米的目标芯体宽度是十分困难的。作为克服该问题的防范措施，本申请的申请人先前已经提出一项技术，如1997.4.25申请的9-109845号日本专利申请(该申请在本日本申请的申请日期还未对公众公开)，通过利用聚焦的离子束(FIB)法对上记录磁极进行局部修整。在这一序号为9-109845的日本专利申请文件中所公开的技术是，在制造组合磁头的步骤中，在最终阶段将基片分成浮动块之前或之后，通过利用聚焦的离子束法由ABS侧对上记录磁极进行局部修整和整形，以窄化芯体宽度。图1B是表示利用聚焦的离子束法对上磁极进行修整的视图。如在图1B中示意表示的，在其中形成上磁极的磁头中，上磁极116局部覆盖螺旋记录线圈112。上磁极116具有一细长(即长而窄)的指向记录介质的磁极部分116a。图1C是表示通过利用聚焦的离子束法对细长磁极部分116a进行修整的放大图。更具体地说，在已确定上磁极116的图形后，通过照射聚焦的离子束对与在上磁极16中的缝隙层相接触的细长磁极部分的两侧面和位置低于和围绕该细长磁极部分的下磁极进行修整。根据这一修整处理，将上磁极116中的细长磁极芯体宽度116a整形为预期的形状，同时在位置低于和在细长磁极部分的两侧的下磁极中的上部分上形成凹槽或凹部。图2是表示聚焦的离子束设备的视图。这一设备包括一具有离子源、透镜系统、台等的图形绘制部分，以及控制和数据处理部分。由于离子束具有良好的直线传播特性，聚焦的离子束法的特点是能形成十分精确的图形。此外，可以形成具有高形状尺寸比的精确图形。因此，如果采用聚焦的离子束法，通过修整处理可以将细长磁极部分116a整形为预期的精确图形。如果采用具有已整形为这种预期精确图形的细长磁极部分的上磁极，可以将在上磁极和下磁极之间产生的记录磁场沿磁道宽度的方向的扩展抑制到最低最小。因此，具有这种上磁极的磁头可以在具有高磁道密度的磁记录介质上记录信息。但是，通过利用聚焦的离子束法来实行对磁极的修整处理在现有状态生产率是十分差的。利用图2中所示的FIB设备可以实行聚焦的离子束法。为了将经整形的细长磁极部分的芯体宽度修整到1微米范围内，将离子束聚焦到在每个磁头中的细长磁极部分两侧上的预定位置，然后确定图形绘制区域，以便进行修整操作。由于多个磁头形成在该基片上，需要充分的时间按照磁头的数目重复各步骤。例如，如果对每一磁头的处理时间设定约10秒，要花一天或更长(27.7倍)来处理一张晶片，这是由于在一直径为5英寸晶片中包括约10000个磁头，它们尺寸是相当小的。为了在实际生产中利用该磁头，处理时间必须大为缩短，此外必须安装大量的FIB设备，但这并不是实用的解决方案。因此，实际需要一种新的优良技术，其可替代采用聚焦的离子束的磁头制造方法。此外，更重要的是，在序号为9-109845的日本专利申请文件的上述技术已公开对上磁极和下磁极的局部修整处理，但是关于修整的范围，即对于磁头的特性可以产生良好影响的修整形状没有提到。因此本专利技术的一个目的是提供一种优异的磁头，其能克服上述问题。本专利技术的另一个目的是提供一种适用于高密度记录的具有窄的芯体宽度的磁头。本专利技术的再一目的是提供一种新型磁头的制造方法。本专利技术的再一目的是提供一种适用于高密度记录具有窄的芯体宽度的磁头。根据本专利技术，提供一种制造磁头的方法，包括步骤形成下记录磁极和上记录磁极；利用离子磨削法对邻近上记录磁极的浮动表面的细长磁极部分和位置低于并围绕细长磁极部分的下记录磁极的上部分进行局部修整；以此调节该细长磁极部分的芯体宽度。通过利用离子磨削法，修整处理时间可以比FIB法大为缩短。通过不仅对上记录磁极而且对下记录磁极的上部分进行修整，可以使记录的侧向边缘效应或漏出现象降低很多。在根据本专利技术的制造磁头的方法中，该离子磨削法将相对于上记录磁极的侧表面的离子入射角θi设定在65°到85°的范围内。因此，可以基本防止上磁极表面层厚的降低。在根据本专利技术的制造磁头的方法中，利用离子磨削本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造磁头的方法，包括步骤： 形成下记录磁极和上记录磁极；以及 对所述上记录磁极的浮动表面附近的细长磁极部分和位于低于并围绕所述细长磁极部分的所述下记录磁极的上部分利用离子磨削法进行局部修整，以此调节所述细长磁极部分的芯体宽度。

【技术特征摘要】
JP 1998-6-30 184780/981.一种制造磁头的方法，包括步骤形成下记录磁极和上记录磁极；以及对所述上记录磁极的浮动表面附近的细长磁极部分和位于低于并围绕所述细长磁极部分的所述下记录磁极的上部分利用离子磨削法进行局部修整，以此调节所述细长磁极部分的芯体宽度。2.根据权利要求1所述的制造磁头的方法，其中的离子磨削法将相对于所述上记录磁极的侧表面的离子入射角θi设定在65°～85°的范围内。3.根据权利要求1所述的制造磁头的方法，其中利用离子磨削法将下记录磁极的记录缝隙层和上部调节得基本上与所述细长磁极部分的芯体宽度相同。4.一种制造组合磁头的方法，该组合磁头其中包括重现磁头和记录磁头，该方法包括步骤形成下记录磁极；在所述下记录磁极上形成记录缝隙薄层；形成记录线圈，置入在所述记录缝隙薄层上的非磁性绝缘薄层中；在所述非磁性绝缘薄层上形成上记录磁极；以及利用离子磨削法对所述上记录磁极和所述下记录磁极进行局部修整；以此使所述上记录磁极的芯体宽度成形，并使下记录磁极的上部分被形成与所述芯体宽度相一致。5.根据权利要求4所述的制造组合磁头的方法，还包括步骤在形成上记录磁极的步骤之前在所述非磁性绝缘薄层上镀覆基层；以及在所述镀覆基层上形成防反射层。6.根据权利要求4所述的制造组合磁头的方法，还包括步骤在形成记录缝隙层的步骤之后在所述记录缝隙薄层上形成缝隙保护层。7.根据权利要求4所述的制造组合磁头的方法，其中在利用离子磨削法对所述上记录磁极和所述下记录磁极进行局部修整的步骤中，按照在20°～40°的范围...

【专利技术属性】
技术研发人员：大冢善德，田河育也，池川幸德，沓泽智子，上原祐二，长谷川实，
申请(专利权)人：富士通株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]