磁头滑块的制造方法技术

本发明专利技术提供一种磁头滑块的制造方法，该方法包括：在磁头滑块的空气承载面上形成第一保护膜，磁头滑块形成有写入元件和读取元件中的至少任意一个（步骤Ｓ３）；在形成了第一保护膜的磁头滑块的空气承载面上形成用于控制磁头滑块的飞行特性的凹凸部（步骤Ｓ４）；从形成了凹凸部的磁头滑块的空气承载面开始将第一保护膜的一部分除去使该第一保护膜变薄（步骤Ｓ５）；在变薄后的第一保护膜上形成第二保护膜（步骤Ｓ６）。本发明专利技术的磁头滑块的制造方法可在磁头滑块上形成抑制膜厚度并且耐腐蚀性优异的保护膜。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及，尤其涉及空气承载面上的保护膜的形成方法。
技术介绍
在硬盘装置中，磁头滑块(以下称为滑块。)相对于记录媒体(硬盘或磁盘)以微 小的空间飞行，读取来自记录媒体的数据，以及向记录媒体写入数据。对于进行从记录媒体读取数据以及向记录媒体写入数据的磁头，必须在各种环境 下防止磁头的腐蚀，并且对磁头与记录媒体的冲撞进行保护。因此，在滑块面向记录媒体的 一面，即空气承载面上形成由类金刚石碳膜(DLC)等构成的保护膜。但是，近年来随着记录媒体高记录密度化的进步，需要进一步减小滑块与记录媒 体的距离。更准确地，意味着减小读取元件和写入元件与记录媒体的距离。因此，减小保 护膜的膜厚度是有效的。但是由于保护膜形成在由研磨(lapping)所产生的凹凸的滑块 表面上，因此其膜厚度容易受到凸凹的影响。在膜厚度小的部位，保护膜上容易产生小孔 (pinhole)，这种小孔是造成位于其下方的读取元件和写入元件受腐蚀的原因。因此，为了 减小滑块与写入元件的距离而单纯地减小保护膜的厚度是困难的。鉴于以上课题，专利文献1中公开了滑块的保护膜的形成方法。根据此方法，在滑 块的空气承载面上依次层积硅(Si)膜和DLC膜。接着，以该状态进行飞行面的加工，之后先 完全除去硅膜和DLC膜。飞行面的加工是指，在空气承载面上形成凹凸部，该凹凸部用于在 驱动记录媒体时通过控制进入滑块和记录媒体之间的气流的流动来控制滑块的飞行特性。 之后重新形成保护膜，并通过从倾斜方向照射离子束(ion beam)来除去保护膜的一部分。可是，即使使用这种方法仍然无法形成耐腐蚀性优异的保护膜。据推测，这是因为 虽然只想对硅膜和DLC膜进行蚀刻(etching)，但是无论怎样都会在位于硅膜和DLC膜下方 的写入元件和读取元件上留下蚀刻损伤，对元件的可靠性有影响。特别是今后为了进一步 高记录密度化，需要更加降低写入元件和读取元件与记录媒体的距离，为了提高耐腐蚀性 而增加保护膜厚度度的方式是困难的。专利文献1 日本特开2007-26506号公报
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种，该方法可形成抑制膜厚度并且 耐腐蚀性优异的保护膜。根据本专利技术，包括在磁头滑块的空气承载面上形成第一保 护膜，所述磁头滑块形成有写入元件和读取元件中的至少任意一个；在形成了第一保护膜 的磁头滑块的空气承载面上形成用于控制磁头滑块的飞行特性的凹凸部；从形成了凹凸部 的磁头滑块的空气承载面开始将第一保护膜的一部分除去使第一保护膜变薄；在变薄后的 第一保护膜上形成第二保护膜。形成凹凸部时需要保护写入元件和读取元件，因此形成第一保护膜。通过凹凸部的形成工序使第一保护膜受到了损伤因此先将其除去，但不是全部除去，而是只残留一部 分。因此，可防止除去第一保护膜时有可能对写入元件和读取元件造成的损伤。残留的第一 保护膜为变薄后的状态，但通过再次形成第二保护膜的工序，可形成可靠性高的保护膜。此 外，由于先除去第一保护膜的一部分，因此能够容易地抑制最后的保护膜的膜厚度的增加。因此，根据本专利技术，可以提供一种，该方法可形成抑制膜厚度 并且耐腐蚀性优异的保护膜。附图说明图1是表示本专利技术一个实施方式所涉及的滑块的立体图。图2是表示图1所示的滑块沿图1中2-2线的剖视图。图3是表示本专利技术的滑块的制造方法的流程图。图4是表示晶圆的切断方法和长形条(row-bar)的研磨(lapping)方法的概念 图。图5是滑块的保护膜附近的局部截面图。 具体实施例方式首先，参照附图对作为本专利技术的对象的滑块进行说明。图1表示用本专利技术所制造 的滑块的一个实施例的立体图。附图中，受到旋转驱动的圆盘状记录媒体(未图示)位于滑 块21的上方。滑块21包括基板27和薄膜磁头部28。滑块21大致呈六面体形状，使六面 中的一面与记录媒体相对。这一面称为空气承载面ABS。在滑块21的空气承载面ABS上形 成用于控制滑块21的飞行特性的凹凸部13 (飞行面)，凸部包括读写部(read-write) 24、 具有段差的导轨部(rail) 25a、25b，其余部分为凹部26，其中，读写部24设置有薄膜磁头部 28的写入元件11和读取元件12 (参照图2)。如果记录媒体旋转，则由流过记录媒体和滑块21之间的空气流对滑块21产生y 方向朝下的升力。通过该升力使滑块21从记录媒体的表面飞行。χ方向为记录媒体的磁 轨(track)横截方向，ζ方向为记录媒体的圆周方向。沿ζ方向形成整个导轨部25a，在滑 块21的空气流出侧的端部(图中，左下方的端部)侧形成有薄膜磁头部28。空气从导轨 部25b和记录媒体之间的微小间隙进入，经两侧导轨部25a整流并到达读写部24，再从读写 部24和记录媒体之间的间隙流出，通过这样，滑块21从记录媒体的表面飞行。因此，当薄 膜磁头元件部28在记录媒体上进行读取或写入时，通过空气承载面ABS的凹凸部13，滑块 21可以相对于记录媒体飞行。图2是表示图1所示的滑块沿图1中2-2线的剖视图。图2中，记录媒体M位于 图2中空气承载面ABS的上侧，沿垂直于附图的方向扩展。薄膜磁头部28包括从记录媒 体M读取磁记录的读取元件11、以及在记录媒体M上写入磁记录的、含有诱导型磁转换元件 (磁気变换素子)的记录元件12，但也可以只包括其中任意一个。写入元件12可以采用下 列方式中的任意一种在记录媒体M的面内方向上进行写入的水平记录方式、以及在记录 媒体M的面外方向进行写入的垂直记录方式。薄膜磁头部28具有以下结构在图中右侧的含有氧化铝-碳化钛复合物 (Al2O3 · TiC)等陶瓷材料的基板27上，向左依次层积各层。在基板27上(图中为左侧，下同。)，经过绝缘层，形成例如含有坡莫合金(NiFe)的屏蔽层(shield) 31。在屏蔽层31上， 面向空气承载面ABS设置读取元件11。作为读取元件11，可以使用各向异性磁阻效应(AMR， Anisotropic Magneto-Resistance)兀件、巨磁阻效应(GMR,Giant magneto-resistive)兀 件、或者隧道磁阻效应(TMR，Tunneling magneto-resistive effect)元件等利用显示磁阻 效应的磁感应膜(magnetic sensing film)的元件。读取元件11上连接了提供感应电流 的一对读取层(未图示)。在读取元件11的上方形成写入元件12。写入元件12包括如下所述的下部磁极层 33、写入间隙层(gap) 34、上部磁极层35、线圈(coil) 37a、37b、连接部36、绝缘层38、39、40 等。以下对这些要素进行具体说明。首先，在读取元件11上形成例如含有坡莫合金、CoNiFe等磁性材料的下部磁极层 33。下部磁极层33兼具作为写入元件12的下部磁极层的功能和作为读取元件11的上部 屏蔽层的功能。经过用于绝缘的写入间隙层34，在下部磁极层33上设置上部磁极层35。作为写 入间隙层34的材料，例如可使用NiP等非磁性金属材料。作为上部磁极层35的材料，例如 可以使用坡莫合金、CoNiFe等磁性材料。通过连接部36将下部磁极层33和上部磁极层35 连接，整体形成一个U字形磁体。在上部磁极层35和下部磁极层33之间，设置含有铜等导电性本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种磁头滑块的制造方法，该方法包括：在磁头滑块的空气承载面上形成第一保护膜，所述磁头滑块形成有写入元件和读取元件中的至少任意一个；在形成了所述第一保护膜的所述磁头滑块的所述空气承载面上形成用于控制该磁头滑块的飞行特性的凹凸部；从形成了所述凹凸部的所述磁头滑块的所述空气承载面开始将所述第一保护膜的一部分除去，使该第一保护膜变薄；以及在变薄后的所述第一保护膜上形成第二保护膜。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：上田国博，方宏新，王东，
申请(专利权)人：新科实业有限公司，
类型：发明
国别省市：HK[中国|香港]