磁光存储介质及其再现方法技术

一种磁光存储介质，包括：在室温为平面内磁化而被再现光束加热到超过预定温度时为垂直磁化的再现层；与再现层静磁耦合的记录层；和与记录层相邻设置，具有在上述预定温度的居里温度的平面内磁化层；在低于预定温度的温度，屏蔽在记录层以高密度记录的信号。然而，在高于预定温度的温度，在形成部分平面内磁化层的磁畴中，记录层和再现层静磁耦合，记录层的记录比特复制并扩展到再现层中的磁畴中。因此，能以高信号质量再现信息。（*该技术在2018年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及磁光记录和再现装置中使用的诸如磁光盘、磁光带、或磁光卡之类的磁光存储介质，并涉及其再现方法。过去，磁光存储介质已经被应用为一种可重写的光存储介质，在这类磁光存储介质中，通过将半导体激光器发射的光束聚焦在磁光存储介质上来再现其上记录的信息。这种磁光存储介质的存在的一个问题是如果作为用于记录的磁畴的记录比特之间的直径和间隔相对于光束的直径变得太小，再现特性则会变坏。这一问题是由于相邻记录比特落入聚焦在目标记录比特上的光束直径内而不能区分和再现单个记录比特造成的。为解决上述问题，日本待审专利公开No.6-150418/1994(对应于美国专利申请No.08/147,373的平6-150418)(下文称之为“现有实例1”)提出了一种包括设置在再现层和记录层之间的非磁性中间层的磁光存储介质，该再现层在室温为面内磁化，但随着温度的升高改变成垂直磁化，其中再现层和记录层静磁耦合。通过这种方法，由于面内被磁化的再现层的区域屏蔽记录层的磁畴中记录的信息，即使相邻记录比特落入聚焦光束的直径内，也可区分和再现单个记录比特。另外，应用物理杂志69(27)，第4257-59页中发表的题为“本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种磁光存储介质，包括： 一层由垂直磁化膜制成的记录层； 一层至少在信号再现畴内垂直磁化，并与所述记录层磁耦合的再现层；和 一层与所述再现层分开设置，并且至少在室温抑制所述记录层和所述再现层磁耦合的磁屏蔽层。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 1997-8-28 232227/97;JP 1997-3-6 51372/97;JP 1991.一种磁光存储介质，包括一层由垂直磁化膜制成的记录层；一层至少在信号再现畴内垂直磁化，并与所述记录层磁耦合的再现层；和一层与所述再现层分开设置，并且至少在室温抑制所述记录层和所述再现层磁耦合的磁屏蔽层。2.一种磁光存储介质，包括一层由垂直磁化膜制成的记录层；一层至少在信号再现畴内垂直磁化，并与所述记录层磁耦合，并且其中通过光束发射产生比所述记录层的记录磁畴更大的再现磁畴的再现层；和一层与所述再现层分开设置，并且至少在室温抑制所述记录层和所述再现层的磁耦合的磁屏蔽层。3.根据权利要求1所述的磁光存储介质，其中所述磁屏蔽层由其磁化在高温降低的平面内磁化层制成。4.根据权利要求3所述的磁光存储介质，其中在室温，所述磁屏蔽层的磁化比所述记录层的磁化大。5.根据权利要求3所述的磁光存储介质，其中所述磁屏蔽层的居里温度比所述记录层的居里温度低。6.根据权利要求3所述的磁光存储介质，其中所述记录层的居里温度比所述再现层的居里温度低。7.根据权利要求3所述的磁光存储介质，其中一层透明介电层、所述再现层、一层非磁性中间层、所述磁屏蔽层、所述记录层、和一层保护层按该顺序设置在一层衬底上。8.根据权利要求7所述的磁光存储介质，其中所述磁屏蔽层的厚度不小于2nm并且不大于40nm。9.根据权利要求7所述的磁光存储介质，其中所述磁屏蔽层由从包括下列一组合金中选择的一种合金制成，该组合金有GdFe合金、GdFeAl合金、GdFeTi合金、GdFeTa合金、GdFePt合金、GdFeAu合金、GdFeCu合金、GdFeAlTi合金、GdFeAlTa合金、NdFe合金、NdFeAl合金、DyFe合金、和DyFeAl合金。10.根据权利要求7所述的磁光存储介质，其中所述磁屏蔽层具有由化学式(Gd0.11Fe0.89)XAl1-X表示的成份，其中X是原子比，并且X不小于0.30并且不大于1.00。11.根据权利要求7所述的磁光存储介质，其中所述磁屏蔽层具有不低于60℃并且不高于220℃的居里温度。12.根据权利要求1所述的磁光存储介质，其中所述磁屏蔽层是一种至少在室温其总磁化方向与所述记录层的总磁化方向相对的磁层。13.根据权利要求12所述的磁光存储介质，其中所述记录层是用从室温到其居里温度范围内富含过渡金属的稀土和过渡金属合金膜制成的，并且具有过渡金属子晶格；和所述磁屏蔽层是由至少在室温富含稀土金属的稀土和过渡金属合金制成的垂直磁化膜，并具有过渡金属子晶格；设置所述磁屏蔽层以使其过渡金属子晶格的磁化方向与所述记录层的过渡金属子晶格的磁化方向一致。14.根据权利要求12所述的磁光存储介质，其中所述屏蔽层是一种在高温其磁化减少的磁膜。15.根据权利要求12所述的磁光存储介质，其中在室温，所述磁屏蔽层的总磁化与所述记录层的总磁化基本相同。16.根据权利要求12所述的磁光存储介质，其中所述磁屏蔽层的居里温度比所述记录层的居里温度低。17.根据权利要求12所述的磁光存储介质，其中所述磁屏蔽层的补偿温度比所述记录层的居里温度低。18.根据权利要求12所述的磁光存储介质，其中一层透明介电层、所述再现层、一层非磁性中间层、所述磁屏蔽层、所述记录层、和一层保护层按该顺序设置在一层衬底上。19.根据权利要求18所述的磁光存储介质，其中所述磁屏蔽层的厚度不小于10nm并且不大于60nm。20.根据权利要求12所述的磁光存储介质，其中一层透明介电层、所述再现层、一层非磁性中间层、所述记录层、所述磁屏蔽层、和一层保护层按该顺序设置在一层衬底上。21.根据权利要求20所述的磁光存储介质，其中所述磁屏蔽层的厚度不小于10nm并且不大于80nm。22.根据权利要求18所述的磁光存储介质，其中所述磁屏蔽层由从包括下列一组合金中选择的一种合金制成，该组合金有GdDyFe合金、TbFe合金、DyFe合金、GdFe合金、GdTbFe合金、DyFeCo合金、和TbFeCo合金。23.根据权利要求18所述的磁光存储介质...

【专利技术属性】
技术研发人员：高桥明，三枝理伸，池谷直泰，森豪，中嶋淳策，村上善照，広兼顺司，
申请(专利权)人：夏普公司，
类型：发明
国别省市：JP[日本]