半导体激光装置和光拾取装置制造方法及图纸

本发明专利技术揭示一种半导体激光装置和光拾取装置，包括在半导体激光装置（１）中，使得棱镜（５）将倾斜面（５０）朝向辅助安装架（３）上的半导体激光器（４）的射出面，在倾斜面（５０）上形成用于反射来自半导体激光器（４）的激光（Ｌ１）的一部分的进行了表面处理的反射区域（５１）、和穿透折射残余的光并引导到在半导体基片（２）的表面部分（２ｂ）上用棱镜覆盖的监控用光检测器（６）的感光面（６ａ）上的穿透折射区域（５２），基于在感光面（６ａ）的感光结果、反馈控制半导体激光器的发光量。（*该技术在2018年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及作为进行光记录媒体的记录重放的光拾取装置的激光光源等使用的半导体激光装置，特别涉及对半导体激光器的发光量进行反馈控制的类型的半导体激光装置。因从半导体激光器发射出的激光的光量随着温度和时间的变化很大，所以常用对半导体激光器的发光量进行反馈控制，以便能从半导体激光器不断地得到一定的发光输出。例如，在已公开的日本特开平4-349687号公报所示的半导体激光装置中，其结构为，借助于在半导体基片的表面部分上形成高低差，在这种高低差的下侧上设置半导体激光器，同时在阶差的壁面上形成监控用光检测器，在半导体激光器和监控用光检测器相对的一侧、在高低差的壁面以外的地方形成信号检测用的光检测器。但是，在已公开的日本特开平4-349687号公报所示的半导体激光装置中，因始终是利用在半导体基片上形成的高低差、使半导体激光器和监控用光检测器相对的结构，所以问题是在表面平坦的半导体基片上不能形成监控用光检测器的感光面。因此，很难在同一平面上容易地形成信号检测用光检测器和监控用光检测器，所以就要借助于用其它工序作成这两者光检测器，半导体激光装置的制造成本就增加。特别是，如果在表面平坦的半导体基本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体激光装置，其特征在于，包括半导体基片；对于所述半导体基片固定的半导体激光器；设置在所述半导体基片的表面上的棱镜，使得倾斜面朝向与所述半导体激光器相对的一侧；在用所述棱镜覆盖的所述半导体基片的表面部分上形成的监控用光检测器；在所述棱镜的所述倾斜面上包括用于反射从所述半导体激光器出射光的一部分的进行了表面处理的反射区域，和穿透并折射所述出射光的剩余部分、作为监视光引导至所述监控用光检测器的所述感光面上的穿透折射区域。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 1997-5-22 131970/971.一种半导体激光装置，其特征在于，包括半导体基片；对于所述半导体基片固定的半导体激光器；设置在所述半导体基片的表面上的棱镜，使得倾斜面朝向与所述半导体激光器相对的一侧；在用所述棱镜覆盖的所述半导体基片的表面部分上形成的监控用光检测器；在所述棱镜的所述倾斜面上包括用于反射从所述半导体激光器出射光的一部分的进行了表面处理的反射区域，和穿透并折射所述出射光的剩余部分、作为监视光引导至所述监控用光检测器的所述感光面上的穿透折射区域。2.如权利要求1所述的半导体激光装置，其特征在于，在所述穿透折射区域的内侧形成所述反射区域。3.如权利要求1所述的半导体激光装置，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：东浦一雄，林善雄，武田正，
申请(专利权)人：株式会社三协精机制作所，
类型：发明
国别省市：JP[日本]