半导体激光装置和光拾取装置制造方法及图纸

本发明专利技术揭示一种半导体激光装置和光拾取装置，包括在半导体激光装置（１）中，使得棱镜（５）将倾斜面（５０）朝向辅助安装架（３）上的半导体激光器（４）的射出面，在倾斜面（５０）上形成用于反射来自半导体激光器（４）的激光（Ｌ１）的一部分的进行了表面处理的反射区域（５１）、和穿透折射残余的光并引导到在半导体基片（２）的表面部分（２ｂ）上用棱镜覆盖的监控用光检测器（６）的感光面（６ａ）上的穿透折射区域（５２），基于在感光面（６ａ）的感光结果、反馈控制半导体激光器的发光量。（*该技术在2018年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及作为进行光记录媒体的记录重放的光拾取装置的激光光源等使用的半导体激光装置，特别涉及对半导体激光器的发光量进行反馈控制的类型的半导体激光装置。因从半导体激光器发射出的激光的光量随着温度和时间的变化很大，所以常用对半导体激光器的发光量进行反馈控制，以便能从半导体激光器不断地得到一定的发光输出。例如，在已公开的日本特开平4-349687号公报所示的半导体激光装置中，其结构为，借助于在半导体基片的表面部分上形成高低差，在这种高低差的下侧上设置半导体激光器，同时在阶差的壁面上形成监控用光检测器，在半导体激光器和监控用光检测器相对的一侧、在高低差的壁面以外的地方形成信号检测用的光检测器。但是，在已公开的日本特开平4-349687号公报所示的半导体激光装置中，因始终是利用在半导体基片上形成的高低差、使半导体激光器和监控用光检测器相对的结构，所以问题是在表面平坦的半导体基片上不能形成监控用光检测器的感光面。因此，很难在同一平面上容易地形成信号检测用光检测器和监控用光检测器，所以就要借助于用其它工序作成这两者光检测器，半导体激光装置的制造成本就增加。特别是，如果在表面平坦的半导体基片上形成监控用光检测器的感光面，则从半导体激光器射出的激光，只有很少一部分送到感光面上，检测精度恶化。因此，本专利技术的目的在于，在半导体基片平坦的表面部分上形成感光面的监控用光检测器中，提供能高效率地对在基片面上平行地从半导体激光装置射出的激光进行感光的半导体激光装置，和使用它的光拾取装置。附图说明图1表示采用本专利技术的半导体激光装置的关键部分的侧视图。图2表示图1所示的半导体激光装置的关键部分的平面图。图3表示照射在图1所示的监控用光检测器的感光面上的光的剖面形状的说明图。图4(A)表示本专利技术中在棱镜的倾斜面上形成带状的反射区域的半导体激光装置的平面图。图4(B)表示照射在图4(A)所示的半导体激光装置的监控用光检测器的感光面上的光的剖面形状的说明图。图5(A)表示装入采用本专利技术的半导体激光装置后的光拾取装置的说明图。图5(B)表示装入采用本专利技术的半导体激光装置后的光拾取装置的说明图。图5(C)表示装入采用本专利技术的半导体激光装置后的光拾取装置的说明图。图5(D)表示装入采用本专利技术的半导体激光装置后的光拾取装置的说明图。图6(A)表示在图5(A)-图5(D)所示的光拾取装置中用于形成各种信号的电路结构的说明图。图6(B)表示在图5(A)-图5(D)所示的光拾取装置中用于形成各种信号的电路结构的说明图。下面，参照附图对采用本专利技术的半导体激光装置进行说明。本例的半导体激光装置是利用监控用光检测器，检测来自半导体激光装置的前向光的一部分，基于这种检测输出，对半导体激光装置的发光量进行反馈控制的前向监控方式的半导体激光装置。图1表示半导体激光装置的关键部分的侧视图，图2表示半导体激光装置的关键部分的平面图。如这些图所示，半导体激光装置1具有由硅等组成的半导体基片2，利用粘接剂将大致长方体形状的辅助安装架3固定在半导体基片2的表面2a上。在这种辅助安装架3上安装着半导体激光器4。半导体激光器4其发光点4a向着侧面，在水平方向(与半导体基片2的基片面平行的方向)上射出激光L1。半导体激光器4配置在辅助安装架3的上面3a，其边缘靠近射出激光L1侧的端面3b，利用线焊等电气地连接半导体激光器4与辅助安装架3和半导体基片2。在半导体基片2的表面2a上，利用粘接剂在与辅助安装架3的端面3b仅离开规定距离的位置上固定棱镜5。配置这种棱镜5，使得对于半导体基片2的表面2a非平行地倾斜的倾斜面50与半导体激光器4的发光点4a相对。在本实施形态中，棱镜5具有倾斜面50对于激光L1的光轴45度倾斜的结构。在由这种棱镜5覆盖的半导体基片2的表面部分2b上形成监控用光检测器6的感光面6a，这种监控用光检测器6的感光面6a和从半导体激光器4射出的激光L1的光轴是平行的。在棱镜5的倾斜面50上形成进行用于反射来自半导体激光器4的激光L1的一部分的表面处理的反射区域51、和穿透折射激光L1的残余的光并引导到在监控用光检测器6的感光面6a上的穿透折射区域52。反射区域51在倾斜面50的表面上进行例如被覆金属膜等的表面处理、赋予光学反射特性。在本实施形态中，从半导体基片的垂直方向看，形成的反射区域51为圆形，并用穿透折射区域52围住其周围。这里设定激光L1的光轴通过反射区域51的中心。在这种结构的半导体激光装置1中，从半导体激光器4向着水平方向射出激光L1，并将这种激光L1照射到棱镜5的倾斜面50上。在倾斜面50上形成由穿透折射区域52包围的反射区域51，而且因为激光L1的光轴通过反射区域51的中心，所以如图1中虚线所示，在反射区域51中向着上方，射出从半导体激光器4射出的激光L1中以其光轴为中心的其周围的光L2。如后所述，这里被反射的光L2，能被用作CD和DVD等的光记录媒体的记录重放用的光。而另外，如图1中实线所示，照射在穿透折射区域52中的光L3(从激光L1除去激光L2的残余光)在穿透折射区域52被穿透折射，在半导体基片2的表面部分2b中，引导到由棱镜5覆盖的监控用光检测器6的感光面6a中。因此，基于监控用光检测器6的感光结果，能反馈控制半导体激光器2的发光量。在本实施形态中，如图3所示，因送到感光面6a中的光L3是在激光L1中除去在圆形的反射区域51反射的光L2的光，所以具有环状图形并照射到监控用光检测器6的感光面6a上。这样，在本实施形态中，从半导体激光器4与半导体基片2的表面平行地射出的激光L1，照射到棱镜3的倾斜面50上，在这种倾斜面50中照射到反射区域51上的激光L2，用作CD和DVD等的光记录媒体的记录重放用的光，另一方面，在这里使照射到穿透折射区域52上的激光L3穿透折射，到达在半导体基片2的表面部分2b中用棱镜5覆盖的监控用光检测器6的感光面6a。因此，即使是在半导体基片2的平坦的表面部分2b上形成感光面6a的监控用光检测器，也能高效率地对半导体激光器4射出的激光L1中除去用作记录重放用的光L2的光L3进行感光。另外，为了从半导体激光器4向前方射出的激光L1得到记录重放用和监控用的两部分的光L2、L3，因只要提高半导体激光器4的后端反射率即可，以便集中在这种方向上射出激光L1，所以能提高半导体激光器4的发光效率。如果在半导体基片2的表面2a上直接设置半导体激光4，则因从这种半导体激光器4射出的激光L1具有广角度，所以在从发光点到棱镜的倾斜面50的距离长的场合，激光L1的一部分在半导体基片2的表面2a上反射，引导到倾斜面50中的光量减少。但是，在本实施形态中，在半导体基片2的表面2a上固定辅助安装架3，并在这种辅助安装架3上设置半导体激光器4。因此，因全部激光L1送到棱镜5的倾斜面50上，所以能避免由于广角使光的利用效率降低。此外，在前述例中，是在棱镜5的倾斜面50的一部分上形成圆形的反射区域51，以便在穿透折射区域52的内侧形成反射区域51，但如图4(A)所示，也可以形成夹在穿透折射区域52中的带状的反射区域51。如图4(B)所示，在形成这种带状的反射区域51的场合，光L3具有切去椭圆形照射图形的一部分而形成的图形，并引导到监控用光检本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体激光装置，其特征在于，包括半导体基片；对于所述半导体基片固定的半导体激光器；设置在所述半导体基片的表面上的棱镜，使得倾斜面朝向与所述半导体激光器相对的一侧；在用所述棱镜覆盖的所述半导体基片的表面部分上形成的监控用光检测器；在所述棱镜的所述倾斜面上包括用于反射从所述半导体激光器出射光的一部分的进行了表面处理的反射区域，和穿透并折射所述出射光的剩余部分、作为监视光引导至所述监控用光检测器的所述感光面上的穿透折射区域。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 1997-5-22 131970/971.一种半导体激光装置，其特征在于，包括半导体基片；对于所述半导体基片固定的半导体激光器；设置在所述半导体基片的表面上的棱镜，使得倾斜面朝向与所述半导体激光器相对的一侧；在用所述棱镜覆盖的所述半导体基片的表面部分上形成的监控用光检测器；在所述棱镜的所述倾斜面上包括用于反射从所述半导体激光器出射光的一部分的进行了表面处理的反射区域，和穿透并折射所述出射光的剩余部分、作为监视光引导至所述监控用光检测器的所述感光面上的穿透折射区域。2.如权利要求1所述的半导体激光装置，其特征在于，在所述穿透折射区域的内侧形成所述反射区域。3.如权利要求1所述的半导体激光装置，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：东浦一雄，林善雄，武田正，
申请(专利权)人：株式会社三协精机制作所，
类型：发明
国别省市：JP[日本]