半导体结构及其形成方法技术

一种半导体结构包括：衬底，具有前侧和背侧；静态随机存取存储器(SRAM)电路，具有形成在衬底的前侧上的SRAM位单元，其中，每个SRAM位单元包括交叉耦合在一起的两个反相器以及耦合至这两个反相器的第一传输门和第二传输门；第一位线，设置在衬底的前侧上并连接至第一传输门；以及第二位线，设置在衬底的背侧上并连接至第二传输门。本申请的实施例提供了半导体结构及其形成方法。导体结构及其形成方法。导体结构及其形成方法。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其形成方法


[0001]本申请的实施例涉及半导体结构及其形成方法。

技术介绍

[0002]集成电路包括具有相应功能的各种电路，诸如具有多个存储器位单元以保持信息的存储器电路。存储器电路包括非易失性器件或易失性器件。例如，易失性器件包括静态随机存取存储器(SRAM)器件。通常需要具有鳍型有源区域的三维晶体管以增强器件性能。在鳍型有源区域上形成的那些三维场效应晶体管(FET)也称为FinFET。其他三维场效应晶体管包括全环栅FET。这些FET需要窄鳍宽度以用于短沟道控制，与平面FET相比，其获得更小的源极/漏极区域。这将减少对准裕度，并引起进一步缩小器件间距和增加封装密度的问题。此外，当金属互连件不断缩小尺寸以减小特征尺寸来提高电路布线密度时，现有的互连结构方案在更紧密间距的金属层中面临各种问题。例如，由于金属线或塞出于可靠性考虑而需要扩散阻挡金属层而存在金属填充问题，并且阻挡层进一步减小金属线和金属塞的尺寸。这些阻挡金属层将影响沟槽填充能力，因此导致金属电阻劣化甚至更糟，诸如通孔开口或电迁移(EM)问题。缩小器件尺寸的其他问题包括增加本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，包括：衬底，具有前侧和背侧；静态随机存取存储器(SRAM)电路，具有形成在所述衬底的前侧上的SRAM位单元，其中，所述SRAM位单元的第一单元包括交叉耦合在一起的两个反相器以及耦合至所述两个反相器的第一传输门和第二传输门；第一位线，设置在所述衬底的前侧上并连接至所述第一传输门；以及第二位线，设置在所述衬底的背侧上并连接至所述第二传输门。2.根据权利要求1所述的半导体结构，还包括：第一电源线，设置在所述衬底的前侧上并连接至所述两个反相器的第一类型场效应晶体管(FET)；和第二电源线，设置在所述衬底的背侧上并连接至所述两个反相器的第二类型FET。3.根据权利要求2所述的半导体结构，其中所述第一电源线为高压电源线Vdd，所述第一类型FET为p型FET(pFET)；并且所述第二电源线为低压电源线Vss，所述第二类型FET为n型FET(nFET)。4.根据权利要求3所述的半导体结构，其中第三电源线设置在所述衬底的前侧上并连接至所述两个反相器的另一nFET；并且所述第三电源线为低压电源线Vss。5.根据权利要求3所述的半导体结构，其中所述SRAM位单元的第二单元与所述SRAM位单元的第一单元相邻；所述SRAM位单元的第二单元的第一位线设置在所述衬底的背侧上并连接至所述SRAM位单元的第二单元的第二传输门；并且所述SRAM位单元的第二单元的第二位线设置在所述衬底的前侧上并连接至所述SRAM位单元的第二单元的第一传输门。6.根据权利要求2所述的半导体结构，还包括前侧接触部件，位于所述第一传输门的源极/漏极部件的顶面上；和背侧接触部件，位于所述第二传输门的源极/漏...

【专利技术属性】
技术研发人员：邱奕勋，黄家恩，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：