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一种半导体结构包括：衬底，具有前侧和背侧；静态随机存取存储器(SRAM)电路，具有形成在衬底的前侧上的SRAM位单元，其中，每个SRAM位单元包括交叉耦合在一起的两个反相器以及耦合至这两个反相器的第一传输门和第二传输门；第一位线，设置在衬底...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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