半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术提出一种半导体装置。半导体装置包括第一源极/漏极结构、第二源极/漏极结构、第三源极/漏极结构、第一虚置鳍状物以及第二虚置鳍状物。第一虚置鳍状物沿着方向位于第一源极/漏极结构与第二源极/漏极结构之间，以隔离第一源极/漏极结构与第二源极/漏极结构；第二虚置鳍状物沿着方向位于第二源极/漏极结构与第三源极/漏极结构之间，以隔离第二源极/漏极结构与第三源极/漏极结构。第一虚置鳍状物包括外侧介电层、内侧介电层位于外侧介电层上与第一盖层位于外侧介电层与内侧介电层上。第二虚置鳍状物包括底部与第二盖层位于底部上。虚置鳍状物包括底部与第二盖层位于底部上。虚置鳍状物包括底部与第二盖层位于底部上。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置


[0001]本专利技术实施例涉及源极/漏极分隔结构与其制作方法，尤其涉及形成不同 的虚置鳍状物以达有源区之间的不同空间以减少尺寸或改善效能。

技术介绍

[0002]半导体集成电路产业已经历指数成长。集成电路材料与设计的技术进 展，使每一代的集成电路比前一代具有更小且更复杂的电路。在集成电路演 进中，功能密度(比如单位芯片面积的内连线装置数目)通常随着几何尺寸(比 如采用的制作工艺所能产生的最小构件或线路)缩小而增加。尺寸缩小的工 艺有利于增加产能并降低相关成本。尺寸缩小亦会增加处理与制造集成电路 的复杂度。
[0003]举例来说，由于集成电路技术朝更小的技术节点进展，已导入多栅极装 置以增加栅极
‑
通道耦合、减少关闭状态电流与减少短通道效应，进而改善 栅极控制。多栅极装置通常视作栅极结构或其部分位于通道区的多侧上的装 置。鳍状场效晶体管与多桥状通道晶体管为多栅极装置的例子，其为高效能 与漏电流应用的有力候选。鳍状场效晶体管具有隆起的通道，而栅极包覆通 道的多侧(比如包覆自基板延伸的半导体材料鳍状物的顶部与侧本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，包括：一第一源极/漏极结构；一第二源极/漏极结构；一第三源极/漏极结构；一第一虚置鳍状物，沿着一方向位于该第一源极/漏极结构与该第二源极/漏极结构之间，以隔离该第一源极/漏极结构与该第二源极/漏极结构；以及一第二虚置鳍状物，沿着该方向位于该第二源极/...

【专利技术属性】
技术研发人员：耿文骏，徐国修，杨智铨，洪连嵘，王屏薇，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：