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本发明提出一种半导体装置。半导体装置包括第一源极/漏极结构、第二源极/漏极结构、第三源极/漏极结构、第一虚置鳍状物以及第二虚置鳍状物。第一虚置鳍状物沿着方向位于第一源极/漏极结构与第二源极/漏极结构之间,以隔离第一源极/漏极结构与第二源极/...该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。
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本发明提出一种半导体装置。半导体装置包括第一源极/漏极结构、第二源极/漏极结构、第三源极/漏极结构、第一虚置鳍状物以及第二虚置鳍状物。第一虚置鳍状物沿着方向位于第一源极/漏极结构与第二源极/漏极结构之间,以隔离第一源极/漏极结构与第二源极/...