下载半导体装置的技术资料

文档序号:30633205

温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提出一种半导体装置。半导体装置包括第一源极/漏极结构、第二源极/漏极结构、第三源极/漏极结构、第一虚置鳍状物以及第二虚置鳍状物。第一虚置鳍状物沿着方向位于第一源极/漏极结构与第二源极/漏极结构之间,以隔离第一源极/漏极结构与第二源极/...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。