一种减小FinFET随机静态存储器阈值电压失配的结构制造技术

本发明专利技术提供一种减小FinFET随机静态存储器阈值电压失配的结构，分别包括单元A和单元B的第一至第四单元；单元A和单元B分别包括：第一至第三Fin结构；第一至第三Fin结构设有第一栅极；单元B的第一栅极一端通过其第一栅极金属与单元A中靠近其第三Fin结构末端的第一金属连接；第一、第四单元的单元A中的第一、第二Fin结构的末端通过各自的第四金属相互连接；第一、第四单元的单元B中的第三Fin结构的首端通过各自的第三金属相互连接；第一、第四单元的单元B中的第一、第二Fin结构的首端通过各自的第二金属相互连接。本发明专利技术将最外层的Fin间距减小2～6nm，将扩大金属栅极端帽层的性能，同时不会牺牲层间介质层间隙填充窗口。同时不会牺牲层间介质层间隙填充窗口。同时不会牺牲层间介质层间隙填充窗口。

【技术实现步骤摘要】
一种减小FinFET随机静态存储器阈值电压失配的结构


[0001]本专利技术涉及半导体
，特别是涉及一种减小FinFET随机静态存储器阈值电压失配的结构。

技术介绍

[0002]阈值电压失配对SRAM的静态噪声容限影响很大，从65nm到28nm，阈值电压失配越大，静态噪声容限越小。在FinFET的盖帽层沉积以后，进行金属退火，金属退火是使得HK金属被氧化，还可以增加HK金属的K值，因此有利于器件性能的提高；金属退火后，HK帽层的金属已经晶化，HK金属帽层的功函数变化显著增加，阈值电压在失配变得更差。
[0003]因此，需要提出一种新的结构来解决上述问题。

技术实现思路

[0004]鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种减小FinFET随机静态存储器阈值电压失配的结构，用于解决现有技术中如何在不引入新问题的基础上减小FinFET随机静态存储器的阈值电压失配的问题。
[0005]为实现上述目的及其他相关目的，本专利技术提供一种减小FinFET随机静态存储器阈值电压失配的结构，至少包括：
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种减小FinFET随机静态存储器阈值电压失配的结构，其特征在于，至少包括：第一至第四单元；所述第一至第四单元分别包括：单元A和单元B；其中所述单元A和所述单元B中分别包括：第一至第三Fin结构；所述第一至第三Fin结构上设有横跨所述第一至第三Fin结构的第一栅极；所述第一、第二Fin结构上设有横跨所述第一、第二Fin结构的第二栅极；所述第一、第二Fin结构上设有横跨所述第一、第二Fin结构并连接所述第三Fin结构末端的第一金属；沿所述第一、第二Fin结构的纵向，所述第一金属位于所述第一、第二栅极之间；所述第一、第二Fin结构的首端通过第二金属相互连接；所述第三Fin结构的首端连接第三金属；所述第一、第二Fin结构的末端通过第四金属相互连接；所述单元A的所述第一栅极的一端通过其第一栅极金属与所述单元B中靠近其所述第三Fin结构末端的所述第一金属连接；所述单元B的所述第一栅极的一端通过其第一栅极金属与所述单元A中靠近其所述第三Fin结构末端的所述第一金属连接；所述第一、第二单元的所述单元A中的所述第二金属的一端相互连接；所述第一、第二单元的所述单元A中的所述第二栅极的一端通过第二栅极金属相互连接；所述第一、第四单元的所述单元A中的所述第一、第二Fin结构的末端通过各自的所述第四金属相互连接；所述第一、第四单元的所述单元B中的所述第三Fin结构的首端通过各自的第三金属相互连接；所述第一、第四单元的所述单元B中的所述第一、第二Fin结构的首端通过各自的所述第二金属相互连接。2.根据权利要求1所述的减小FinFET随机静态存储器阈值电压失配的结构，其特征在于：所述第二、第三单元的所述单元A中的所述第一、第二Fin结构的末端通过各自的所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：李勇，
申请(专利权)人：上海华力集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：